Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Cursov2 / Образцы 2013 / Курсовой МОП-6 Челтыгмашев.doc
Скачиваний:
29
Добавлен:
27.03.2015
Размер:
1.95 Mб
Скачать

Министерство образования российской федерации

НОВОСИБИРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ

Кафедра ППиМЭ

Курсовая работа

Тема: МОП-транзистор с индуцированным каналом.

Факультет: РЭФ

Группа: РМС7-11

Студент: Челтыгмашев А.В.

Преподаватель: Макаров Е.А.

Дата: 24.04.2013

Отметка о защите:

Новосибирск 2013г.

Министерство образования Российской Федерации

НОВОСИБИРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ

ПОЯСНИТЕЛЬНАЯ ЗАПИСКА

к курсовому проекту (работе) по ___« Элементная база электроники»_____

наименование учебной дисциплины

на тему: МОП-транзистор с индуцированным каналом.

Вариант №6

Автор проекта (работы) _________Челтыгмашев А.В.

подпись, дата, инициалы, фамилия

Специальность ______200900, Нанотехнологии и микросистемная техника

номер, наименование

Факультет РЭФ группа РМС7-11

Руководитель проекта ________________________ ___ Макаров Е. А.

подпись, дата инициалы, фамилия

Проект (работа) защищен(а) ____________________ Оценка_______________________

дата

Новосибирск 2013г. Теоретические сведения.

В данной работе будет рассмотрен МДП транзистор с индуцированным n-каналом. Реальная структура МДП - транзистора с n-каналом, выполненного на основе полупроводниковой подложки p-типа, показана на рисунке 1.

Полевой транзистор - это полупроводниковый прибор, усилительные свойства которого обусловлены потоком основных носителей, протекающим через проводящий канал и управляемый электрическим полем. По конструктивному исполнению и технологии изготовления полевые транзисторы можно разделить на две группы: полевые транзисторы с управляющим р- n - переходом и полевые транзисторы с изолированным затвором.

В микросхемах наиболее широко распространены МДП–транзисторы с индуцированными каналами n-типа. Транзисторы со встроенными каналами используют реже, в основном как пассивные элементы (нелинейные резисторы). В комплементарных МДП–микросхемах применяют транзисторы с индуцированными каналами n- и p-типа. При одинаковой конструкции n-канальные транзисторы имеют большую крутизну и более высокую граничную частоту, чем p-канальные, вследствие большей подвижности электронов по сравнению с дырками. В большинстве микросхем используются транзисторы с горизонтальным каналом, однако существуют транзисторы с вертикальным каналом, образующимся на стенках вытравленных канавок. Такие транзисторы занимают меньшую площадь на кристалле.

Соседние файлы в папке Образцы 2013