PPUSRS_ekz_rus1

5. ничем не отличаются

141. Мощность ОБП сигнала по сравнению с мощностью боковой составляющей при АМ сигнале:

1. возрастает в четыре раза

2. убывает в два раза

3. возрастает в два раза

4. убывает в четыре раза

5. ничем не отличается

142. Ширина спектра ОБП сигнала по сравнению с шириной спектра АМ-сигнала:

1. уже в два раза

2. шире в два раза

3. уже в четыре раза

4. шире в четыре раза

5. ничем не отличается

143. Сужение ширины ОБП сигнала позволяет сузить полосу пропускания приемника по промежуточной частоте и получить выигрыш в отношении сигнал-помеха по мощности:

1. уже в два раза

2. шире в два раза

3. уже в четыре раза

4. шире в четыре раза

5. ничем не отличается

144. В радиоприемнике необходимо выполнить восстановление несущих колебаний, иначе:

1. принять ОБП сигнал нельзя

2. принять АМ сигнал нельзя

3. принять ЧМ сигнал нельзя

4. принять ФМ сигнал нельзя

5. принять ЧАМ сигнал нельзя

145. Восстановление несущих колебаний при приеме ОБП сигнала осуществляется с помощью:

1. передачи пилот-сигнала

2. передачи несущей частоты

3. умножителей частоты

4. делителей частоты

5. синтезаторов частоты

146. По структуре ОБП сигнал – это:

1. сигнал с амплитудной и фазовой модуляцией

2. сигнал с амплитудной и частотной модуляцией

3. сигнал с частотной и фазовой модуляцией

4. сигнал с амплитудной модуляцией

5. сигнал с фазовой модуляцией

147. Усиление сигнала при однополосной модуляции производится путем раздельного усиления двух сигналов в схеме двухканального усилителя, которая носит название:

1. схема Кана

2. схема Гаусса

3. схема Хата

4. схема Котельникова

5. схеме Шотки

148. Подавление несущей с помощью балансного смесителя и фильтрация одной из боковых полос необходимы для формирования:

1. ОБП сигнала

2. АМ сигнала

3. ЧМ сигнала

4. ФМ сигнала

5. выходного сигнала

149. Угловая модуляция – это совокупность:

1. частотной и фазовой модуляции

2. амплитудной и фазовой модуляции

3. частотной и амплитудной модуляции

4. кодовой и фазовой модуляции

5. импульсной и фазовой модуляции

150. При угловой модуляции различие между частотной и фазовой модуляцией можно обнаружить только:

1. при изменении частоты модулирующего сигнала

2. при частоте модулирующего сигнала

3. при девиации частоты

4. при девиации фазы

5. при изменении ВЧ несущего колебания

151. При обоих видах угловой модуляции (ЧМ и ФМ):

1. меняются мгновенная частота и фаза модулируемого ВЧ сигнала

2. меняется только мгновенная частота модулируемого ВЧ сигнала

3. меняется только фаза модулируемого ВЧ сигнала

4. меняется только девиация частоты

5. меняется только девиация фазы

152. При ФМ амплитуда колебания фазы сигнала , а мгновенная частота сигнала меняется по закону:

1. 

2. 

3. 

4. 

5. 

153. При ФМ амплитуда колебания фазы сигнала , а девиация частоты пропорциональна:

1. частоте модулирующего сигнала

2. частоте модулируемого сигнала

3. величине несущего колебания

4. амплитуде несущего колебания U₀

5. начальной частоте сигнала

154. При ЧМ девиация частотыпри изменении частоты , а девиация фазы сигнала меняется по закону:

1. 

2. 

3. 

4. 

5. 

155. Методы осуществления угловой модуляции делятся на две группы:

1. прямые и косвенные

2. прямые и обратные

3. аналоговые и дискретные

4. статические и динамические

5. входные и выходные

156. Непосредственное воздействие на колебательную систему автогенератора, определяющую частоту автоколебаний, происходит при:

1. прямом методе осуществления угловой модуляции

2. обратном методе осуществления угловой модуляции

3. косвенном методе осуществления угловой модуляции

4. непосредственном методе осуществления угловой модуляции

5. статическом методе осуществления угловой модуляции

157. Какой метод осуществления угловой модуляции состоит в преобразовании фазовой модуляции в частотную?

1. косвенный метод

2. прямой метод

3. статический метод

4. обратный метод

5. непосредственный метод

158. Воздействие на ВЧ усилитель или умножитель частоты, т.е. на электрические цепи, определяющие фазу высокочастотных колебаний – это:

1. прямой метод при ФМ

2. косвенный метод при ФМ

3. прямой метод при ЧМ

4. косвенный метод при ЧМ

5. обратный метод при ЧМ

159. В преобразовании частотной модуляции в фазовую заключается:

1. косвенный метод осуществления угловой модуляции

2. прямой метод осуществления угловой модуляции

3. статический метод осуществления угловой модуляции

4. непосредственный метод осуществления угловой модуляции

5. обратный метод осуществления угловой модуляции

160. При угловой модуляции для преобразования фазовой модуляции в частотную на входе фазового модулятора включается:

1. интегратор

2. дифференцирующая цепь

3. автогенератор

4. усилитель

5. ограничитель амплитуд

161. При угловой модуляции для преобразования частотной модуляции в фазовую на входе частотного модулятора включается:

1. дифференцирующая цепь

2. интегратор

3. автогенератор

4. усилитель

5. ограничитель амплитуд

162. Полупроводниковый диод с обратно смещенным р-n-переходом – это:

1. варикап

2. варактор

3. туннельный диод

4. газоразрядный диод

5. диод Ганна

163. Изменение емкости р-n-перехода называется:

1. барьерной емкостью

2. обратной емкостью

3. контактной емкостью

4. туннельной емкостью

5. межэлектродной емкостью

164. В чем заключается отличие генератора с самовозбуждением от генератора с посторонним возбуждением

1. источником напряжения возбуждения

2. способом подачи напряжения смещения

3. фильтром источника анодного (коллекторного) питания

4. фильтром источника катодного питания

5. величиной сеточного (базового) тока

165. Диапазон мириаметровых волн:

1. 3 – 30 кГц

2. 30 – 300 кГц

3. 0,3 – 3 МГц

4. 3 – 30 МГц

5. 30 – 300 МГц

166. Второе название мириаметровых волн:

1. Сверхдлинные

2. Длинные

3. Короткие

4. Ультракороткие

5. Средние

167. Диапазон километровых волн:

1. 30 – 300 кГц

2. 3 – 30 кГц

3. 0,3 – 3 МГц

4. 3 – 30 МГц

5. 30 – 300 МГц

168. Второе название километровых волн:

1. Длинные

2. Сверхдлинные

3. Короткие

4. Ультракороткие

5. Средние

345. Диапазон гектометровых волн:

1. 0,3 – 3 МГц

2. 3 – 30 кГц

3. 30 – 300 кГц

4. 3 – 30 МГц

5. 30 – 300 МГц

169. Второе название гектометровых волн:

1. Средние

2. Сверхдлинные

3. Короткие

4. Ультракороткие

5. Длинные

170. Диапазон декаметровых волн:

1. 3 – 30 МГц

2. 3 – 30 кГц

3. 30 – 300 кГц

4. 0,3 – 3 МГц

5. 30 – 300 МГц

171. Второе название декаметровых волн:

1. Короткие

2. Сверхдлинные

3. Средние

4. Ультракороткие

5. Длинные

172. Диапазон метровых волн:

1. 30 – 300 МГц

2. 3 – 30 кГц

3. 30 – 300 кГц

4. 0,3 – 3 МГц

5. 3 – 30 МГц

173. Второе название декаметровых волн:

1. Ультракороткие

2. Сверхдлинные

3. Средние

4. Короткие

5. Длинные

174. Меньшими размерами и весом, большей экономичностью в потреблении электроэнергии, механической прочностью обладают:

1. Транзисторы

2. Вакуумные электронные лампы

3. Тетроды

4. Лампы бегущей волны

5. Клистроны

175. Вакуумный диод, находящийся в открытом состоянии представляет собой участок:

1. Катод – анод лампы

2. База – коллектор

3. Эмиттер – коллектор

4. Управляющая сетка – анод лампы

5. База – эмиттер

176. Полупроводниковый диод в закрытом состоянии представляет собой участок:

1. База – коллектор

2. Катод – анод лампы

3. Эмиттер – анод лампы

4. Управляющая сетка – анод лампы

5. База – эмиттер

177. При уменьшении напряжения между анодом и катодом до нуля:

1. анодная цепь лампы запирается

2. катодная цепь лампы запирается

3. анодная цепь лампы отпирается

4. катодная цепь лампы отпирается

5. анодная цепь лампы неуправляема

178. При смене полярности напряжения между анодом и катодом:

1. анодная цепь лампы запирается

2. катодная цепь лампы запирается

3. анодная цепь лампы отпирается

4. катодная цепь лампы отпирается

5. анодная цепь лампы неуправляема

179. При уменьшении напряжения между коллектором и базой до нуля:

1. Цепь коллектора открывается и перестает быть управляемой

2. Цепь эмиттера открывается и перестает быть управляемой

3. Цепь базы открывается и перестает быть управляемой

4. Цепь эмиттера закрывается и перестает быть управляемой

5. Цепь базы закрывается и перестает быть управляемой

180. При смене полярности напряжения между коллектором и базой:

1. Цепь коллектора открывается и перестает быть управляемой

2. Цепь эмиттера открывается и перестает быть управляемой

3. Цепь базы открывается и перестает быть управляемой

4. Цепь эмиттера закрывается и перестает быть управляемой

5. Цепь базы закрывается и перестает быть управляемой

181. Смена полярности напряжения на управляющей сетке:

1. не влияет на характер управления анодным током

2. влияет на характер управления анодным током

3. не влияет на характер управления катодным током

4. влияет на характер управления катодным током

5. не влияет на коллектор транзистора

182. При смене рабочей полярности напряжения на эмиттерном переходе:

1. Прекращается инжекция носителей зарядов

2. Начинается инжекция носителей зарядов

3. Прекращается накопление носителей зарядов в базовой области

4. Начинается накопление носителей зарядов в базовой области

5. Начинается перенос электронов под действием внешнего электрического поля из базы к коллектору

183. Управление носителями зарядов в лампе происходит в:

1. вакууме

2. жидкости

3. твердом теле

4. газообразной среде

5. диэлектрической среде

184. Инерционность движения электронов в лампе начинает заметно сказываться на:

1. СВЧ

2. ВЧ

3. НЧ

4. ОНЧ

5. СЧ

185. Инерционность движения электронов в транзисторе оказывает влияние на работу каскадов на:

1. Верхних частотах звукового диапазона

2. Нижних частотах звукового диапазона

3. Средних частотах звукового диапазона

4. На всех частотах звукового диапазона

5. На очень низких частотах

186. Какой усилительный элемент обладает свойством симметрии?

1. транзистор

2. лампа

3. диод

4. варикап

5. варактор

187. Какой усилительный элемент обладает значительной температурной нестабильностью?

1. транзистор

2. лампа

3. диод

4. варикап

5. варактор

188. Биполярные транзисторы делятся на группы: типа n-p-n и p-n-p. Под n понимается - :

1. электронная проводимость материала

2. дырочная проводимость материала

3. электрическая проводимость материала

4. ионная проводимость материала

5. статическая проводимость материала

189. Биполярные транзисторы делятся на группы: типа n-p-n и p-n-p. Под р понимается - :

1. дырочная проводимость материала

2. электронная проводимость материала

3. электрическая проводимость материала

4. ионная проводимость материала

5. статическая проводимость материала

190. Мощные биполярные транзисторы ВЧ и СВЧ диапазонов являются типа:

1. p – n - p

2. n – p - n

3. p - p - n

4. p – n -n

5. p – р – p

191. В основе работы биполярного транзистора лежат следующие явления:

1. инжекция, накопление и перенос носителей зарядов

2. накопление, инжекция и перенос носителей зарядов

3. перенос, инжекция и накопление носителей зарядов

4. инжекция, перенос и накопление носителей зарядов

5. инжекция и перенос носителей зарядов

192. В основе работы биполярного транзистора лежат три явления, первым из которых является:

1. инжекция электронов из эмиттера в область базы

2. накопление электронов в базовой области

3. перенос электронов под действием внешнего электрического поля из базы к коллектору

4. инжекция электронов из коллектора в область базы

5. перенос электронов под действием внешнего электрического поля из базы к эмиттеру

193. В основе работы биполярного транзистора лежат три явления, вторым из которых является:

1. накопление электронов в базовой области

2. инжекция электронов из эмиттера в область базы

3. перенос электронов под действием внешнего электрического поля из базы к коллектору

4. инжекция электронов из коллектора в область базы

5. перенос электронов под действием внешнего электрического поля из базы к эмиттеру

194. В основе работы биполярного транзистора лежат три явления, третьим из которых является:

1. перенос электронов под действием внешнего электрического поля из базы к коллектору

2. инжекция электронов из эмиттера в область базы

3. накопление электронов в базовой области

4. инжекция электронов из коллектора в область базы

5. перенос электронов под действием внешнего электрического поля из базы к эмиттеру

195. Управляемый входным сигналом преобразователь энергии источника питания в энергию выходного сигнала - это:

1. Усилитель электрических сигналов

2. Преобразователь частоты

3. Преобразовательный элемент

4. Усилительный элемент

5. Усилительный каскад

196. В спектре выходного напряжения не возникает новых составляющих, а происходит только изменение их взаимной интенсивности и фазовых соотношений при:

1. Линейных искажениях

2. Нелинейных искажениях

3. Краевых искажениях

4. Переходных искажениях

5. Интерференционных искажениях

197. Амплитудно-частотные и фазо-частотные искажения сигнала при его усилении называют:

1. Линейными искажениями

2. Нелинейными искажениями

3. Краевыми искажениями

4. Переходными искажениями

5. Интерференционными искажениями

198. Какую схему усилителя необходимо применять при передаче ОБП сигнала для устранения нелинейных искажений и увеличения КПД РПДУ?

1. Схему Кана

2. Схему Баттерворта

3. Схему Гаусса

4. Схему Хэминга

5. Схему Золотарева

199. Режим работы ГВВ, при котором ток в его выходной цепи протекает через усилительный прибор на протяжении части периода изменения напряжения возбуждения, называется режимом колебаний:

1. 2 рода

2. 1 рода

3. 3 рода

4. 4 рода

5. 5 рода

200. В ГВВ для установления режима колебаний второго рода необходимо:

1. Увеличить напряжение смещения

2. Изменить напряжение возбуждения

3. Увеличить напряжение возбуждения

4. Уменьшить напряжение смещения

5. Уменьшить напряжение возбуждения