Радиоприемные устройства
.docx
П0,707= f 0·(+ m2 ωLk+ n2 ωLk)
П0,707=500·103·( +0,52·314,2·0,1·10-3 + 0.22·314,2·0,5·10-3)≈ 12,1 ·103 Гц
Ответ: П0,707=12,1 кГц
Задача 19
Определите коэффициент усиления k0 на частоте f0=500 кГц, если m=0.7, n=0.5,
|Y21|=30 мСм, Lk=200 мкГн, полоса пропускания ан уровне γ=0,707 равна П0,7=40 кГц, где m-коэффициент подключения коллекторной цепи к контуру УРЧ, n- коэффициент подключения входной цепи следующего каскада к контуру УРЧ., Lk –индуктивность контура УРЧ.
Дано:
f0=500 кГц
m=0.7
n=0.5
П0,7=40 кГц
|Y21|=30 мСм
Lk=200 мкГн
k0-?
Решение:
Воспользуемся формулой коэффициента усиления:
k0=mn|Y21|Rэ, где Rэ –эквивалентное сопротивление Rэ=ρQэ=
ρ=2πfLk, ρ=2·3,14·500·103·200·10-6≈628,32 Ом
Полоса пропускания на уровне 0,707 определяется так:
П0,7= f 0d э, где dэ-эквивалентное затухание контура
Значит dэ=, dэ= = 0,08
Rэ= = 3,85·103 Ом
k0=0,7·0,5·30·10-3·3,85·103 = 40,43
Ответ: k0=40,43
Задача 20
Определите коэффициент передачи транзисторного преобразователя частоты, если эквивалентное резонансное сопротивление контура Rэ=1 кОм, коэффициент включения контура m=1 и n=0.5, амплитуда напряжения гетеродина Uг=0,1 В. Вольтамперная характеристика транзистора описывается выражением i2=i20+aΔU+bΔU2, в котором b=0,5 А/В2.
Дано:
m=1
n=0.5
Uг=0,1 В
Rэ=1 кОм
i2=i20+aΔU+bΔU2
b=0,5 А/В2
k0-?
Решение:
формула резонансного коэффициента усиления преобразователя:
k0=mnSпрRэ, где Sпр- крутизна преобразования
Sпр=bUг, → k0=mnbUгRэ
k0=0,5·1·0,5·0,1·1·103 = 25
Ответ: k0=25
Задача 21
В одноконтурном усилителе радиочастоты (УРЧ) контур настроен на частоту f0=800кГц. Полоса пропускания УРЧ на уровне γ=0.707 равна Пγ= 32 кГц. На сколько децибел будут ослаблены УРЧ сигнала станций, принимаемых по соседнему (расстройка ∆fск=9кГц) и по зеркальному каналу ! Промежуточная частота приемника fпр=465 кГц. Коэффициенты включения m,n и крутизна |Y12| от частоты не зависят.
Здесь:m-коэффициент подключения коллекторной цепи к контуру; n- коэффициент подключения входной цепи следующего каскада к контуру УРЧ.
Дано:
f0=800кГц
γ=0.707
Пγ= 32 кГц
∆fск=9кГц
fпр=465 кГц
σе ск-? σе зк-?
Решение:
Формулы для избирательность для зеркального и соседнего канала:
σе зк= , σе cк= , где y-относительная расстройка
y= - , fзк- частота зеркального канала
fзк=f0+2fпр , fзк=800·103+2·465·103 = 1730·103 Гц
y= - =2.16-0.46≈1.7
для нахождения эквивалентного затухания контура dэ, воспользуемся формулой полосы пропускания на уровне 0,707:
П0,7= f 0dэ, → dэ=, dэ= = 0,04
σе зк= = 42,5 (раз), σе зк дБ =20log42.5≈32.6 дБ
σе cк= = 1,25 (раз) , σе cк дБ=20log1.25≈2 дБ
Ответ: σе зк=32,6 дБ, σе ск=2 дБ
Задача 22
Рассчитайте сопротивление резистора R1 в цепи питания резонансного усилителя, если ток покоя базы iбо=0.25 мА, напряжение источника питания Е=11.5 В, постоянное напряжение на резисторе R1 равно UR1=8 В, и сопротивление резистора R2=2 кОм.
Дано:
iбо=0.25 мА
Е=11.5 В
UR1=8 В
R2=2 кОм
R1-?
Решение:
R1- сопротивление цепи базы
R1 =UR1/IR1, ток на резисторе R1:
IR1= iбо+ IR2 , где IR2= UR2/ R2, UR2=Е- UR1,
UR2=11,5-8=3,5 В, IR2 = =1,75·10-3 А
IR1=0,25·10-3 + 1,75·10-3 = 2·10-3 А
R1= = 4·103 Ом
Ответ: R1=4 кОм
Задача 23
Определите постоянную составляющую тока, протекающего через резистор R2, если напряжение база-эмиттер Uбэ0=0.2 В, ток покоя эмиттера iэ0= 2 мА, Rэ=1кОм, R2=2кОм.
Дано:
Uбэ0=0.2 В
iэ0= 2 мА
Rэ=1кОм
R2=2кОм
IR2-?
Решение:
IR2= UR2/ R2, UR2= URэ+ Uбэ0, URэ= iэ0· Rэ
URэ=2·10-3·1·103 = 2 В
UR2=2+0,2=2,2 В, IR2= = 1,1·10-3 А
Ответ: IR2=1,1 мА
Задача 24
Рассчитать сопротивление резистора Rэ, в цепи питания резонансного усилителя, если на нем падает такое же напряжение, что и на резисторе Rф. Напряжение источника питания Ек= 10 В. Наприжение коллектор-эмиттер Uкэ0=6В, ток покоя эмиттера Iэ0=4мА
Дано:
URф=URэ
Uкэ0=6В
Iэ0=4мА
Еп= 10 В
Rэ-?
Решение:
Rэ= URэ / IRэ0
По 2му закону Кирхгофа- падение напряжения на элементах равно Еп:
Еп= URф+ Uкэ0+ URэ=2 URэ + Uкэ0 ,
URэ=(Еп-U кэ0)/2, URэ= = 2 В
Rэ=2/4·10-3= 0,5·103 Ом
Ответ: Rэ=500 Ом
Задача 25=23
Определить постоянную составляющую тока, протекающего через резистор R2 в схеме усилителя радиочастоты, если напряжение база-эмиттер Uбэ=0.2 В, ток покоя эмиттера Iэ0= 2 мА, Rэ=1кОм. R2=2кОм.