Arkhitektura_EVM_uchebnoe_posobie

message1 equ <foobar>

Оператор ( ). Часть выражения, заключенная в круглые скобки, вычисляется в первую очередь.

mov al, 2*(3+4)

; mov al,14

Арифметические операторы: +, –, *, /, MOD (остаток от деления) – выполняют соответствующие арифметические действия.

mov al,90 mod 7

; mov al,6

Кроме того, к арифметическим операторам относится унарный минус – минус, который ставят перед отрицательным числом.

Логические операторы: AND (И), NOT (НЕ), OR (ИЛИ), XOR (исключающее ИЛИ), SHL (сдвиг влево), SHR (сдвиг вправо). Эти операторы выполняют соответствующие логические действия.

mov ax,1234h AND 4321h ; mov ax,0220h

Операторы сравнения: EQ (равно), GE (больше или равно), GT (больше), LE (меньше или равно), LT (меньше), NE (не равно). Результат действия каждого из этих операторов – единица, если условие выполняется, и ноль – если не выполняется.

Оператор [] – оператор применения косвенной адресации.

Числовые константы всегда начинаются с цифры (0 – 9) и состоят из произвольного количества буквенно-цифровых символов. Действительное значение константы зависит от выбранной системы счисления. В программах на языке Ассемблер применяются следующие системы счисления: двоичная, восьмеричная, десятичная, шестнадцатиричная. В шестнадцатиричном формате допускаются как строчные, так и прописные буквы.

Основание системы счисления числовой константы определяется по последнему символу этой константы. Для представления разных систем счисления применяются следующие символы: В – двоичная; О – восьмеричная; Q – восьмеричная; D – десятичная; Н – шестнадцатиричная.

Эти символы могут указываться в виде как прописных, так и строчных букв. Если в конце числовой константы нет никаких перечисленных символов, она считается заданной в десятичной системе счисления.

Строковые константы всегда начинаются с одинарных «'» или двойных «"» кавычек и заканчиваются также соответственно одинарными или двойными кавычками.

Для создания файла с исходным текстом программы необходимо в любом текстовом редакторе (например, с помощью утилиты edit.com) набрать первоначальный текст и сохранить его в файле с любым именем и расширением asm (например, x.asm). Расширение может отличаться от asm, но тогда при вызове Turbo Assembler нужно будет указывать его вместе с именем файла, тогда как расширение asm используется по умолчанию.

После подготовки текста программы можно переходить к созданию испол-

90

нимого файла. Схема разработки программы на ассемблере представлена на рис. 3.9.

Создание программы

Исходныйтекст x.asm

Трансляция

Объектныйкод x.obj

Компоновка

Выполняемыйфайл x.exe

Выполнение

Рис. 3.9. Создание программы на ассемблере

Как видно из рис. 3.9, процесс создания программы включает подготовку исходного текста программы, трансляцию его в объектный файл и компоновку полученного объектного файла (или полученных объектных файлов, если создаваемая программа состоит из нескольких модулей) в выполняемый файл.

Для трансляции x.asm необходимо ввести:

TASM.EXE X.ASM

После этого произойдёт вызов Turbo Assembler, которому в качестве параметра будет передано имя файла, содержащего исходный текст программы. Если текст программы набран правильно, то в результате работы транслятора на экране появится следующий текст:

Turbo Assembler Version 3.1 Copyright © 1988,1992 by Borland International, Inc

Assembling file:	x.asm
Error messages:	None
Warning messages:	None
Passes:	1
Remaining memory:	331k

91

Это означает, что процесс трансляции завершился успешно. В этом случае Turbo Assembler создаёт файл x.obj, содержащий оттранслированную программу. Если в процессе трансляции будут обнаружены ошибки, то объектный файл не создаётся, а сообщения об ошибках появляются в пункте Error Messages. Тогда необходимо отредактировать исходный текст программы, устранив в нём указанные в сообщении ошибки, и повторить трансляцию.

После получения объектного файла выполняется его компоновка в выполняемый файл. Для этого используется компоновщик Turbo Linker фирмы Borland Int. Для запуска компоновщика необходимо ввести строку:

TLINK.EXE X.OBJ

После этого произойдёт запуск на выполнение компоновщика с передачей ему в качестве параметра имени объектного файла. При работе компоновщика на экране должно появиться сообщение:

Turbo Link Version 5.1 Copyright © 1992 by Borland International, Inc Warning: No stack

Это означает, что процесс компоновки завершился успешно и на диске создан файл программы x.exe, готовый к выполнению (на предупреждающее сообщение Warning в данном случае можно не обращать внимания). После этого созданную программу можно непосредственно запустить на выполнение.

Из исходного текста программы транслятором был создан объектный файл, из которого, в свою очередь, компоновщик создал выполняемый файл. Кроме того, компоновщик создаёт карту использования памяти (файл с расширением .map), которая может понадобиться для анализа компоновки программы, состоящей из нескольких объектных файлов.

Однако зачастую необходимо выполнить отладку исполняемого файла (трассировку, контроль получаемых данных). Для этих целей используется спе-

циальный отладчик Turbo Debugger version 3.1 Copyright © 1988,1992 by Borland International, Inc. Для его запуска необходимо ввести строку

TD.EXE X.EXE

Если выполнимый файл сформировался, то есть в тексте программы нет ошибок, то произойдёт запуск среды отладчика. Способ работы с данным отладчиком аналогичен способам работы с другими программными продуктами фирмы Borland, предназначенными для функционирования в среде DOS. Наиболее часто используемые команды:

F4 – выполнение программы до строки, отмеченной курсором; F5 – распахнуть активное окно;

F6 – смена фокуса активного окна;

F7 – пошаговое выполнение программы (трассировка).

F9 – выполнить программу полностью.

92

Вопросы к главе 3

1.Применение команд пересылок в МП i8086.

2.Какие виды адресации применяются в МП i8086?

3.Чему равна максимальная длина в МП i8086?

4.Применение команд условных переходов в МП i8086

5.Что определяют директивы DW, DB, DD, DQ, DT в МП i8086?

6.Как определяется быстродействие микропроцессора (МП)?

7.Принципы организации стека в МП системах

8.Что содержит указатель стека?

9.Что представляет регистр флагов МП?

10.На сегменты какой длины может быть разбито адресное пространство МП i8086?

11.Что представляет собой стек в памяти?

12.Чему равен объем адресного пространства в МП i8086?

13.По какому логическому адресу выбираются из сегмента кода команды

вМП i8086?

14.Что представляет собой оперативное запоминающее устройство в МП системах?

15.По какому логическому адресу сохраняются данные в стек?

16.Назначение регистров МП i8086.

17.Каким блоком обеспечивается взаимодействие МП с внешними устройствами системы?

18.Чему равна максимальная длина команды в МП i8086?

19.Для чего используется стековая область памяти в МП системах?

20.Назначение битов регистра флагов.

93

Глава 4

ПАМЯТЬ

В любой ЭВМ, вне зависимости от ее архитектуры, программы и данные хранятся в памяти. Функции памяти обеспечиваются запоминающими устройствами (ЗУ), предназначенными для фиксации, хранения и выдачи информации в процессе работы ЭВМ. Процесс фиксации информации в ЗУ называется записью, процесс выдачи информации – чтением или считыванием, а совместно их определяют как процессы обращения к ЗУ.

4.1. Характеристики систем памяти

Перечень основных характеристик, которые необходимо учитывать, рассматривая конкретный вид ЗУ, включает: место расположения, емкость, единицу пересылки, метод доступа, быстродействие, физический тип, физические особенности, стоимость.

По месту расположения ЗУ разделяют на процессорные, внутренние и внешние. Наиболее скоростные виды памяти обычно размещают на общем кристалле с центральным процессором (ЦП), а регистры общего назначения вообще считаются частью ЦП. Вторую группу (внутреннюю память) образуют ЗУ, расположенные на системной плате. К внутренней памяти относят основную память, а также кэш-память второго и последующих уровней (кэш-память второго уровня может также размещаться на кристалле процессора). Медленные ЗУ большой емкости (магнитные и оптические диски, магнитные ленты) называют внешней памятью, поскольку к ЭВМ они подключаются аналогично устройствам ввода/вывода.

Емкость ЗУ характеризуют числом битов либо байтов, которое может храниться в запоминающем устройстве. На практике применяются более крупные единицы, а для их обозначения к словам «бит» или «байт» добавляют при-

ставки: кило, мега, гига, тера, пета, экза (kilo, mega, giga, tera, peta, exa). В вы-

числительной технике, ориентированной на двоичную систему счисления, они

соответствуют значениям достаточно близким к стандартным, но представляющим собой целую степень числа 2, то есть 210, 220, 230, 240, 250, 260.

При оценке быстродействия необходимо учитывать применяемый в данном типе ЗУ метод доступа к данным. Различают четыре основных метода доступа.

Последовательный доступ. ЗУ с последовательным доступом ориентировано на хранение информации в виде последовательности блоков данных, называемых записями. Для доступа к нужному элементу (слову или байту) необходимо прочитать все предшествующие ему данные. Время доступа зависит от положения требуемой записи в последовательности записей на носителе информации и позиции элемента внутри данной записи. Примером может служить ЗУ на магнитной ленте.

Прямой доступ. Каждая запись имеет уникальный адрес, отражающий ее физическое размещение на носителе информации. Обращение осуществляется как адресный доступ к началу записи, с последующим последовательным дос-

94

тупом к определенной единице информации внутри записи. В результате время доступа к определенной позиции является величиной переменной. Такой режим характерен для магнитных дисков.

Произвольный доступ. Каждая ячейка памяти имеет уникальный физический адрес. Обращение к любой ячейке занимает одно и то же время и может производиться в произвольной очередности. Примером могут служить запоминающие устройства основной памяти.

Ассоциативный доступ. Этот вид доступа позволяет выполнять поиск ячеек, содержащих такую информацию, в которой значение отдельных битов совпадает с состоянием одноименных битов в заданном образце. Сравнение осуществляется параллельно для всех ячеек памяти, независимо от ее емкости. По ассоциативному принципу построены некоторые блоки кэш-памяти.

Говоря о физическом типе запоминающего устройства, необходимо упомянуть три наиболее распространенных технологии ЗУ – это полупроводнико-

вая память, память с магнитным носителем информации, и память с оптическим носителем.

В зависимости от примененной технологии следует учитывать и ряд физических особенностей ЗУ, например энергозависимость. В энергозависимой памяти информация может быть искажена или потеряна при отключении источника питания. В энергонезависимых ЗУ записанная информация сохраняется и при отключении питающего напряжения. Магнитная и оптическая память – энергонезависимы. Полупроводниковая память может быть как энергозависимой, так и нет, в зависимости от ее типа.

Стоимость ЗУ принято оценивать отношением общей стоимости ЗУ к его емкости в битах, то есть стоимостью хранения одного бита информации.

4.2. Иерархия запоминающих устройств

Если проанализировать используемые в настоящее время типы ЗУ, выявляется следующая закономерность:

чем меньше время доступа, тем выше стоимость хранения бита; чем больше емкость, тем ниже стоимость хранения бита, но больше время

доступа.

При создании системы памяти постоянно приходится решать задачу обеспечения требуемой емкости и высокого быстродействия за приемлемую цену. Наиболее распространенным подходом здесь является построение системы памяти ЭВМ по иерархическому принципу. Иерархическая память состоит из ЗУ различных типов (рис. 4.1), которые, в зависимости от характеристик, относят к определенному уровню иерархии. Более высокий уровень меньше по емкости, быстрее и имеет большую стоимость в пересчете на бит, чем более низкий уровень. Уровни иерархии взаимосвязаны: все данные на одном уровне могут быть также найдены на более низком уровне, и все данные на этом более низком уровне могут быть найдены на следующем нижележащем уровне и т. д.

95

процессор	Центральный
плата	Системная
	Система

Емкость \ время доступа

сотни байтов \ <10 нс

64-128 Кбайт \ 10-15 нс

256-512 Кбайт \ 15-30 нс

500 - 2000 Мбайт \ 20-40 мкс

20 - 400 Гбайт \ 8-10 мс

0,7 - 4 Гбайт \ >50 мс

неограниченная \ >1 с

Регистры

Кэш-память (L1)

Кэш-память (L2)

Основная память

Магнитные диски

Оптическая память

ЗУ на магнитной ленте

память внутрення

память внешняя

Рис. 4.1. Иерархия запоминающих устройств

Четыре верхних уровня иерархии образуют внутреннюю память ЭВМ, а все нижние уровни – это внешняя или вторичная память. По мере движения вниз по иерархической структуре:

уменьшается соотношение «стоимость/бит»; возрастает емкость; растет время доступа;

уменьшается частота обращения к памяти со стороны центрального процессора.

Самый быстрый, но и минимальный по емкости тип памяти – это внутренние регистры ЦП, которые иногда объединяют понятием сверхоперативное запоминающее устройство (СОЗУ). Как правило, количество регистров невелико, хотя в архитектурах с сокращенным набором команд их число может доходить до нескольких сотен. Основная память (ОП), значительно большей емкости, располагается несколькими уровнями ниже. Между регистрами ЦП и основной памятью часто размещают кэш-память, которая по емкости ощутимо проигрывает ОП, но существенно превосходит последнюю по быстродействию, уступая в то же время СОЗУ. В большинстве современных имеется несколько уровней кэш-памяти, которые обозначают буквой L и номером уровня кэшпамяти. На рис. 4.1 показаны два таких уровня. В последних разработках все чаще появляется также третий уровень кэш-памяти (L3), причем разработчики ЭВМ говорят о целесообразности ведения и четвертого уровня – L4. Каждый последующий уровень кэш-памяти имеет большую емкость, но одновременно и меньшее быстродействие по сравнению с предыдущим. Как бы то ни было, по «скорости» любой уровень кэш-памяти превосходит основную память. Все ви-

96

ды внутренней памяти реализуются на основе полупроводниковых технологий и, в основном, являются энергозависимыми.

Долговременное хранение больших объемов информации (программ и данных) обеспечивается внешними ЗУ, среди которых наиболее распространены запоминающие устройства на базе магнитных и оптических дисков, а также магнитоленточные ЗУ.

Наконец, еще один уровень иерархии может быть добавлен между основной памятью и дисками. Этот уровень носит название дисковой кэш-памяти и реализуется в виде самостоятельного ЗУ, включаемого в состав магнитного диска. Дисковая кэш-память существенно улучшает производительность при обмене информацией между дисками и основной памятью.

4.3. Основная память

Основная память (ОП) представляет собой единственный вид памяти, к которой процессор может обращаться непосредственно (исключение составляют лишь регистры процессор). Информация, хранящаяся на внешних ЗУ, становится доступной процессору только после того, как будет переписана в основную память. Основную память образуют запоминающие устройства с произвольным доступом. Такие ЗУ образованы как массив ячеек, а «произвольный доступ» означает, что обращение к любой ячейке занимает одно и то же время и может производиться в произвольной последовательности. Каждая ячейка содержит фиксированное число запоминающих элементов и имеет уникальный адрес, позволяющий различать ячейки при обращении к ним для выполнения операций записи и считывания.

Основная память может включать в себя два типа устройств: оперативные запоминающие устройства (ОЗУ) и постоянные запоминающие устройства

(ПЗУ)

4.3.1. Оперативные запоминающие устройства

Преимущественную долю основной памяти образует ОЗУ, называемое оперативным, потому что оно допускает как запись, так и считывание информации, причем обе операции выполняются однотипно, практически с одной и той же скоростью, и производятся с помощью электрических сигналов. В англоязычной литературе ОЗУ соответствует аббревиатура RAM – Random Access Memory, то есть «память с произвольным доступом». Для большинства типов полупроводниковых ОЗУ характерна энергозависимость, даже при кратковременном прерывании питания хранимая информация теряется. Микросхема ОЗУ должна быть постоянно подключена к источнику питания и поэтому может использоваться только как временная память.

Вторую группу полупроводниковых ЗУ основной памяти образуют энергонезависимые микросхемы ПЗУ (ROM – Read-Only Memory). ПЗУ обеспечивает считывание информации, но не допускает ее изменения.

Интегральные микросхемы (ИМС) памяти организованы в виде матрицы ячеек, каждая из которых, в зависимости от разрядности ИМС, состоит из одного или более запоминающих элементов (ЗЭ) и имеет свой адрес. Каждый ЗЭ способен хранить один бит информации. Для ЗЭ любой полупроводниковой

97

памяти характерны следующие свойства:

два стабильных состояния, представляющие двоичные 0 и 1; в ЗЭ (хотя бы однажды) может быть произведена запись информации, по-

средством перевода его в одно из двух возможных состояний; для определения текущего состояния ЗЭ его содержимое может быть счи-

тано.

При матричной организации ИМС памяти (рис. 4.2) реализуется координатный принцип адресации ячеек. Адрес ячейки, поступающий по шине адреса ЭВМ, пропускается через логику выбора, где он разделяется на две составляющие: адрес строки и адрес столбца. Адреса строки и столбца запоминаются соответственно в регистре адреса строки и регистре адреса столбца микросхемы. Регистры соединены каждый со своим дешифратором. Выходы дешифраторов образуют систему горизонтальных и вертикальных линий, к которым подсоединены запоминающие элементы матрицы, при этом каждый ЗЭ расположен на пересечении одной горизонтальной и одной вертикальной линии.

Рис. 4.2. Структура микросхемы памяти

ЗЭ, объединенные общим «горизонтальным» проводом, принято называть строкой (row). Запоминающие элементы, подключенные к общему «вертикальному» проводу, называют столбцом (column). Фактически «вертикальных» проводов в микросхеме должно быть, по крайней мере, вдвое больше, чем это требуется для адресации, поскольку к каждому ЗЭ необходимо подключить линию, по которой будет передаваться считанная и записываемая информация.

Совокупность запоминающих элементов и логических схем, связанных с выбором строк и столбцов, называют ядром микросхемы памяти. Помимо ядра в ИМС имеется еще интерфейсная логика, обеспечивающая взаимодействие ядра с внешним миром. В ее задачи, в частности, входят коммутация нужного

98

столбца на выход при считывании и на вход – при записи.

На физическую организацию ядра, как матрицы однобитовых ЗЭ, накладывается логическая организация памяти, под которой понимается разрядность микросхемы, то есть количество линий ввода/вывода. Разрядность микросхемы определяет количество ЗЭ, имеющих один и тот же адрес (такая совокупность запоминающих элементов называется ячейкой), то есть каждый столбец содержит столько разрядов, сколько есть линий ввода/вывода данных.

Вкачестве первого критерия, по которому можно классифицировать запоминающие устройства основной памяти, рассмотрим способ синхронизации. С этих позиций известные типы ЗУ подразделяются на синхронные и асинхронные.

Вмикросхемах, где реализован синхронный принцип, процессы чтения и записи (если это ОЗУ) выполняются одновременно с тактовыми сигналами контроллера памяти.

Асинхронный принцип предполагает, что момент начала очередного действия определяется только моментом завершения предшествующей операции. Перенося этот принцип на систему памяти, необходимо принимать во внимание, что контроллер памяти всегда работает синхронно. В асинхронных ЗУ цикл чтения начинается только при поступлении запроса от контроллера памяти, и если память не успевает выдать данные в текущем такте, контроллер может считать их только в следующем такте, поскольку очередной шаг контроллера начинается с приходом очередного тактового импульса. В последнее время асинхронная схема активно вытесняется синхронной.

Энергозависимые ОЗУ можно подразделить на две основные подгруппы:

динамическую память (DRAM – Dynamic Random Access Memory) и статическую память (SRAM – Static Random Access Memory).

Встатических ОЗУ запоминающий элемент может хранить записанную информацию неограниченно долго (при наличии питающего напряжения). Запоминающий элемент динамического ОЗУ способен хранить информацию только в течение достаточно короткого промежутка времени, после которого информацию нужно восстанавливать заново, иначе она будет потеряна. Динамические ЗУ, как и статические, энергозависимы.

Роль запоминающего элемента в статическом ОЗУ исполняет триггер. Такой триггер представляет собой схему с двумя устойчивыми состояниями.

Запоминающий элемент динамической памяти значительно проще. Он состоит из одного конденсатора и запирающего транзистора.

Наличие или отсутствие заряда в конденсаторе интерпретируется как 1 или 0 соответственно. Простота схемы позволяет достичь высокой плотности размещения ЗЭ и, в итоге, снизить стоимость. Главный недостаток подобной технологии связан с тем, что накапливаемый на конденсаторе заряд со временем теряется, поэтому заряд необходимо успеть восстановить в течение данного отрезка времени, иначе хранящаяся информация будет утеряна. Периодическое восстановление заряда ЗЭ называется регенерацией и осуществляется каждые 2- 8 мс.

Область применения статической и динамической памяти определяется

99