Федеральное агентство связи

ФГОБУ ВПО «Сибирский государственный университет

телекоммуникаций и информатики»

Уральский технический институт связи и информатики (филиал)

В.И. Паутов

Электроника

Методические указания по выполнению практических занятий

студентов очной формы обучения на базе среднего (полного) общего

образования по направлению 210700

«Инфокоммуникационные технологии и системы связи»

по профилям

«Сети связи и системы коммутации»

«Многоканальные телекоммуникационные системы»

«Цифровое телерадиовещание»

«Оптические системы и сети связи»

«Инфокоммуникационные технологии в сервисах и услугах связи»

направления 210400 « Радиотехника »

по профилю «Аудиовизуальная техника»

Екатеринбург

2012

ББК 32.852

УДК 621.382

Рецензент: доцент, к.т.н., Матвиенко В.А.

Паутов В.И.

Электроника: Методические указания по проведению практических

занятий / В.И. Паутов - Екатеринбург: УрТИСИ ФГОБУ ВПО «СибГУТИ»,

2012, - 46 с.

Методические указания включают указания к пяти практическим занятиям на тему: «Характеристики и параметры полупроводниковых диодов», «Характеристики и параметры биполярного транзистора», «Характеристики и параметры полевого транзистора с управляющим p-n-переходом», «Статический режим работы биполярного транзистора», «Логические элементы цифровых микросхем» и предназначены для студентов всех форм обучения направления 210700 – «Инфокоммуникационные технологии и системы связи».

Практические занятия проходят с применением моделирующего пакета Electronics Workbench.

Рекомендовано НМС УрТИСИ ФГОБУ ВПО «СибГУТИ» в качестве пособия для проведения практических занятий по направлению 210700 «Инфокоммуникационные технологии и системы связи» по профилям: «Сети связи и системы коммутации», «Многоканальные телекоммуникационные системы», «Цифровое телерадиовещание», «Оптические системы и сети связи», «Инфокоммуникационные технологии в сервисах и услугах связи».

Кафедра общепрофессиональных дисциплин

©УрТИСИ ФГОБУ ВПО «СибГУТИ», 2012

Содержание

Пояснительная записка . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4

1. Практическое занятие 1. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 5

1.1 Характеристики и параметры полупроводниковых диодов . . 5

2. Практическое занятие 2 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14

2.1 Характеристики и параметры биполярного транзистора . . . . 14

3. Практическое занятие 3 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22

3.1 Характеристики и параметры полевого транзистора

с управляющим p-n-переходом . . . .. . . . . 22

4. Практическое занятие 4 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30

4.1 Статический режим работы биполярного транзистора. . .. . . . 30

5. Практическое занятие 5 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37

5.1 Логические элементы цифровых микросхем . . . .. . . . . . . . . . . . 37

Библиографический список . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 46

3