Мати - ргту
имени К.Э.Циолковского
Кафедра
"НАУКОЕМКИЕ ТЕХНОЛОГИИ РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ"
ИССЛЕДОВАНИЕ БАРЬЕРНОЙ И ДИФФУЗИОННОЙ ЕМКОСТЕЙ
р – n ПЕРЕХОДА
МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ К ЛАБОРАОРНОЙ РАБОТЕ
ПО КУРСУ "Физические основы микроэлектроники"
МОСКВА 2002
МАТИ - РГТУ
имени К.Э.Циолковского
Кафедра
"НАУКОЕМКИЕ ТЕХНОЛОГИИ РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ"
УТВЕРЖДЕНО
методической комиссией кафедры
"____" _________________ 2002 г.
ИССЛЕДОВАНИЕ БАРЬЕРНОЙ И ДИФФУЗИОННОЙ ЕМКОСТЕЙ
р – n ПЕРЕХОДА
МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ К ЛАБОРАТОРНОЙ РАБОТЕ
ПО КУРСУ "Физические основы микроэлектроники"
Автор
доц., к.т.н. Шадский В.А.
МОСКВА 2002
Аннотация
В указаниях дана методика расчета основных параметров р-n перехода. Исходными данными для лабораторной работы являются материал исходного полупроводника, материалы легирующих примесей.
Содержание: выбор материала легирующей примеси и ее концентрации, расчет концентраций основных и неосновных носителей заряда, расчет контактной разности потенциалов, ширины ОПЗ, определение барьерной и диффузионной емкостей р-n перехода и построение ВФХ .
Для студентов кафедры "Наукоемкие технологии радиоэлектроники", обучающихся по дисциплине "Физические основы микроэлектроники".
Листов - 11 , рисунков - 3.
Содержание
стр.
|
Введение........................................................................ |
4 |
1. |
Цель работы.................................................................. |
4 |
2. |
Краткие теоретические сведения................................ |
4 |
3. |
Задание по работе......................................................... |
9 |
4. |
Содержание отчета по работе..................................... |
10 |
5. |
Контрольные вопросы................................................. |
10 |
6. 7. |
Литература.................................................................... Приложение …………………………………………. |
10 11
|