Отчет по ЛР "Исследование статических характеристик биполярного транзистора"
.docxМИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РФ
Томский университет систем управления и радиоэлектроники
Кафедра Физической Электроники
Исследование статических характеристик биполярного транзистора
ОТЧЕТ
Лабораторная работа №5
Проверил: профессор, Выполнили: студенты гр.362-2
доктор тех. наук
Троян П Е Ли Д
Муракаева К
Камынин М
Грицак А
2014
1.Цели работы
Ознакомление с принципом работы биполярного транзистора и исследование его статических характеристик в схеме с общей базой и общим эмиттером.
2. Экспериментальная установка
Принципиальная схема измерительной установки показана на рисунке 2.1. Схема позволяет статические входные и выходные характеристики транзистора в схемах с общей базой и общим эмиттером. Входное напряжение от источника питания Е1 через делитель R1 и переключатель S1-S5 подается на вход транзистора эмиттер-база. При положении S1-S5 в точке 1 транзистор включается в схему с общей базой, в точке 2- в схему с общим эмиттером. Выходная (коллекторная) цепь питается от источника через делитель R2.
3. Основные расчетные формулы
(3.1)
где Ik=Ipk+Ink Iэ=Ipэ+Inэ
(3.2)
4. Результаты работы и их анализ
Сняты статические характеристики биполярного транзистора с общей базой и общим эмиттером. Результаты зафиксированы в таблицах.
Таблица 4.1 - зависимость тока эмиттера от напряжения между эмиттером и базой, при постоянном напряжении на коллекторе в схеме с общей базой.
Iэ,mA |
UэБ,B |
Uk, B |
|
Iэ,m |
UэБ,B |
Uk, B |
0 |
0 |
0 |
|
0 |
0 |
20 |
0,25 |
0,126 |
|
|
0,25 |
0,068 |
|
0,5 |
0,155 |
|
0,5 |
0,097 |
||
0,75 |
0,173 |
|
0,75 |
0,114 |
||
1 |
0,189 |
|
1 |
0,128 |
||
1,25 |
0,199 |
|
1,25 |
0,137 |
||
1,5 |
0,208 |
|
1,5 |
0,143 |
||
1,75 |
0,216 |
|
1,75 |
0,148 |
||
2 |
0,224 |
|
2 |
0,151 |
График 4.1 - зависимость тока эмиттера от напряжения между эмиттером и базой, при постоянном напряжении на коллекторе
Таблица 4.2 -зависимость тока коллектора от напряжения между коллектором и базой, при постоянном токе эмиттера в схеме с общей базой.
Ik,mA |
UkБ,B |
Iэ,mA |
|
Ik,mA |
UkБ,B |
Iэ,mA |
|
Ik,mA |
UkБ,B |
Iэ,mA |
0,35 |
25 |
0,5 |
|
0,69 |
25 |
1 |
|
1,05 |
25 |
1,5 |
0,31 |
0 |
|
|
0,65 |
0 |
|
|
1 |
0 |
|
0,23 |
-0,103 |
|
0,53 |
-0,103 |
|
0,91 |
-0,1 |
|||
0 |
-0,15 |
|
0,4 |
-0,13 |
|
0,5 |
-0,162 |
|||
|
|
|
|
0 |
- 0,179 |
|
0 |
-0,2 |
График 4.2 - зависимость тока коллектора от напряжения между коллектором и базой при постоянном токе эмиттера
Таблица 4.3 - зависимость тока базы от напряжения между эмиттером и базой, при постоянном напряжении на коллекторе в схеме с общим эммитером.
Ib, mkA |
Ube, B |
Uk=0 |
|
Ib, mkA |
Ube, B |
Uk=5 |
0 |
0 |
0 |
|
0 |
0 |
20 |
25 |
0,087 |
|
|
25 |
0,111 |
|
50 |
0,106 |
|
50 |
0,158 |
||
75 |
0,116 |
|
75 |
0,172 |
||
100 |
0,126 |
|
100 |
0,182 |
||
125 |
0,133 |
|
125 |
0,19 |
||
150 |
0,138 |
|
150 |
0,193 |
||
175 |
0,143 |
|
175 |
0,195 |
||
200 |
0,148 |
|
200 |
0,198 |
График 4.3 - зависимость тока базы от напряжения между эмиттером и базой при постоянном напряжении на коллекторе.
Таблица 4.4 - зависимость тока коллектора от напряжения между коллектором и эмиттером, при постоянном токе базы в схеме с общим эммитером.
ik,mA |
Uek,B |
Ib, mkA |
|
ik,mA |
Uek,B |
Ib,mkA |
|
ik,mA |
Uek,B |
Ib, mkA |
0 |
0 |
20 |
|
0 |
0 |
40 |
|
0 |
0 |
50 |
0,9 |
1 |
|
|
1,52 |
0,5 |
|
|
1,81 |
0,5 |
|
1 |
2,5 |
|
1,59 |
1 |
|
1,9 |
1 |
|||
1,01 |
5 |
|
1,6 |
1,5 |
|
1,91 |
1,5 |
|||
1,09 |
7,5 |
|
1,65 |
2,5 |
|
1,92 |
2 |
|||
1,1 |
10 |
|
1,75 |
5 |
|
1,97 |
2,5 |
|||
1,15 |
12,5 |
|
1,85 |
7,5 |
|
2 |
3 |
|||
1,2 |
15 |
|
1,95 |
10 |
|
|
|
График 4.4 - зависимость тока коллектора от напряжения между эмиттером и коллектором, при постоянном токе базы.
Из графика 4.2 определим α-коэффициент передачи тока эмиттера в схеме с общей базой:
α = =0,68
Из графика 4.4 определим В- коэффициент передачи тока базы в схеме с общим эмиттером:
β = =0,0355
В результате данной работы было проведено исследование статических характеристик биполярного транзистора, построены выходные вольт-амперные характеристики транзистора с общей базой и эмиттером, по этим ВАХ были определены коэффициенты передачи тока.