Отчет по ЛР "Исследование статических характеристик биполярного транзистора"

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РФ

Томский университет систем управления и радиоэлектроники

Кафедра Физической Электроники

Исследование статических характеристик биполярного транзистора

ОТЧЕТ

Лабораторная работа №5

Проверил: профессор, Выполнили: студенты гр.362-2

доктор тех. наук

Троян П Е Ли Д

Муракаева К

Камынин М

Грицак А

2014

1.Цели работы

Ознакомление с принципом работы биполярного транзистора и исследование его статических характеристик в схеме с общей базой и общим эмиттером.

2. Экспериментальная установка

Принципиальная схема измерительной установки показана на рисунке 2.1. Схема позволяет статические входные и выходные характеристики транзистора в схемах с общей базой и общим эмиттером. Входное напряжение от источника питания Е1 через делитель R1 и переключатель S1-S5 подается на вход транзистора эмиттер-база. При положении S1-S5 в точке 1 транзистор включается в схему с общей базой, в точке 2- в схему с общим эмиттером. Выходная (коллекторная) цепь питается от источника через делитель R2.

3. Основные расчетные формулы

(3.1)

где I_k=I_pk+I_nk I_э=I_pэ+I_nэ

(3.2)

4. Результаты работы и их анализ

Сняты статические характеристики биполярного транзистора с общей базой и общим эмиттером. Результаты зафиксированы в таблицах.

Таблица 4.1 - зависимость тока эмиттера от напряжения между эмиттером и базой, при постоянном напряжении на коллекторе в схеме с общей базой.

Iэ,mA	UэБ,B	Uk, B		Iэ,m	UэБ,B	Uk, B
0	0	0		0	0	20
0,25	0,126			0,25	0,068
0,5	0,155			0,5	0,097
0,75	0,173			0,75	0,114
1	0,189			1	0,128
1,25	0,199			1,25	0,137
1,5	0,208			1,5	0,143
1,75	0,216			1,75	0,148
2	0,224			2	0,151

График 4.1 - зависимость тока эмиттера от напряжения между эмиттером и базой, при постоянном напряжении на коллекторе

Таблица 4.2 -зависимость тока коллектора от напряжения между коллектором и базой, при постоянном токе эмиттера в схеме с общей базой.

Ik,mA	UkБ,B	Iэ,mA		Ik,mA	UkБ,B	Iэ,mA		Ik,mA	UkБ,B	Iэ,mA
0,35	25	0,5		0,69	25	1		1,05	25	1,5
0,31	0			0,65	0			1	0
0,23	-0,103			0,53	-0,103			0,91	-0,1
0	-0,15			0,4	-0,13			0,5	-0,162
				0	- 0,179			0	-0,2

График 4.2 - зависимость тока коллектора от напряжения между коллектором и базой при постоянном токе эмиттера

Таблица 4.3 - зависимость тока базы от напряжения между эмиттером и базой, при постоянном напряжении на коллекторе в схеме с общим эммитером.

Ib, mkA	Ube, B	Uk=0		Ib, mkA	Ube, B	Uk=5
0	0	0		0	0	20
25	0,087			25	0,111
50	0,106			50	0,158
75	0,116			75	0,172
100	0,126			100	0,182
125	0,133			125	0,19
150	0,138			150	0,193
175	0,143			175	0,195
200	0,148			200	0,198

График 4.3 - зависимость тока базы от напряжения между эмиттером и базой при постоянном напряжении на коллекторе.

Таблица 4.4 - зависимость тока коллектора от напряжения между коллектором и эмиттером, при постоянном токе базы в схеме с общим эммитером.

ik,mA	Uek,B	Ib, mkA		ik,mA	Uek,B	Ib,mkA		ik,mA	Uek,B	Ib, mkA
0	0	20		0	0	40		0	0	50
0,9	1			1,52	0,5			1,81	0,5
1	2,5			1,59	1			1,9	1
1,01	5			1,6	1,5			1,91	1,5
1,09	7,5			1,65	2,5			1,92	2
1,1	10			1,75	5			1,97	2,5
1,15	12,5			1,85	7,5			2	3
1,2	15			1,95	10

График 4.4 - зависимость тока коллектора от напряжения между эмиттером и коллектором, при постоянном токе базы.

Из графика 4.2 определим α-коэффициент передачи тока эмиттера в схеме с общей базой:

α = =0,68

Из графика 4.4 определим В- коэффициент передачи тока базы в схеме с общим эмиттером:

β = =0,0355

В результате данной работы было проведено исследование статических характеристик биполярного транзистора, построены выходные вольт-амперные характеристики транзистора с общей базой и эмиттером, по этим ВАХ были определены коэффициенты передачи тока.