Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Калин Физическое материаловедение Том 3 2008.pdf
Скачиваний:
1326
Добавлен:
16.08.2013
Размер:
31.94 Mб
Скачать

ОСНОВНЫЕ УСЛОВНЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ И СОКРАЩЕНИЯ

a –параметр решетки

a1, a2, a3 – базисные векторы прямой решетки

a1, a2, a3 – длины соответствующих трансляций

a, b, c – параметры решетки

a, b, c – параметры элементарной ячейки

A, B, C, I, F, P, R – тип решетки Бравэ A – матрица поворота

A – относительная атомная масса; яркость источника

Aср – средняя относительная масса сплава

Aa – амплитуда рассеянной атомом волны

Ae – амплитуда рассеянной электроном волны

An, BnB , Cn – коэффициенты разложения в ряд Фурье

Anд , Anи – коэффициенты разложения

в ряд Фурье, связанные с мелкодисперсностью, микронапряжениями A(h) – амплитуда рассеянного рентге-

новского излучения

A(μ, θ) – множитель поглощения

b – интегральная полуширина эталона b – вектор Бюргерса

b1, b2, b3 – базисные векторы обратной решетки

bн – амплитуда ядерного рассеяния нейтронов

bэ – абсолютная амплитуда рассеяния рентгеновских лучей электроном

bнм – амплитуда магнитного рассеяния нейтронов

B– интегральная полуширина образца; спектральная яркость; магнитная индукция; яркость свечения

B – вектор магнитной индукции

с– атомная доля; параметр решетки; скорость света

cυ – концентрация вакансий

C – концентрация; постоянная прибора; электрическая емкость

C1, C2, C3, C4, C6 – поворотные оси симметрии

Спр – пороговая концентрация химического элемента в матрице

Cсф, Схр – коэффициенты сферической, хроматической аберрации

Ca – эффективная толщина Cd – концентрация дефектов

Ci – концентрация примеси в матрице; концентрация химического элемента в матрице при облучении монохроматическим пучком

Cλ – концентрация химического элемента в матрице при облучении немонохроматическим пучком

Cij – упругие константы жесткости d – период трансляции

dhkl – межплоскостное расстояние

d* – межплоскостное расстояние в обратной решетке

D – диаметр апертурной диафрагмы; доза облучения; коэффициент диффузии; оптическая плотность; плотность почернения; разность хода лучей

D – средний размер блока когерентного рассеяния

Dhkl – размер кристалла в направлении нормали к отражающей плоскости

(hkl)

Dγ мощность дозы облучения e –заряд электрона

e-pэлектронно-позитронная пара

E– энергия; энергия кванта, заряженных частиц, электрона; модуль Юнга; напряженность электрического поля

E0 – энергия налетающей частицы; энергия перехода свободного ядра из возбужденного состояния в основное

9

Ea – энергия оже-электронов Ed –энергия смещения атома

Et – пороговая энергия распыления Ev – энергия образования вакансии Ei+ – энергия распыленного иона

<E> – средняя энергия заряженных частиц

Е – вектор напряженности электрического поля

E0 – электрический вектор плоской поляризованной волны

E, E– амплитуда электрического вектора рассеянного электроном излучения в плоскости рассеяния, перпендикулярно плоскости рассеяния

Eв – энергия пика вылета

Eду – энергия дефекта упаковки

Eобр – средняя энергия образования носителей заряда

Ehkl – модуль Юнга вдоль направления

[hkl]

Em – энергия возбуждения фононов ER энергия отдачи

Eσ, Eπ – компоненты электрического вектора

E(Kα) – энергия характеристического кванта

f– вероятность резонансного испускания γ-кванта; фокусное расстояние

f-вероятность резонансного поглощения

f(S) – атомная функциярассеяния f, f0 – атомнаяамплитуда рассеяния f ', f '' – дисперсионные поправки

fз – объемная плотность зерен серебра в проявленной фотоэмульсии

fэ – амплитуда рассеяния электронов fγ – амплитуда рассеяния мессбауэров-

ских γ-квантов

f R – амплитуда рэлеевского рассеяния мессбауэровских γ-квантов на электронах

f N – амплитуда резонансного рассеяния мессбауэровских γ-квантов на ядрах

f 2 – атомный множитель

f(E) = dN/dE – форма энергетического распределения заряженных частиц в пучке

F – сила; эффективный заряд атома Fл – сила Лоренца

Fц – центростремительная сила Fq – энерговыделение в слое FHKL – структурная амплитуда

F(xs) – плотность распределения источников ионизирующих излучений F(t), G(t), H(t) – коэффициенты разло-

жения в ряд Фурье

F(H) – трансформанта Фурье элементарной ячейки

|F(H)|2 – структурный множитель

F HKL – единичная структурная ам-

плитуда Ф – плотность потока активирующего

излучения Ф0(Е) – спектральное распределение

активирующего излучения

Ф(Eγ ) – плотность потока фотонов и с энергией Еγ

Φ(S) – амплитуда рассеянного излучения

g– коэффициент вторичной экстинкции

gI ядерный g-фактор для уровня со спином I

g – вектор обратной решетки в физике твердого тела

g(φ, θ, ψ) – ориентационная матрица G – метрическая матрица

G – инструментальная функция; модуль сдвига

h, ħ – постоянная Планка (hkl) – индексы плоскости

{hkl} – кристаллографические индексы системы плоскостей

h1, h2, h3 – координаты вектора рассеяния в обратном пространстве

HKL – индексы интерференции H – экспозиция

Hhkl – вектор обратной решетки i – сила тока; ионизационныйток

10

i0, i – интенсивность пучка света первичного, прошедшего через пленку

i, j, k – орты системы координат I спиновое квантовое число

Ι0, Ι1 – модифицированная функция Бесселя 1-го рода нулевого и первого порядка от действительного аргумента

I – интегральная интенсивность; интенсивность излучения; период идентичности; ослабленный первичный пучок; электрический ток

Iа, Iм – интенсивность линии анализируемого, мешающего элемента,

Iког, Iнек – интенсивность когерентного, некогерентного рассеяния

Iмакс(S) – интенсивность рассеяния кристаллом в главном максимуме

Iн – интенсивность непрерывного спектра

Iп – ток пучка

Iр – интенсивность рассеянного излучения

Iрπ, Iрσ – интенсивность рассеянного излучения в плоскости рассеяния, перпендикулярно плоскости рассеяния

Iсв, Iстр – интенсивность сверхструктурной, структурной линии

Iэл(2θ) – интенсивность рассеяния электроном на единичном расстоянии

Iх – интенсивность характеристического спектра

Iв – спин ядра в возбужденном состоянии

Ii – электрический ток ионов

Iα – интенсивность спектральной линии

Iλ, Iν – интенсивность излучения по длинам волн, по частотам

I[mnp] – период идентичности

I(h1h2h3) – интенсивность отражения от кристалла

j – квантовое число; плотность пучка jа – плотность тока анода

J – векторы углового момента (момента количества движения ядра)

k0, k – волновые векторы первичного и рассеянного излучений

k– волновое число; кинематический фактор

k – постоянная Больцмана кн сдвиг Найта

kф – относительный уровень фона

K – вектор рассеяния в физике твердого тела

KA, KBB – системы координат образца, кристалла

K, L, M, N – серии линий

Kα, Kβ – линии K-спектра

Kотн – относительный коэффициент ионизации

K± – коэффициент ионизации

l – порядок отражения; средняя длина свободного пробега

L – длина пути; пройденный частицей путь; размер области когерентного рассеяния; расстояние от объекта до экрана

<L> – средняя глубина проникновения позитрона

L(S) – интерференционная функция Лауэ

L(θ) – множитель Лоренца

m– квантовое число; масса; плоскость зеркального отражения; проекция спина на ось

me – масса электрона

m0 – масса покоя электрона

mM – количество вещества в молях [mnp] – кристаллографические индек-

сы направления

<mnp> – кристаллографические индексы направлений определенного типа M – масса атома, молекулы, элементарной ячейки; множитель Дебая–

Валлера; увеличение

M – вектор суммарного магнитного момента образца

Mi – атомная масса иона

Mhkl – множитель повторяемости

11

n – номер слоевой линии; показатель преломления среды; порядок отражения; разность числа ядер на верхнем и нижнем уровнях; скорость счета; число атомов в единице объема; число атомов (частиц) в элементарной ячейке

nд, nф – интенсивность дифрагированного излучения, фона

no – число нейтральных атомов ne – число электронов

ni+ – число однократно ионизованных атомов (ионов)

n – единичный вектор

n, l, ml – главные, орбитальные и магнитные квантовые числа

Na – число исходных атомов

Nb – число атомов продукта реакции N – среднее число ячеек в блоке; число атомов в кристалле; число зерен металлического серебра; число импульсов; число носителей; число

центров проявления NА – число Авогадро No – число атомов в 1 см3

N1, N2, N3 – число атомов по главным кристаллографическим направлениям

N3 – среднее число ячеек в колонне

N – среднее число носителей

Nn – среднее число пар ячеек имеющих n-х соседей в той же колонне

N-, N+ – число ядер на верхнем, нижнем уровнях

N– число импульсов в отсутствии резонанса

N0 – число импульсов в максимуме резонанса

Nф – фоновое число импульсов

Np(θ) – вклад от электронов проводимости

Ng(θ) – вклад от электронов ионного остова

N – нормалькповерхностиобразца O – непрозрачность

p – вероятность; давление остаточных

газов; импульс; числоатомных слоев; p1, p2 – доля позитронов, аннигилирующих в бездефектной или в де-

фектной части кристалла

pст, pфаз – объемные доли стандарта, фазы

pi – доля колонн длиной в i ячеек

P – давление; первеанс пучка заряженных частиц

P(u) – функция Паттерсона

P(2θ) – поляризационный множитель P2θ – мощность рассеяния на единицу

длины дифракционной линии Phkl – полюсная плотность

q – отражательная способность одной атомной плоскости

eq – градиент электрического поля

Q – измеренное число падающих частиц; коэффициент взаимной индукции; отражательная способность единицы объема кристалла; тепло; удельная отражательная способность кристалла

QD – полное число зарегистрированных частиц

[Q] – абсолютное значение энергии реакции

eQ – квадрупольный момент ядра

r – радиус сферы; радиус траектории движения заряженной частицы; число определяемых параметров

rф – радиус сферы фокусировки

rl – радиус-вектор узла или атома в элементарной ячейке

r0 – классический радиус электрона

R – постоянная Ридберга; радиус изгиба кристалла; радиус кристалла сферической формы; разрешение; расстояние от кристалла до дифракционной картины; фактор расходимости; электрическое сопротивление

Rг – радиус гониометра

Rк – радиус дифракционного кольца Rп – радиус сферического пояса Rэфф – эффективный радиуспленки Ra – шероховатость поверхности

12

Rp – проективный пробег ионов Rs – средний пробег электронов

R(u,ϕ) – матрица поворота на угол φ вокруг оси u

s – выборочное среднеквадратичное отклонение; спиновое число; стандартное отклонение

s1(hkl), s2(hkl) – рентгеновские упругие постоянные

s0, s1 – единичные вектора вдоль нормали к фронту волны первичного, рассеянного излучений

sn сечение упругого рассеяния sij – податливость

S – площадь; полный коэффициент распыления

S – вектор рассеяния

S − матрица коэффициентов податливости

Sm – средний коэффициент распыления Sp – коэффициент распыления мате-

риала

Spi – коэффициент распыления i-й компоненты сплава

Sv – энтропия образования вакансии Sijkl – упругие константы податливости

t– время; время облучения, экспозиция

T – температура тела; время Тпл – температура плавления

Tm – абсолютная температура замедлителя

Ts, Ta – температура источника и поглотителя

T1 – время спин-решеточной релаксации

T12– время спин-спиновой релаксации u – смещение

u, v, w – индексы направления u*1 – вектор-столбец

U – ориентационная матрица

U– ускоряющее напряжение; разность потенциалов

U0 – потенциал возбуждения

U0K – потенциал возбуждения K серии Uo – энергия сублимации

Uопт – оптимальное рабочее напряжение

U(x1, x2, x3) – потенциал электрического поля в точке x1, x2, x3

U(r) – радиальная электронная плотность

υ – скорость движения заряженных частиц; скорость относительного перемещения источника и поглотителя; скорость релятивистских электронов

υs – скорость распыления поверхности υF – скорость электронов на поверхно-

сти Ферми

υH – линейная скорость узла обратной решетки

Vяч, Vяч – объемы прямой и обратной

ячеек V – объем

V0 – объем кристалла

w – массовая доля; полуширина кривой распределения; фактор ДебаяВаллера

w(E) - распределение испускаемых фотонов

W – мощность излучения; работа деформации

Wр – мощность излучения рентгеновского спектра

Wэ – экспериментально наблюдаемая вероятность аннигиляции со свободными электронами; электрическая мощность

We – полная энергия ядра в веществе Wσ, Wπ – компоненты мощности излу-

чения

Wрэ – мощность рассеяния электроном W(a0) – функция максимально правдоподобной оценки периода решетки

X, Y, Z – оси системы координат Х1Х2Х3 – системакоординатобразца Y - выход ядерной реакции

Z – число электронов на молекулу; атомный номер

Zм – атомный номер мешающего элемента

13

Zф – атомный номер фильтра

Γ - ширина линии на полувысоте Γγ – радиационная ширина Γα – ширина перехода с электроном

конверсии Γ – естественная ширина линии

– детерминант якобиана 1/2 – слой половинного ослабления

E – квадрупольное расщепление; энергетическая полуширина линии hj – полуширина главного максимума интерференционной функции Δλ – полуширина линии в длинах волн Δφ – разность фаз

d/d› – средняя относительная деформация

E/E – энергетическое разрешение Hд(2θ), Hи(2θ) – размытие узлов обратной решетки из-за мелкодисперсности, микродеформаций

U – энергия остаточных напряжений Δλ/λ – относительное спектральное

разрешение

V – характерный объем пучка заряженных частиц

V* – объем узла обратной решетки Δρ – угол рассеяния текстуры Λ(x) – функция треугольника

α, β, γ – спектральные линии; углы между осями элементарной ячейки

α– параметр ближнего порядка; поляризуемость молекулы; угол поворота электрона; экспериментальный интервал разложения

α± – степень ионизации

β– интегральная полуширина физического уширения; полуширина кривой отражения

δc – смещение центра тяжести δij – символ Кронекера

γ – гиромагнитное отношение; коэффициент контрастности пленки; ло- ренц-фактор электрона; угол расходимости излучения

δ– отклонение от единицы показателя преломления для рентгеновских лу-

чей; коэффициент эмиссии истинно вторичных электронов; химический (изомерный ) сдвиг

δ(x) – δ-функция Дирака

ε– диэлектрическая постоянная среды; коэффициент поглощения; относительная деформация; приведенная энергия; эффективность регистрации

εсв – энергия связи нейтрона с ядром ε – тензор деформации

εkl – компоненты тензора деформации εφψ – деформация в направлении, заданном сферическими углами φ и ψ <εϕψ> – деформация, усредненная по

глубине

εN – относительная погрешность

η– показатель преломления; энергетическое разрешение

θ – апертурный угол; коэффициент изотопного разбавления; угол Вуль- фа–Брэгга; угол скольжения для падающих лучей

θ' – угол скольжения для преломленных лучей

θC – угол полного внешнего отражения θD – температура Дебая

λ – длина волны λ0 – коротковолновая граница

λ' – длина волны после преломления λa – глубинавыхода оже-электронов λэф – эффективная длина волны

λm – длина волны, отвечающая максимуму излучения,

λK – длина волны K-скачка поглощения

Λ+ - длина диффузионного пути μ – магнитный момент ядра

μe - магнитный момент электрона

μ– коэффициент поглощения; линейный коэффициент ослабления; приведенная масса частиц; электрохи-

мический потенциал

μa – атомный коэффициент ослабления μd – константа захвата или

удельная скорость захвата позитрона

14

μm – массовый коэффициент ослабления

υ– частота в Гц ν – частота; коэффициент Пуассона

ν0 – собственная частота колебаний электрона

νn – угол

νs – частота колебаний электрона отдачи

νK – частота края K-скачка поглощения ξ – волновой вектор; экстинкционная

длина

ξн, ξр, ξg – экстинкционная длина для нейтронов, рентгеновских лучей, электронов

ρ– интегральный коэффициент отражения; плотность; плотность дислокаций

ρ(r) – электронная плотность

ρ(r) – вероятность нахождения электрона; плотность рассеивающей материи

ρяч(r) – электронная плотность элементарной ячейки

ρа(rj) – электронная плотность атомов, входящих в базис структуры

ρкр(r) – электронная плотность ограниченного кристалла

ρ(r) – электронная плотность неограниченного кристалла

σ–коэффициент эмиссии вторичных электронов; параметр дальнего порядка; постоянная экранирования; сечение взаимодействия; сечение рассеяния квантов

σ– тензор напряжений

σij – компоненты тензора напряжений σк, σнк – линейный коэффициент когерентного, некогерентного рассеяния σэ – эффективное сечения рассеяния рентгеновских лучей электроном

σm – массовый коэффициент рассеяния рентгеновских лучей атомом

σN – абсолютная погрешность

σ0 максимальное резонансное сечение

σ(Е) – функция возбуждения ядерной реакции

σI, σII, σIII – макронапряжения, микронапряжения, статические искажения

σ2 – дисперсияσ3 − среднее по глубине значение σ3

τ– время жизни возбужденного состояния; коэффициент неупругого отражения первичных электронов; постоянная времени; эффективное время жизни

τа, τm – атомный, массовый коэффициент фотоэлектрического (истинного атомного) поглощения

τp, τd – время жизни позитронов в бездефектной, дефектной области кристалла

ϕ– азимутальный угол; работа выхода; работа выхода электрона

ϕ+ – работа выхода иона

φ(r) – распределение электрического потенциала

ϕ, θ, ψ – эйлеровские углы χ – кратность единичного заряда

χ(k) – осциллирующая часть χ(E) χ(r) – амплитуда рассеяннойволны ψ – расходимость пучка ψ0 – угол прецессии

ω – угловая скорость вращения ωA – доляузлов, занятаяатомомB

ωф – вероятность флуоресцентного выхода

Ω – телесный угол захвата æ – относительная доля резонансных

фотонов в спектре гамма-излучения (+n, –n) –схема двухкристального спек-

трометра

Ш(r) – решеточная функция Дирака АИМ – автоионная микроскопия АРГ – авторадиография

АСТМ – атомно-силовой сканирующий туннельный микроскоп

АЭМ – аналитическая электронная микроскопия

АЭП – автоэлектронный проектор

15

БСВ – безопасная рентгеновская трубка для структурного анализа с водяным охлаждением

ВИМС – вторичная ионная массспектроскопия

ВСК – вращающаяся система координат

ВЭУ – вторичный электронный умножитель

ДМЭ – дифракция медленных электронов

ГПУ – гексагональная плотноупакованная структура

ГЦК – гранецентрированная кубическая решетка (структура)

з. ч. – заряженные частицы ИИ – источник ионов

ЛСК – лабораторная система координат

МКП – микроканальная пластинка МТПС – многослойные тонкопленоч-

ные структуры НН – направление нормали к плоско-

сти прокатки НП – направление прокатки

ОКЭ – обратный комптон-эффект ОПФ – обратная полюсная фигура ОЦК – объемно-центрированная кубиче-

ская(решетка, структура)

ОЭС – оже-электронная спектроскопия ПН – поперечное направление прокат-

ки

ПЗС-матрица, CCD – полупроводниковый прибор с зарядовой связью

ППФ – прямая полюсная фигура ПРЭМ – просвечивающая растровая

электронная микроскопия ПЭМ – просвечивающая электронная

микроскопия РМА– рентгеновскиймикроанализ

РОР – резерфордовское обратное рассеяние

РСА – рентгеноспектральный анализ РФА – рентгеновский фазовый анализ РФС – рентгеновская флуоресцентная

спектроскопия

РФЭС – рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия

РЭМ – растровая электронная микроскопия

СИ – синхротронное излучение; система единиц измерения

СТМ – сканирующий туннельный микроскоп

Φ – множитель Фано

Фi – доза облучения ионами

ФРО – функция распределения ориентаций

ФРСА – флуоресцентный рентгеноспектральный анализ

ФЭУ – фотоэлектронный умножитель Ш(x) – решеточная функция

Ш(S) – трехмерная решеточная функция

ЯГР – ядерный гамма-резонанс ЯМР – ядерный магнитный резонанс

EXAFS – дальняя (протяженная) тонкая структура спектра поглощения IP – детектор на пластинах с оптической памятью; пластина изображе-

ния

IS – изомерный сдвиг

HEED – дифракция быстрых электронов

HPS – горизонтальные щели Соллера LEED – дифракция медленных элек-

тронов

LRM – метод отношения правдоподобия

RHEED – метод обратно рассеянных электронов

RU – трубкас вращающимсяанодом SEXAFS – поверхностная EXAFS QS – квадрупольное расщепление

TOF – дифрактометр – времяпролетный дифрактометр

VPS – вертикальные щелиСоллера XANES – тонкая структура вблизи

края поглощения

FWHM – полуширина линии

16

Предисловие к тому 3

Том 3 содержит учебный материал по методам исследования струк- турно-фазового состояния материалов. Учебный материал изложен в главах «Дифракционные методы исследования материалов», «Электронные и ионные методы исследования материалов» и «Ядерно-физические методы исследования материалов». В целом в указанных главах описаны физические основы, аппаратура и применение основных современных методов исследования структурно-фазового состояния веществ: дифракция рентгеновских лучей, медленных и быстрых электронов, нейтронов, просвечивающей и растровой электронной микроскопии, автоэлектронная и автоионная микроскопия, туннельная сканирующая и атомно-силовая микроскопия, вторичная ионная масс-спектрометрия, ожэ-спектроскопия, рентгеновский флюоресцентная спектроскопия, резерфордовское обратное рассеяние, методы ядерных реакций, ядерный гамма-резонанс и др.

В главе 8 (авт.: доцент В.Н. Яльцев и ст. преподаватель В.И. Скрытный) излагаются основные методы исследования материалов с использованием дифракции рентгеновских лучей, электронов и нейтронов. Рассматриваются физика рентгеновских лучей (получение, регистрация, свойства, взаимодействие с веществом), кинематическая теория дифракции, методы рентгеноструктурного анализа, применение дифракционных методов, в частности, электронографии и нейтронографии, в физическом материаловедении.

Вглаве 9 (авт.: доцент Н.В. Волков) излагаются методы исследования материалов с помощью электронных и ионных пучков. Рассмотрены основы электронной и ионной оптики и регистрация параметров заряженных частиц. По каждому методу исследования состояния и состава материалов, включая автоэлектронную, автоионную, туннельную сканирующую, просвечивающую и растровую электронную микроскопию, ожеспектроскопию, вторичную ионную масс-спектрометрию и рентгеноспектральный анализ, рассмотрены основные физические принципы метода, конструкции приборов и применение метода в физическом материаловедении.

Вглаве 10 (авт.: профессор В.П. Филиппов) излагаются ядернофизические методы исследования материалов: ядерный магнитный резонанс, ядерный гамма-резонанс (эффект Мессбауэра), позитронноаннигиляционная спектроскопия, активационный анализ и метод аналити-

17

ческой авторадиографии. При описании каждого метода рассмотрены их физические основы, особенности применения, конструкции или схемы проведения анализа, области применения в физическом материаловедении.

В основу учебника положены учебные пособия, изданные авторами в последние годы: «Рентгеновская дифрактометрия» (А.А. Русаков, Н.А. Соколов,), «Рентгенографическое определение макронапряжений» (М.Г. Исаенкова, Ю.А. Перлович, В.И. Скрытный, В.Н. Яльцев), «Основы рентгенографии металлов» и «Лабораторный практикум по курсу «Рентгенография металлов» (А.А. Русаков, В.Н. Яльцев, В.И. Скрытный), «Прецизионное определение периодов решетки» (А.А. Русаков, В.Н. Яльцев, Н.А. Соколов, В.И. Скрытный), «Синхротронное излучение. Некоторые применения в материаловедении» (А.Н. Артемьев, В.Н. Яльцев), «Ускорители заряженных частиц» (Б.А. Калин, Н.В. Волков, Н.П. Волошин, В.А Ярцев), «Источники излучений. Ядерные реакторы» (Б.А. Калин, Н.В. Волков, Н.П. Волошин), «Физические методы исследования структуры твердых тел. ч. 1. Методы электронной микроскопии» (Н.В. Волков, Б.А. Калин, М.И. Солонин), «Закономерности прохождения гамма излучения через вещество» (Ю.Ф. Бабикова, В. П. Филиппов), «Изучение процессов упорядочения, распада и расслоения твердых растворов методом мессбауэровской спектроскопии» (В.П. Филиппов).

Учебный материал в главах учебника представлен с учетом уровня фи- зико-математической подготовки студентов в соответствии с Государственным образовательным стандартом по специальности «Физика металлов».

Каждая глава содержит контрольные вопросы и список литературы, использованной авторами и рекомендуемой студентам для более детального изучения материала. По тексту даны ссылки на более подробное описание проблемы в других главах этого и других томов. Книга снабжена предметным указателем и списком условных обозначений и сокращений в тексте.

18

Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]