Белова Методические указания к выполнению курсового проекта по проектированию топологии биполярных ИМС 2008

10

Рис. 8а

11

Конструктивно-технологические характеристики трех типов корпусов, используемых для полупроводниковых ИМС, приведены в табл. 3. Примеры этих трех типов корпусов показаны на рис. 8а (корпус типа 2 (2102.14-6)), 8б (корпус типа 3 (302.8-1)) и 8в (корпус типа 4 (401.14-4)).

Условное обозначение корпуса по ГОСТ 17467-79

Корпуса типа 2 201.8–1 201.14–10 201.16–8 201.16–13 2102.14–3 201.14–9 2103.16–14

Корпуса типа 3 301.8–2

302.8–1

301.14–3

Корпуса типа 4 4105.14–2 401.14–5 4112.16–13 402.16–21 402.16–32 4153.20–01 411.6–18–3

Таблица 3

выводовЧисло

Вариантисполнения

мм

Метод крепления

на клей

Габаритные

Размеры

Метод

кристалла

размеры

монтаж-

герме-

в корпусе

корпуса,

ной

тиза-

эвтекти-

площади,

посадка

мм

ции

ческая

пайка

8

МК

Сварка

19,2×7,3×5

5×3

+

+

14

МК

19,2×7,3×5

5×3

Сварка

+

–

16

К

19×7,3×5

5×3

Сварка

+

+

16

К

19×7,2×5,15

4,4×2,2

Сварка

+

+

14

СК

Пайка

+

–

19,5×6,7×5,6

3×2

14

СК

Пайка

+

–

19,5×6,5×5,5

3,5×2,5

16

СК

Пайка

+

–

19,5×6,7×5,88

7,5×3,1

8

МС

9,5

3

Сварка

+

–

4,6×13,5

8

МС

9,5

3

Сварка

+

–

14

МС

6,5×13,5

Сварка

+

–

39×25×7,5

8

14

СК

Пайка

+

–

9,8×6,5×2,2

3,2×2,2

14

МС

10×6,7×1,97

4,9×2

Сварка

+

–

16

МК

12×9,5×2,95

3×3

Сварка

+

+

16

МК

11,5×9,3×2,5

5,13,1×

Сварка

+

–

16

МК

Сварка

+

–

11,5×9,3×2,5

4×3,2

20

МК

Сварка

+

–

18,0×12×2,99

7,0×5

18

СК

Пайка

+

–

9,8×9,8×2,5

4,1×4,1

Список литературы

1.Березин А.С., Белова Г.Ф. Сборник задач по курсу «Конструирование интегральных микросхем». – М.: МИФИ, 1986.

2.Березин А.С., Мочалкина О.Р. Технология и конструирование интегральных микросхем. – М.: Радио и связь, 1992.

12

Приложение

Рис. П1. Схема электрическая принципиальная двух четырехвходовых логических схем «ИЛИ-НЕ»

(I R1 = I R2 = 0,26 мА; I R3 = ... I R10 = 0,024 мА)

Рис. П2. Схема электрическая принципиальная полусумматора с инверсией и двухвходовая логическая схема «ИЛИ-НЕ»

13

Рис. П3. Схема электрическая принципиальная четырех инвертеров РТЛ

(I R1, R2, R4, R5, R8, R9, R11, R12 = 0,7 мА; I R3, R6, R7 = 0,4 мА)

Рис. П4. Схема электрическая принципиальная усилителя

(I R5 = 200 мА; I R4 = 1 мА)

14

Рис. П5. Схема электрическая принципиальная «4И-2 ИЛИ-НЕ»

(I Э1 = I Э2 = 8 мА; I Э3 = I Э4 = 2,4 мА; I Э5 = I D	= 3 мА;
I Э6 = 2 мА; I R1 = I R2 = 1,2 мА; I R3 = I R5 = 2,4 мА;	I R4 = 3,7 мА)

Рис. П6. Схема электрическая принципиальная усилителя-ограничителя

15

Рис. П7. Схема электрическая принципиальная логического элемента с переходом Шотки ТТЛШ

Рис. П8. Схема электрическая принципиальная логического элемента ТТЛШ

16

Рис. П9. Схема электрическая принципиальная бистабильной ячейки

(I Э1 = I Э2 = 5 мА; I R1 = I R3 = 5 мА; I R2 = I R4 = 0,1 мА)

Рис. П10. Схема электрическая принципиальная полусумматора

(U вых.max = 2, 4 В)

17

Рис. П11. Схема электрическая принципиальная логического элемента «8И-НЕ» с расширением по «ИЛИ»

(I R1 = I R2 = 1,2 мА; I R3 = 2,4 мА; I R4 = 3,7 мА; I Э1 = I Э2 = 1 мА;

I Э3 = 2 мА; I Э4 = I Э5 = I Э6 = 3 мА)

Рис. П12. Схема электрическая принципиальная логического элемента «8И-2ИЛИ-НЕ», расширяемого по «ИЛИ»

18

Рис. П13. Схема электрическая принципиальная логического элемента «4И-2ИЛИ-НЕ» с возможностью расширения по «ИЛИ»

(I Э1,2,5,8 = 1мА; I Э3,4 = 4 мА; I Э6 = 3 мА; I Э7 = 10 мА;

I D1,2 = 1мА)

Рис. П14. Схема электрическая принципиальная RS-триггеры

19