КТЦ-МК.8-разрядные микроконтроллеры Atmel
.pdfÊÒÖ-ÌÊ
Эти три байта расположены в отдельном адресном пространс тве.
Для микроконтроллера ATmega603 это:
1.$00: $1E (показывает что прибор изготовлен фирмой Atmel)
2.$01: $06 (показывает что прибор оснащен 64 Кбайтами Flash памяти)
3.$02: $01 (если по адресу $01 находится содержимое $06, то это микроко нтроллер ATmega603)
Для микроконтроллера Atmega103 это:
1.$00: $1E (показывает что прибор изготовлен фирмой Atmel)
2.$01: $01 (показывает что прибор оснащен 128Кбайтами Flash памяти)
3.$02: $01 (если по адресу $01 находится содержимое $01, то это микроко нтроллер Atmega103)
Программирование Flash и EEPROM памяти
Микроконтроллеры ATmega603/103 оснащены внутрисистемно программируемой Flash памятью, емкостью 64/128 Кбайт, и 2/4 Кбайтами EEPROM памяти данных. При поставке микроконтроллеров и встроенн ая Flash память программ и EEPROM память данных находятся в очищеном состоянии (т.е. соде ржимое в состоянии $FF) и они готовы к программированию. Приборы поддерживают р ежим высоковольтного (12 В) параллельного программирования и режим низковольног о последовательного программирования. Напряжение программирования 12 В исполь зуется только если программирование разрешено, в ином случае ток по этому вы воду не потребляется. Режим последовательного программирования является обыч ным способом загрузки программ и данных в микроконтроллеры, находящиеся непоср едственно в системе пользователя.
Матрица памяти программ микроконтроллеров ATmega603/103 организо вана из 256/512 страниц по 256 байт каждая. При программировании Flash памя ти данные программы фиксируются в буфере страницы, что позволяет пр ограммировать сразу целую страницу данных программы в любом из режимов програ ммирования.
Матрица EEPROM памяти данных микроконтроллеров программируе тся побайтово (байт - за - байтом) во всех режимах программировани я. В последовательном режиме программирования встроенная функция самотактиро вания EEPROM выполняет автоматическую предварительную очистку каждого програм мируемого байта.
Режим параллельного программирования
В данном разделе описывается программирование и проверк а Flash памяти программ, EEPROM памяти данных, битов блокирования программир ования памяти и битов-предохранителей в режиме параллельного программи рования. Используемые при этом импульсы должны быть длительностью не менее 500 нс, если это специально не оговорено.
Обозначения сигналов
В данном разделе ряд выводов микроконтроллеров ATmega603/103 указы вается обозначениями сигналов, отражающими их функциональное н азначение в процессе параллельного программирования, а не по обозначениям выв одов. Выводы не указанные в таблице имеют обычные обозначения.
149
ATMEL |
|
|
ÊÒÖ-ÌÊ |
||||||
|
|
|
|
Таблица 35. Соответствие обозначений выводов обозначениям сигналов |
|||||
Обозначение |
Обозна- |
|
|
||||||
сигнала |
|
чение |
I/O |
Описание |
|||||
в режиме |
|
вывода |
|
|
|||||
программи- |
|
|
|
||||||
|
рования |
|
|
|
|||||
|
RDY / |
|
|
PD1 |
O |
0: Прибор занят программированием, 1: Прибор готов |
|||
BSY |
|||||||||
ê |
|
|
|
|
|
|
новой команде |
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
OE |
|
|
PD2 |
I |
Разрешение выхода (Активен низким уровнем) |
||
|
|
|
PD3 |
I |
Импульс записи (Активен низким уровнем) |
||||
|
W R |
||||||||
|
BS1 |
PD4 |
I |
Выбор байта (бит 0) |
|||||
|
XA0 |
PD5 |
I |
Режим XTAL (бит 0) |
|||||
|
XA1 |
PD6 |
I |
Режим XTAL (бит 1) |
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
BS2 |
PD7 |
I |
Выбор байта (бит 2 -всегда на низком уровне) |
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
PAGEL |
PA0 |
I |
Загрузка страницы программирования памяти |
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Биты XA1/XA0 определяют действие, запускаемое по положительно му импульсу на XTAL1. Установки битов представлены в следующей таблице:
Таблица 36. Кодирование битов XA1 и XA0
XA1 |
XA0 |
Характер действия при поступлении импульса на XTAL1 |
0 |
0 |
Загрузка Flash или EEPROM адреса (старший или младший байт адреса Flash |
|
|
памяти определяет бит BS1) |
0 |
1 |
Загрузка данных (старший или младший байт адреса Flash памяти определяет бит |
|
|
BS1) |
|
|
|
1 |
0 |
Загрузка команды |
|
|
|
1 |
1 |
Нет действия, ожидание |
|
|
|
При поступлении импульсов WR или OE загруженная команда опре деляет действие на входе или выходе. Команда является байтом, в ко тором каждый бит определяет функцию, как это отражено в таблице:
|
Таблица 37. Кодирование битов байта команды |
|
N áèòà |
|
Выполняемая операция при установленном бите |
|
|
|
7 |
|
Очистка кристалла |
|
|
|
6 |
|
Запись бита-предохранителя. Размещаются в байте данных по следующим битам: |
|
|
D5: SPIEN бит-предохранитель, D3: EESAVE бит-предохранитель, D1: SUT1 бит- |
|
|
предохранитель, D0: SUT0 бит-предохранитель (Примечание: запис ь 0 для |
|
|
программирования, запись 1 для стирания) |
|
|
|
5 |
|
Запись бита блокирования. Размещаются в байте данных по следующим битам::D2: |
|
|
LB2, D1: LB1 (Примечание: запись 0 для программирования) |
|
|
|
4 |
|
Запись Flash или EEPROM памяти (определяется битом 0) |
|
|
|
3 |
|
Чтение сигнатуры |
2 |
|
Чтение битов блокирования и битов-предохранителей. Размещаются в байте данных |
|
|
по следующим битам:D5: SPIEN бит-предохранитель, D3: EESAVE бит-предохра нитель, |
|
|
D2: LB2, D1: SUT1/LB1, D0: SUT0 (Примечание: состояние 0 программируется) |
|
|
|
1 |
|
Чтение из Flash или EEPROM памяти (определяется битом 0) |
|
|
|
0 |
|
0 : Обращение к Flash, 1 : Обращение к EEPROM |
|
|
|
150