KT-p22
.pdfбыстрой переадресации страниц TLB, используемый для преобразования виртуальных адресов в физические: TLB первого уровня имеет емкость 24 строки,a TLB второго уровня — 256 строк. Аналогичный блок TLB в кэше данных первого уровня включает TLB первого уровня емкостью 32 строки и TLB второго уровня емкостью 256 строк. Наконец,кэш команд первого уровня содержит большую таблицу предсказания переходов емкостью 2048 строк,что позволяет достигнуть высокой вероятности правильного динамического предсказания ветвлений.
Издекодеров команды попадают в устройство управления командами емкостью 72 строки. AMD K7 является суперскалярным микропроцессором с внеочередным спекулятивным выполнением команд. Большая емкость устройства управления командами позволяет эффективно использовать ресурсы девяти функциональных исполнительных устройств,которые являются конвейерными и способны к внеочередному выполнению команд. В числе этих устройств: три адресных конвейера,три целочисленных конвейера и три конвейера с плавающей запятой.
Восьмое поколение
Особенности процессоров AMD
Процессор архитектуры К8 получил совершенно новый декодер х86-
ко-манд,что обусловлено необходимостью обработки инструкций AMD64, поддерживающих 64-битные приложения. Не секрет,что внутренняя система команд современных процессоров х86 разительно отличается от внешней.
Внешние команды для любого х86 -процессора одинаковы. Но практически одинаковый программный код внутри процессоров раскладывается на со-
вершенно разные простые инструкции,что хорошо заметно при сравнении процессоров AMD и Intel.
Второй особенностью процессоров восьмого поколения от AMD стал принципиально новый подход к кэш-памяти. Оригинальность организации кэш-памяти процессоров AMD заключается в ее «эксклюзивности» (exclusive). Суть этой технологии в том,что содержимое кэша L1 не копируется в кэш L2,то есть они дополняют друг друга. Таким образом,суммарный объем кэша рассчитывается как сумма объемов L1 и L2. Эксклюзивная архитектура обусловливает некоторые особенности в работе кэша. Особенность первая: поскольку в процессе работы данные «складываются» прежде всего в кэш L1,то практически всегда возникает нехватка места. В этом случае кэш L1 перебрасывает самые ненужные данные в L2,а затем принимает новые. Для временного хранения перебрасываемых данных предусмотрен специальный буфер (Victim buffer). Необходимость в таком буфере возникает потому,что кэши L1 и L2 работают с разными задержками
Вторую особенность архитектуры кэша AMD K8 хорошо иллюстрирует
вариант работы с данными,которых не оказалось в кэше L1,но они есть в кэше L2. В этом случае задержки обусловлены следующими операциями.
51
На первом этапе процессор выполняет поиск данных в кэше L1,на это уходит три такта. На втором этапе освобождается место в L1 для пересылки данных из L2. Соответственно, строка кэша сбрасывается в Victim buffer, освобождая место в L1. До окончания пересылки первого блока данных из L2 (после чего процессор может продолжить работу) необходимо еще 8 тактов. Если буфер свободен,8 + 3 такта дают минимальную задержку в 11 тактов. Это так называемый «лучший» сценарий. Если же Victim buffer занят, то на его очистку уходит 8 тактов. Переключение режимов записи/чтения кэша L2 занимает два такта. Еще 8 тактов тратится на перенос данных в L1. Последние два такта опять расходуются на переключение режимов записи/чтения. Таким образом,в худшем случае операция загрузки занимает 8 + 2 + 8 + 2 = 20 тактов. Это значение точно равно задержке,так как операция чтения на разделяемой 64-битной шине L1-L2 не может начаться, пока не будет закончена операция записи из Victim buffer.
Разрабатывая архитектуру К8, инженеры AMD модернизировали шину кэш-памяти L1-L2. Вместо одной двунаправленной шины шириной 64 бит уровни кэша связаны двумя однонаправленными шинами шириной по 64 бита. Такое решение позволило практически полностью нивелировать отрицательные эффекты «перегруза» шины L1-L2 и снизить задержки в «худшем» варианте до 16 тактов.
Интегрированный контроллер памяти микроархитектуры К8 — уникальное явление среди процессоров для настольных систем, который внедрен в архитектуру процессора позволило лучше согласовать возможности процессорного ядра и памяти. В оптимальном варианте пропускная способность памяти должна быть больше максимального потока данных,
обрабатываемых процессором, а задержки (латентность) памяти должны быть минимальными.
Сравнение процессоров Intel и AMD
Вархитектуре Intel-процессоров базовая концепция основана на переводе х86-инструкций в более регулярные,«RISC-подобные» микрооперации фиксированной длины. Процессор старается держать как можно больше «переведенных» команд в Trace Cache, который хранит до 12 000 микроопераций. Декодеры работают асинхронно с исполнительными конвейерами. Естественно,что подготовленные микроинструкции исполняются более эффективно и с большим темпом, нежели нерегулярные и весьма разнообразные по форме x86-инструкции.
Вархитектуре AMD K8 информация о границах очередной инструкции записывается в специальный массив Decode Array. Сама инструкция подвергается дальнейшим преобразованиям во внутренний формат. Каждому байту х86-инструкции,находящейся в кэше команд,соответствуют три
бита,хранящиеся в Decode Array. Эта запись содержит информацию о том, является ли данный байт первым (последним) байтом инструкции,является
52
ли он префиксом, следует ли направлять инструкцию по особому пути декодирования.
Таким образом,Intel-процессор сохраняет результат работы декодера (микрооперацию), а AMD-процессор – полезную информацию,существенно облегчающую повторное декодирование. Отсюда следует,что для того чтобы AMD-процессор мог использовать все преимущества большого кэша команд и должен обладать совершенным механизмом повторного декодирования. Такой механизм реализован в декодере следующим образом.
Внешние инструкции на завершающих этапах работы декодера «переводятся» в специальные внутренние команды — макрооперации (mОР). Большинству х86-инструкций соответствует одна макрооперация,некоторые инструкции преобразуются в две или три mОР,а наиболее сложные,например деление или тригонометрические функции,— в последовательность из нескольких десятков mОР. Макрооперации имеют фиксированную длину и регулярную структуру.
Макрооперация в определенный момент раскладывается на две простейшие микрооперации (ROP), одновременно посылаемые на исполнение функциональным элементам процессора (ALU или FPU). Для этого тОР содержит всю необходимую для запуска двух команд информацию,включая служебную. Объединение ROP в макрооперации позволяет сократить количество перемещаемых блоков данных и число промежуточных операций записи/считывания результата. При этом ROP направляются на исполнение в том порядке,который окажется наиболее удобным,а не в том,какой задан в выполняемой программе. Поэтому нередки ситуации,когда ROP выполняются вперемешку,безотносительно к их принадлежности одному mОР.
Если добавить параллельные каналы,то на каждый можно направить по макрооперации. В процессорах архитектуры AMD-процессор используется три симметричных канала,каждый изкоторых имеетпару функциональных устройств. В результате одновременно работают сразу шесть функциональных устройств. Каждый канал разветвляется: в зависимости от того,какие значения обрабатывает инструкция,mОР пойдет либо по направлению к целочисленным блокам,либо — к блокам обработки действительных чисел, либо на блок вычисления адреса (AGU). То есть в архитектуре AMD-про- цессор имеется десять функциональных устройств: три ALU, три FPU, три AGU (вычисления адреса) и отдельный блок умножения.
Группировка операций продолжается и на более высоком уровне. Группу образуюттри mОР,которые одновременно запускаются на параллельных каналах. Вся дальнейшая работа идет с «тройками» mОР,образующих «линию» (Line). Такая «линия» воспринимается центральным управляющим блоком процессора как единое целое: все основные действия выполняются
именно над группой «Line». Так,под «линию» одним приемом выделяется группа из трех позиций в очередях (как мы помним,у каждого канала своя
53
очередь). Точно так же одновременно происходит освобождение ресурсов после исполнения,сопровождающееся окончательной записью результатов в регистры. Эту архитектуру компания AMD характеризует как «line-oriented», она являемся Предметом законной гордости корпорации и принципиально отличается от архитектуры Intel-процессора.
1.2.5.Производство процессоров
Всовременной микроэлектронике основными компонентами интегральных микросхем являются полупроводники р-типа и n-типа (в зависимости от типа проводимости). Основой полупроводников обоих типов служит кремний (Si), который в чистом виде плохо проводит электрический ток. Добавление (внедрение) в кремний определенной примеси позволяет радикально изменить его проводящие свойства. Примеси позволяют формировать комплиментарные металл-оксидные полупроводниковые (КМОП) транзисторы — основные структурные элементы современных микросхем.
Вотличие от механических переключателей, КМОП-транзисторы практически безынерционны и способны переходить из открытого в запертое состояние триллионы раз в секунду. Именно этой характеристикой,то есть способностью мгновенного переключения,и определяется в конечном счете быстродействие процессора,который состоит из десятков миллионов таких транзисторов.
Процесс создания микросхемы процессора начинается с выращивания цилиндрического монокристалла кремния диаметром 200 или 300 мм. В дальнейшем из таких монокристаллических заготовок (болванок) нарезают
круглые пластины (wafers — вафли). Это и есть кремниевые подложки, служащие основой для производства микросхем.
Понятно,что на пластине диаметром 200-300 мм можно разместить много микросхем,даже если речь идет о процессоре с десятками миллионов транзисторов. Для простоты мы рассмотрим процессы,происходящие лишь на одном участке.
После формирования кремниевой подложки наступает этап создания сложнейшей полупроводниковой структуры. Для этого в кремний внедряют примеси. Те области,куда не требуется внедрять примеси,защищают специальной пленкой издиоксида кремния,оставляя оголенными только те участки, которые подвергаются дальнейшей обработке. Процесс формирования про-
водящего слоя состоит изнескольких этапов. На первом этапе вся пластина кремния целиком покрывается тонкой пленкой диоксида кремния,который является хорошим изолятором и выполняет функцию защитной пленки.
Фотолитография
На следующем этапе удаляют защитную пленку с тех мест,которые
будут подвергаться дальнейшей обработке. Удаление пленки осуществляют травлением,а для защиты остальных областей от травления на поверхность
54
пластины наносят слой так называемого фоторезиста. Термином «фоторезисты» обозначают светочувствительные и устойчивые к воздействию агрессивных факторов составы. Процесс нанесения фоторезиста и его дальнейшее облучение ультрафиолетом по заданному рисунку называется фотолитографией.
Для засветки нужных участков слоя фоторезиста используют специальный шаблон-маску. Чаще всего для этой цели применяют пластинки из оптического стекла с полученными фотографическим или иным способом непрозрачными элементами. Фактически такой шаблон содержит рисунок одного из слоев будущей микросхемы. Поскольку этот шаблон является эталоном,он должен быть выполнен с большой точностью. Ультрафиолетовое излучение,проходя сквозь шаблон,засвечивает только нужные участки поверхности слоя фоторезиста. После облучения фоторезист подвергают проявлению,в результате которого удаляются ненужные участки слоя. При этом открывается соответствующая часть слоя диоксида кремния.
Фотолитографический процесс является наиболее сложным в производстве микросхем. Дело в том,что в соответствии с законами волновой оптики минимальный размер пятна,в который фокусируется лазерный луч, определяется, кроме прочих факторов, длиной световой волны. Развитие литографической технологии со времени ее изобретения в начале 1970-х годов шло в направлении сокращения длины световой волны. Именно это позволяло уменьшать размеры элементов интегральной схемы. С середины 1980-х годов в фотолитографии использовали ультрафиолетовое излучение, получаемое с помощью лазера. Сейчас применяют технологию,получившую название EUV-литографии (Extreme UltraViolet — сверхжесткое ультрафиоле-
товое излучение с длиной волны 13 нм). EUV-литография делает возможной печать линий шириной до 30 нм.
В производстве процессоров используют сухой метод травления: для удаления с поверхности пластины диоксида кремния применяют ионизированный газ (плазму). После процедуры травления,то есть когда оголены нужные области чистого кремния,удаляется оставшаяся часть фотослоя. Таким образом,на кремниевой подложке остается рисунок,выполненный диоксидом кремния.
Внедрение примесей
Напомним, что процесс формирования необходимого рисунка на кремниевой подложке требуется для создания в нужных местах полупроводниковых структур путем внедрения примеси. Для получения полупроводника n-типа обычно используют сурьму, мышьяк или фосфор. Для получения полупроводника р-типа в качестве примеси используют бор, галлий или алюминий.
Диффузию легирующей примеси осуществляют методом ионной имплантации: ионы нужной примеси выстреливаются ускорителем и проникают
55
в поверхностные слои кремния. По окончании этапа ионной имплантации необходимый слой полупроводниковой структуры создан.
На этапе создания «рисунка» слоя используют современные техноло-
гии: Silicon strained technology (растянутого кремния) и Silicon on Insulator (кремний на диэлектрике). Это позволяет снизить токи утечки,увеличить диэлектрическое сопротивление затвора транзистора. В частности,совмещенную технологию SST + SOI применяет компания AMD при производстве процессоров по технормам 90 нм.
Многослойные структуры
Наложение новых слоев осуществляют несколько раз, при этом для меж-слойных соединений в слоях оставляют окна,которые заполняют атомами металла. В результате на кристалле создаются металлические полоски — проводящие области. Процесс выращивания и обработки всех слоев длится несколько недель,а сам производственный цикл состоит из более чем 300 стадий. В итоге на кремниевой пластине формируются сотни идентичных процессоров.
Упаковка и тестирование
По окончании цикла формирования пластины все процессоры тщательно тестируют. По результатам теста определяется частотный класс партии чипов (здесь скрыты резервы,иногда позволяющие «разогнать» процессор). Затем изпластины-подложки с помощью специального устройства вырезают конкретные,уже прошедшие проверку кристаллы. Каждый микропроцессор встраивают в защитный корпус,который также обеспечивает электрическое соединение кристалла микропроцессора с внешними устройствами. Тип корпуса зависит от типа и предполагаемого применения микропроцессора.
После установки в корпус каждый микропроцессор повторно тестируют.
Технологические нормы
Технологические нормы производственного процесса определяют характерное минимальное расстояние между двумя соседними элементами в одном слое микросхемы,то есть своеобразный шаг сетки,к которой осуществляется привязка элементов микросхемы. При этом совершенно очевидно,что чем меньше этотхарактерный размер,тем больше транзисторов можно разместить на одной и той же площади микросхемы.
При использовании технологии с нормами 130 нм полезная ширина канала транзистора составляет 60 нм,а толщина оксидного слоя затвора не превышает 1,5 нм. Если же использовать технологию с нормами 90 нм, транзисторы будут иметь длину затвора 50 нм и толщину оксидного слоя затвора всего 1,2 нм. В лабораторных условиях уже делают кристаллы по технологическим нормам 65 нанометров.
Лидерами в технологии всегда были компании Intel и IBM, которые
имеют возможность вкладывать миллиарды долларов в передовые разработки. Фирма AMD имеет меньше средств на строительство собственных
56
фабрик микроэлектроники. В последнее время AMD заказывает производс-
тво части процессоров компаниям IBM и Taiwan Semiconductor Manufacturing Corporation (TSMC).
В технологических нормах,особенностях архитектуры ядра,величине кэша второго уровня надо искать корни существенной разницы в цене между близкими по архитектуре процессорами. Pentium 4 с кэш-памятью второго уровня 512 Кбайт в два раза дороже модели Celeron с кэшем 256 Кбайт,потому что выход годных кристаллов для быстрой SRAM памяти с исходной кремниевой пластины сравнительно невелик.
Технологические нормы,число транзисторов на кристалле и рабочая частота процессора напрямую влияют на его термодинамические характеристики. Ужесточение технорм,как показывает практика,на какое-то время снижает максимальную тепловую мощность процессоров (при неизменной архитектуре ядра). Но затем,вдохновленные новыми возможностями,инженеры наращиваютрабочую частоту,усложняютархитектуру ядра,увеличивают кэш-память. В итоге,если сравнить семейства процессоров,изготовленных по разным технологическим нормам,более «строгая» технология порождает семейство с тепловой мощностью старших моделей выше,чем у предыдущего семейства.
AMD Athlon. Особенность процессора AMD Athlon - это девятипоточная суперскалярная архитектура оптимизованная для высоких частот. AMD Athlon содержит девять исполняемых потоков: три для адресных операций, три для целочисленных вычислений,и три для выполнения команд x87 (операции с плавающей точкой), поддерживает инструкции 3Dnow и MMX™
Системная шина EV6, используемая в процессоре AMD Athlon, является первой шиной на 200-МГц для платформ x86, и самой быстрой из доступных на данный момент системных шин для процессоров x86 в два раза превосходя шину 100-МГц используемую Pentium III. В дальнейшем планируется увеличить частоту шины до 400 МГц,что обеспечит пиковую пропускную способность до 2,6 Гбайт/с.
Расширенная технология 3DNow (Enhanced 3DNow!) процессора AMD Athlon поднимает мультимедийную 3D производительность на новые высоты и построена на 21 инструкции оригинальной технологии AMD 3DNow! - первого набора команд x86 для использования суперскалярной технологии плавающей точки SIMD. Enhanced 3DNow! добавляет 24 новых инструкции -19 для улучшения целочисленных вычислений MMX и улучшенной передачи данных для поточных приложений Internet и 5 расширений DSP для реализации программных модемов,soft ADSL, Dolby Digital, и MP3. Эти функции
DSP AMD Athlon™ не поддерживаются Pentium III.
Архитектура кэш-памяти: AMD Athlon имеетнаибольший для платформ x86 кэш L1 (128KB) - в четыре раза превосходящий L1 кэш процессора
57
Pentium III (32KB). AMD Athlon также включает высокоскоростной,64-бит- ный контроллер кэш памяти второго уровня (L2), поддерживающий объем кэш-памяти второго уровня от 512Kб до 8Mб.
Intel Pentium IV работает на частоте системной шины 400Mhz (133Mhz у Pentium-III), использует 20-шаговый алгоритм разбора инструкций (10-ти шагового у Pentium-III); также,Pentium-IV используетновую технологию NetBurst, которая призвана ускорить работу multimedia и Internet-приложе- ний. Процессор имеет один медленный и два быстрых АЛУ,два модуля арифметической генерации адресов,два полнофункциональных FPU ,кэш исполнения на 12000 инструкций,процессор использует новое расширение SSE2 с 144 командами для работы с плавающей запятой,изготовлен по 0,18-мкм технологии.
По сравнительным тестам процессор Pentium-IV не дает выйгрыша при работе с офисными проложениями,значительно проигровая в производительности не только AMD Athlon, но даже и Pentium-III. Зато при работе с мультимедиа и памятью Pentium-IV показал значительное превосходство над своими ближайшими конкурентами (сдесь сказалась высокая тактовая частота процессора и системной шины).
AMD Duron ориентированное на low-end сектор и являющееся прямым конкурентом Intel Celeron. Этот процессор производится по технологии 0.18 мкм с использованием медных соединений. Ядро Spitfire, основанное на архитектуре Athlon. Содержит 25 млн. транзисторов и имеет площадь 100 кв.мм. Работает в специальных материнских платах с 462-контактным процессорным разъемом Socket A. Использует высокопроизводительную 100 МГц DDR системную шину EV6. Кеш первого уровня 128 Кбайт - по
64 Кбайта на код и на данные. Интегрированный кеш второго уровня 64 Кбайта. Работает на полной частоте ядра. Напряжение питания - 1.5В. Набор SIMD-инструкций 3DNow! Тактовая частота от 600 МГц. С точки зрения архитектуры,Duron практически ничем не отличается от обычного Athlon, кроме встроенного в ядро 64-Кбайтного кеша второго уровня. Если же сравнить Duron с новыми Athlon на ядре Thunderbird, то различия между ними будут заключаться в размере интегрированного L2 кеша (у Thunderbird он 256 Кбайт против 64 Кбайт у Duron) и в частотах (Thunderbird выпускаются с частотами начиная с 750МГц,а Duron - с частотами начиная от 600 МГц). В качестве разъема для этого процессора AMD использует 462-контактный
Socket A.
1.3. Подсистема внутренней памяти
Подсистема внутренней памяти сложная взаимосвязанная система внутренних компонентов,таких как оперативную память,кэш-память процессо-
ра и накопителей,контроллер памяти,шины данных и команд,объединяющие все элементы подсистемы в единое целое.
58
Чтобы центральный процессор компьютера мог обрабатывать данные, они должны быть загружены в оперативную рабочую память. Только после того,как программное обеспечение будет считано в RAM с внешнего носителя данных,возможна дальнейшая работа системы в целом.
Оперативная память имеет следующие достоинства и недостатки: благодаря малому времени доступа к памяти скорость обработки данных существенно возрастает. Недостатком оперативной памяти является то, что она является временной - при отключении питания оперативная память полностью “очищается”, и все данные,не записанные на внешний носитель, будут потеряны.
1.3.1. Классификация внутренней памяти
Память,применяемая для временного хранения инструкций и данных в компьютерной системе,получила название RAM (Random Access Memory - память с произвольной выборкой), потому что обращение происходит в любой момент времени к произвольно выбранной ячейке. Память этого класса подразделяется на два типа — с динамической (Dynamic RAM, DRAM) и статической (Static RAM, SRAM) выборкой. В первом случае значение бита информации в ячейке определяется наличием или отсутствием заряда на миниатюрном конденсаторе (управляемом транзисторами).
В статической памяти применены специальные элементы — триггеры (имеющие два устойчивых состояния), реализованные на 4-6 транзисторах. Естественно, что из-за необходимости ожидания накопления (стекания) заряда на конденсаторе быстродействие DRAM ниже. Однако благодаря
большему числу транзисторов на ячейку память SRAM существенно дороже. Обычно модули DRAM применяют в оперативной и видеопамяти,а модули SRAM - в качестве быстрых буферных (Cash) элементов в процессорах,на материнских платах,в жестких дисках,приводах CD-ROM и прочих устройствах.
1.3.2. Оперативная память
Архитектура оперативной памяти
Каждый элемент оперативной памяти представляет собой систему электронных ключей и конденсатор,хранящий информацию в виде заряда.
Этотконденсатор не идеальный,его емкость не слишком велика,а вследствие того,что он сформирован в полупроводниковом переходе,расположенном в толще кристалла кремния,появляются еще и дополнительные сопротивления, черезкоторые заряд стекаетс конденсатора (одновременно искажая информацию и в соседних ячейках). Наличие заряда на конденсаторе соответствует
логической единице. Время устойчивого хранения информации в ячейке элемента оперативной памяти составляет обычно несколько миллисекунд.
59
После этого информацию необходимо перезаписать. Такая процедура перезаписи и получила название регенерации памяти (Refresh).
Рассмотренный технологический процесс базируется на использовании полевых транзисторов,причем каждый из этих транзисторов может хранить единицу информации (бит). Благодаря развитию в микроэлектронике высокоточных технологий в ограниченном объеме полупроводникового кристалла удалось разместить огромное количество полевых транзисторов.
Адреса. Важнейшим критерием работы оперативной памяти является однозначно поддающееся определению размещение информации в совершенно определенных ее областях. Для этого каждый элемент памяти имеет свой адрес,благодаря чему данные без конфликтов располагаются в памяти и могут записываться,считываться вновь и передаваться для дальнейшей обработки.
Для адресации ячеек памяти используют особенности матричной структуры. Полный адрес ячейки состоит из адресов строки и столбца. Для считывания (записи) информации на микросхему сначала подается сигнал RAS (Row Adress Strobe — импульс доступа к строке), а затем (одновременно или с небольшой задержкой) — код адреса строки. После этого через нормируемое время задержки должен быть подан код адреса столбца,перед которым проходит сигнал CAS (Column Adress Strobe — импульс доступа к столбцу). Под временем выборки микросхемы подразумевают промежуток между сигналами RAS. Следующее обращение к памяти возможно только черезнекоторое время,необходимое для восстановления внутренних цепей. Этот промежуток называют временем перезарядки,причем оно составляет почти 90% от общего времени выборки. Данные из ячеек через усилители поступают в регистр микросхемы,откуда они становятся доступными после открытия линии DOUT (Data OUT). При операциях записи данные поступают по линии DIN (Data IN), а цикл происходит в обратном порядке.
Wait State. Медленные элементы могут привести к “зависанию” системы. Для решения этой проблемы,исходя из параметров Chipset материнской платы, в CMOS Setup производят ручную или автоматическую установку параметра Wait State. Параметром Wait State (цикл ожидания) устраняется рассогласование между быстродействием элементов памяти и тактовой частотой процессора. Этот параметр указывает, сколько тактов должен пропустить процессор между двумя операциями доступа к шине
или к памяти.
Интерфейс SPD (Serial Presence Detect) - интерфейс последо-
вательного детектирования. В модуль памяти устанавливается небольшая 256-байт микросхема EEPROM, запрограммированная изготовителем. В ней содержатся стандартизованные сведения о типе,емкости и внутреннем строении модуля,организации используемых чипов,а также различные пара-
60