Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

ВИПМатлаб / MATLAB_Урок3

.pdf
Скачиваний:
88
Добавлен:
07.06.2015
Размер:
1.01 Mб
Скачать

SE#5(3).qxd

10/12/2005

10:38 AM

Page 50

 

Силовая Электроника, ¹ 3’2005

Ñîôò

 

 

 

 

сердечника: для относительного тока и отно-

 

à)

 

 

сительного потока — [0 0; 0.2 0.4; 0.5 0.9;

 

 

 

 

1.1 1.2]. Временные диаграммы входного то-

 

 

 

 

ка трансформатора и напряжения на нагруз-

 

 

 

 

ке приведены на рис. 16в.

 

 

 

 

Подведем итоги урока 3.

 

 

 

 

1. Для построения SPS-моделей устройств

 

 

 

 

силовой электроники следует применять

 

 

 

 

виртуальные модели основных видов клю-

á)

 

 

â)

чевых полупроводниковых элементов —

 

 

диодов, тиристоров и транзисторов.

 

 

 

 

 

 

 

 

2. В виртуальные модели полупроводнико-

 

 

 

 

вых ключей введены элементы, позволяю-

 

 

 

 

щие учесть их инерционные свойства при

 

 

 

 

выключении, и специальные демпфирую-

 

 

 

 

щие цепочки для снижения колебательных

 

 

 

 

составляющих в кривых процессов пере-

 

 

 

 

ключения.

 

 

 

 

3. Для наблюдения характера изменения тока

 

 

 

 

и напряжения на полупроводниковом

 

 

 

 

ключе введен специальный информацион-

 

 

 

 

ный порт для подключения осциллографа.

 

 

 

 

4. В виртуальных моделях трансформаторов

 

 

 

 

используются элементы схемы замеще-

 

 

 

 

ния, содержащие сопротивления провод-

 

 

 

 

ников обмоток и индуктивности рассея-

 

 

 

 

ния, а также имеется возможность учесть

 

 

 

 

нелинейную характеристику насыщения

 

 

 

 

сердечника магнитопровода.

 

 

 

 

5. Модели выпрямителей и инверторов целе-

 

 

 

Ðèñ. 16. Модель трансформатора

сообразно создавать на базе универсально-

 

 

 

Saturable Transformer с нелинейной

го моста, содержащего различные варианты

 

 

 

характеристикой намагничивания сердечника

ключей — диоды, тиристоры, идеальные

 

 

 

(а), окно настройки его параметров (б)

ключи, а также полностью управляемые

 

 

 

и результаты моделирования в виде

тиристоры, IGBT- и MOSFET-транзисто-

 

 

 

временных диаграмм тока первичной обмотки

ры, шунтированные обратными диодами.

 

 

 

и напряжения на вторичной обмотке (в)

При этом число плеч моста выбирается

 

 

 

 

от 1 до 3.

50

www.finestreet.ru

Соседние файлы в папке ВИПМатлаб