Коллоквиум 2012_САЭУ

для гр.РФ10-08Б, гр.РФ10-09Б, гр.РФ10-01, гр.РФ10-02, гр.РФ10-12Б

ВОПРОСЫ

к коллоквиуму по Схемотехнике АЭУ

1. Эквивалентные схемы б/п и полевого транзисторов. Выражения для коэффициентов усиления.

2. Записать выражение для коэффициента усиления полевого транзистора.

3. Записать выражение для частоты полюса частотной характеристики входного сопротивления б/п транзистора.

4. Эквивалентная схема б/п транзистора. Частотные зависимости R_ВХ и K_U.

5. Эквивалентная схема ПТ. Коэффициент усиления в схеме с ОИ.

6. Эквивалентная схема б/п транзистора. Основные соотношения (К; R_ВХ; R_ВЫХ) в схеме с ОЭ.

7. Эквивалентная схема каскада на ПТ для расчёта температурной нестабильности. Источники температурной нестабильности режима по постоянному току схем на ПТ.

8. Эквивалентная схема полевого транзистора. Основные соотношения в схеме с ОИ (входная емкость, коэффициент усиления).

9. Эквивалентная схема для расчёта температурной нестабильности схем на б/п. Методы улучшения температурной стабильности схем на б/п.

10. Ограничения, накладываемые на использование эквивалентной схемы б/п транзистора (схемы Джиаколетто).

11. Чем отличается положительная ОС от отрицательной.

12. Для чего необходимо пересчитывать справочные параметры транзисторов к рабочему режиму. Выражение для входного сопротивления б/п транзистора в схеме с ОЭ.

13. Построить частотную зависимость коэффициента усиления б/п транзистора. Как определить граничную частоту усиления по уровню – 3 дБ.

14. Критерий устойчивости Боде.

15. Критерий устойчивости Найквиста.

16. Построить выходную динамическую характеристику по переменному току в общем виде для схемы с ОЭ.

17. Построить выходную динамическую характеристику по постоянному току в общем виде для схемы с ОЭ.

18. Как изменится полоса пропускания усилителя при увеличении глубины ОС.

19. Влияние ОС на коэффициент усиления. Случай реального источника.

20. Построить частотную зависимость входного сопротивления б/п транзистора для схемы с ОЭ.

21. Примеры схем с ОС на б/транзисторе.

22. Входное сопротивление и коэффициент усиления б/п транзистора в схеме с ОЭ.

23. Каким образом частотно-независимая ОС влияет на полосу пропускания.

24. Каким элементом определяется входное сопротивление полевого транзистора.

25. Какую ОС необходимо ввести, чтобы уменьшить входную ёмкость.

26. Записать выражение для сквозного коэффициента усиления по напряжению б/п транзистора в схеме с ОЭ.

27. Чем ограничивается динамический диапазон усиления. Связь динамического диапазона усиления и динамического диапазона сигнала.

28. В каком из усилителей с ОС входное сопротивление больше, если усилители отличаются только способом подключения цепи ОС к нагрузке.

29. Входное сопротивление б/п транзистора в схеме с ОЭ.

30. Как влияет параллельная и последовательная ОС на входное и выходное сопротивления соответственно.

31. Обратные связи. Основные определения и классификация. Примеры схем с ОС.

32. В каком случае динамический диапазон усилителя будет равен ∞.

33. Спектральные показатели усилительных устройств.

34. Влияние ОС на входное сопротивление усилителя.

35. Схемы питания б/п транзистора со стабилизацией режима работы.

36. Построение выходной динамической характеристики по переменному току.

37. Методы повышения термостабильности режима работы в схемах на б/п транзисторе.

38. Какое влияние оказывает ОС на нелинейные искажения на выходе усилителя.

ТИПОВЫЕ ЗАДАЧИ

к коллоквиуму по Схемотехнике АЭУ

1. Определить коэффициент усиления по току, если R_Г=2 кОм; R_ВХ=8 кОм; R_Н=8 Ом; К=100.

2. Изменение параметра К₀=100 составляет ±10%. Найти глубину ОС, при которой изменение К_ОС не превышало бы 1%.

3. Определить коэффициент усиления по мощности, если R_Г=2 кОм; R_ВХ=8 кОм; R_Н=8 Ом; К_U=100.

4. Изменение К₀=100 составляет ±10%. Найти коэффициент передачи цепи ОС, при котором изменение коэффициента усиления К_ОС не превышает 1%.

5. Определить коэффициент усиления по мощности и выходную мощность, если R_Н=R_ВХ=75 Ом; K=26 дБ; U_ВХ=0,6 В.

6. В усилитель с параметрами R_Г=1 кОм; R_ВХ=10 кОм; C_ВХ=10 пФ ввели ООС с глубиной А=10. Определить граничную частоту после введения ОС.

7. Докажите, что частота полюса f_P для схемы

равна f_P=1/2πC₁(R₁+R₂)

8. Определить ёмкость конденсатора С₁ для получения граничной частоты f=50 Гц при R₁=1 кОм; R₂=3 кОм.

9. Определить граничную частоту при R₁=1 кОм; R₂=3 кОм; C₂=100 пФ.

10. В усилитель с граничной частотой f _-3дБ=10 кГц введена ОС с глубиной А=20. Определить граничную частоту усиления после введения ОС.

11. Определить коэффициент гармоник в усилителе с ОС при глубине А=20, если без ОС он равен 6%.

12. Из какого числа каскадов N с одинаковым усилением 14 дБ должен состоять усилитель с коэффициентом усиления К=25.

13. При введении ОС напряжение на выходе усилителя упало на 10 дБ. Найти коэффициент усиления без ОС, если β=0,2.

14. Определить время установления и граничную частоту у трёхкаскадного усилителя, если ty₁=10 нС; ty₂=20 нС; ty₃=30 нС.

Методические указания при подготовке к коллоквиуму

1. На коллоквиум выносится материал первых пяти тем (до реостатного каскада).

2. Кроме теоретических вопросов в билетах предлагается решить 1 – 2 задачи. Задачи простые*, но требуют знаний формул, которые Вы рассматривали при изучении теоретического материала.

3. Билеты содержат по 3 вопроса. Вопросы подобраны по тематическому принципу, а ответы оцениваются следующим образом:

«5» - 10 баллов;

«4» - 7 баллов;

«3» - 3 балла;

«2» - минус 3 балла;

4. Таким образом, для успешной сдачи коллоквиума необходимо знать материал пяти тем (до реостатного каскада), а также уметь решать типовые задачи*.

5. При подготовке к коллоквиуму следует обратить внимание на расчетные формулы, используемые в задачах. Вывод формул конечных результатов не требуется. Но необходимо пояснить параметры, входящие в них. При рассмотрении эквивалентных схем необходимо привести собственно ЭС и пояснить элементы, входящие в нее, а также записать требуемый параметр (без вывода формулы).

6. Необходимо помнить, что результат коллоквиума влияет на оценку на экзамене, а сама подготовка к коллоквиуму, по сути, есть подготовка к экзамену.

____________________________________________________________________

*задачи прорешать самостоятельно, ответы свести в таблицу.