$$$ Какая из перечисленных зон является зоной телевизионного приема?
-
зона тени;
-
зона полутени;
-
зона прямой видимости;
-
зона отражения;
-
нет правильного ответа.
$$$ Преобразование сообщений с целью защиты их от несанкционированного доступа называют?
-
Кодированием
-
Шифрованием
-
Криптографией
-
Расшифровкой
-
Архивированием
-
Суммированием
-
Нет правильного ответа
$$$ Сосредоточенными по спектру помехи называют?
-
Флуктакционные
-
Аддитивные
-
Мультипликативные
-
Веерные
-
Ветровые
$$$ Физическая среда используемая для передачи сигналов от передатчика к приемнику называется:
-
Волноводы
-
Кабели
-
волоконно-оптическая линия
-
Линией прохождения информации
-
Линией канала
-
Линией помех
-
Нет правильного ответа
$$$ Совокупность средств, предназначенных для передачи сообщений называется:
-
Каналом связи
-
Линия связи
-
Тракт связи
-
Каналом помех
-
Каналом информации
-
Каналом анализа
-
Нет правильного ответа
$$$ В зависимости от характера устойчивых состояний генераторы прямоугольных импульсов подразделяются на:
-
бистабильные
-
моностабильные
-
астабильные
-
нестабильные
-
комбинированные
$$$ Формы отображения логических операций
-
Буквенная
-
Аналитическая
-
Символическая
-
Интегральная
-
Периодическая
-
Языковая
$$$ Какие резисторы используются в электронной технике
-
Постоянные
-
Переменные
-
Подстроечные
-
Изменяющиеся
-
Колебательные
$$$ В каких устройствах резисторы должны обладать только активным сопротивлением:
-
колебательных контурах
-
усилителях высокой частоты
-
аттенюаторах
-
компараторах
-
иммитатарах
-
сумматорах
$$$ Во всех полупроводниках сильная зависимость удельного электрического сопротивления зависит от:
-
воздействия полей
-
изменения температуры
-
ионизированного излучения
-
светового воздействия
-
колебаний энергии
-
вибрации
-
равновесного режима
$$$ Какие переходы используются в полупроводниковой технике
-
электронно-дырочный
-
металл – полупроводник
-
между двумя областями полупроводника одного типа
-
металл-металл
-
полупроводник- диэлектрик
-
металл-диэлектрик
-
электронно-металлический
-
дырочно-электрический
$$$ Полупроводниковые диоды применяется в устройствах электроники для цепей:
-
усиления напряжения;
-
стабилизации напряжения;
-
регулирования напряжения;
-
защиты от перенапряжений;
-
все ответы неверные
-
уменьшения напряжения
$$$ Основные параметры полупроводниковых точечных диодов
-
линейные размеры площади p-n-перехода очень малы и соизмеримы с его шириной
-
p-n-переход создается около контакта острия металлической пружины с полупроводниковым кристаллом n-типа
-
имеют малую емкость p-n-перехода благодаря его небольшим размерам
-
габариты корпуса имеют маленький размер
-
p-n переход имеет очень малое сопротивление
$$$ Основными параметрами выпрямительных диодов являются:
-
прямое напряжение
-
обратный ток
-
сопротивление диода в прямом направлении
-
емкость диода в прямом направлении
-
заданное обратное напряжение
-
заданный обратный ток
$$$ В целях обеспечения длительной и надежной работы диодов нельзя превышать:
-
максимально допустимое обратное напряжение
-
максимально допустимую мощность, рассеиваемую диодом
-
максимально допустимый постоянный прямой ток
-
максимально допустимый уровень сопротивления
-
максимально допустимый предел ёмкости
-
максимально допустимый порог срабатывания
-
максимально допустимый уровень напряженности
$$$ Основные параметры характеризующие импульсные диоды:
-
Общая ёмкость диода
-
Максимальное импульсное прямое напряжение
-
Максимально допустимый импульсный ток
-
Общее сопротивление диода
-
Общая частота импульсов
-
Максимально допустимое сопротивление
-
Длительность импульсов
-
Минимальное импульсное прямое напряжение
$$$ Основные особенности выпрямительных диодов Шотки:
-
меньше прямое напряжение
-
большая максимально допустимая плотность прямого тока
-
хороший теплоотвод из-за наличия металлической подложки
-
большое прямое напряжение
-
хороший теплоотвод из-за наличия большой поверхности
-
большая максимально допустимая плотность обратного тока
-
большой прямой ток
$$$ Структура биполярного транзистора состоит из следующего слоя
-
Эмиттера
-
Базы
-
Коллектора
-
Триода
-
Стока
-
Конектора
$$$ При приложении к эмиттерному переходу прямого напряжения начинается:
-
Усиленная диффузия дырок из эмиттера в базу
-
Усиленная инжекция дырок из эмиттера в базу
-
Усиленный перенос дырок из эмиттера в базу
-
Усиленная диффузия электронов из эмиттера в базу
-
Усиленная инжекция электронов из эмиттера в базу
$$$ При увеличении тока базы биполярного транзистора
-
растет прямое напряжение на эмиттерном переходе
-
растет инжекция носителей из эмиттера в базу
-
увеличивается ток эмиттера
-
растет обратное напряжение на эмиттерном переходе
-
растет инжекция носителей из эмиттера в коллектор
-
увеличивается обратный ток эмиттера
$$$ Коэффициенты передачи токов транзистора α и β зависят от ча- стоты, это связано с инерционностью процессов происходящих в транзисторе:
-
От прохождении носителей заряда через базовый слой
-
При изменением концентрации носителей в базе
-
От диффузии неосновных носителей к коллектору
-
От усиленныя переноса дырок из эмиттера в базу
-
От усиленная диффузия электронов из эмиттера в базу
-
Из-за большой максимально допустимой плотности прямого тока
-
При изменением концентрации носителей в коллекторе
30 $$$ Полевые транзисторы с управляющим р-п- переходом состоят из