ТЭСТ ОЭиИТ
.docxТесты по дисциплине
«Основы электроники и измерительной техники».
< question > Какие подвижные носители являются основными в полупроводнике n-типа
<variant> электроны
<variant> положительные ионы
<variant> отрицательные ионы
<variant> дырки
<variant> позитроны
< question > Что такое диффузия носителей в полупроводнике
<variant> движение за счет разности концентраций
<variant> хаотическое тепловое движение носителей
<variant> движение носителей за счет электрического поля
<variant> движение за счет разных типов проводимости носителей
<variant> движение за счет разности температур
< question > Какова вольтамперная характеристика туннельного диода
<variant>
<variant>
<variant>
<variant>
<variant>
< question > Что такое активный режим работы транзистора
<variant> эмиттерный переход открыт, коллекторный переход закрыт
<variant> эмиттерный переход закрыт, коллекторный переход открыт
<variant> режим, при котором имеют место только эквивалентные активные сопротивления и отсутствуют эквивалентные емкостные сопротивления
<variant> эмиттерный и коллекторный переходы закрыты
<variant> эмиттерный и коллекторный переходы открыты
< question > Что такое дрейф подвижных носителей в полупроводнике
<variant> движение носителей за счет электрического поля
<variant> хаотическое тепловое движение
<variant> движение за счет разности концентраций
<variant> движение за счет разных типов проводимости носителей
<variant> движение за счет разности температур
< question > Какие подвижные носители являются основными в полупроводнике p-типа
<variant> дырки
<variant> позитроны
<variant> электроны
<variant> положительные ионы
<variant> отрицательные ионы
< question > Как изменяется толщина p-n перехода при обратном включении
<variant> увеличивается
<variant> уменьшается
<variant> не изменяется
<variant> толщина перехода сначала увеличивается, затем за счет увеличения падения напряжения уменьшается
<variant> сначала уменьшается, затем за счет увеличения тока увеличивается
< question > Куда перемещаются электроны через p-n переход за счет электрического поля
<variant> из p-области в n-область
<variant> из n-области в p-область
<variant> равновероятно в обоих направлениях
<variant> это зависит от концентрации акцепторной примеси
<variant> это зависит от концентрации донорной примеси
< question > Для чего применяются опорные диоды
<variant> для стабилизации напряжения
<variant> для усиления слабых сигналов
<variant> для преобразования частоты
<variant> для выпрямления переменного тока
<variant> для генерирования затухающих колебаний
< question > Какой оптрон изображен на рисунке
<variant> фототиристорный
<variant> варикапный
<variant> фоторезисторный
<variant> фототранзисторный
<variant> фотодиодный
< question > Какой оптрон изображен на рисунке
<variant> фотодиодный
<variant> фототиристорный
<variant> варикапный
<variant> фоторезисторный
<variant> фототранзисторный
< question > Какой оптрон изображен на рисунке
<variant> фоторезисторный
<variant> фототранзисторный
<variant> фотодиодный
<variant> фототиристорный
<variant> варикапный
< question > Укажите обратную ветвь вольтамперной характеристики опорного диода
<variant>
<variant>
<variant>
<variant>
<variant>
< question > Как обозначается диод Шоттки
<variant>
<variant>
<variant>
variant>
<variant>
< question > Для чего применяются стабилитроны
<variant> для стабилизации напряжения
<variant> для усиления слабых сигналов
<variant> для преобразования частоты
<variant> для выпрямления переменного тока
<variant> для генерирования незатухающих колебаний
< question > Как обозначается варикап
<variant>
<variant>
<variant>
<variant>
<variant>
< question > Какое свойство p-n перехода используется в работе выпрямительного диода
<variant> односторонняя проводимость
<variant> барьер Шоттки
<variant> барьерная емкость p-n перехода
<variant> лавинный пробой
<variant> туннельный пробой
< question > Какое свойство p-n перехода используется в работе туннельного диода
<variant> туннельный пробой
<variant> односторонняя проводимость
<variant> барьер Шоттки
<variant> барьерная емкость p-n перехода
<variant> лавинный пробой
< question > Что такое дрейф носителей в полупроводнике
<variant> движение носителей за счет электрического поля
<variant> хаотическое тепловое движение
<variant> движение за счет разности концентраций
<variant> движение за счет разных типов проводимости носителей
<variant> правильного ответа нет
< question > Примеси какой валентности обеспечивают получение полупроводников р-типа
<variant> с валентностью меньшей, чем у исходного материала
<variant> четырехвалентные
<variant> пятивалентные
<variant> с валентностью большей, чем у исходного материала
<variant> с валентностью равной валентности исходного материала
< question > Что такое р-n переход
<variant> обедненный подвижными носителями заряда контакт двух полупроводников с разным типом проводимости
<variant> скачок потенциала на границе различных полупроводников
<variant> барьер Шоттки
<variant> контакт металл-полупроводник
<variant> область между полупроводниками различных типов, соприкасающиеся м/у собой
< question > Какое включение р-n перехода называется обратным
<variant> плюс внешнего источника к n-области, минус – к р-области
<variant> плюс внешнего источника к p-области, минус – к n-области
<variant> уменьшающее скачок потенциала на p-n переходе
<variant> способствующее движению неподвижных носителей к р-n переходу
<variant> способствующее движению подвижных носителей к р-n переходу
< question > Укажите кривую распределения потенциала на p-n переходе при прямом включении (кривая до включения отмечена пунктиром)
<variant>
<variant>
<variant>
<variant>
<variant>
< question > В каком направлении перемещаются дырки ч/з переход за счет диффузии
<variant> из р- области в n область
<variant> из n- области в p область
<variant> равновероятно в обоих направлениях
<variant> это зависит от концентрации акцепторной примеси
<variant> это зависит от концентрации донорной примеси
< question > Примеси какой валентности обеспечивают получение полупроводников
n-типа
<variant> с валентностью больше, чем у исходного материала
<variant> с валентностью меньше, чем у исходного материала
<variant> трех и четырехвалентные
<variant> трехвалентные
<variant> четырехвалентные
< question > Где располагается уровень Ферми у вырожденных примесных полупроводников р-типа
<variant> в валентной зоне
<variant> в зоне проводимости
<variant> вблизи валентной зоны
<variant> вблизи зоны проводимости
<variant> посредине запрещенной зоны
< question > Какова зависимость тока через р-n переход от величины приложенного внешнего напряжения
<variant> I=I0(eU/т -1)
<variant> I=I0(1-eU/т)
<variant> I=US/2
<variant> ток от напряжения не зависит
<variant> I=aU3/2
< question > В каком направлении перемещаются дырки через р-n переход за счет электрического поля
<variant> из n-области в р-область
<variant> равновероятно в обоих направлениях
<variant> это зависит от концентрации акцепторной примеси
<variant> Это зависит от концентрации донорной примеси
<variant> из р-области в n-область
< question > Как изменяется толщина р-n перехода при обратном включении
<variant> увеличивается
<variant> уменьшается
<variant> не изменяется
<variant> толщина перехода сначала увеличивается, затем за счет увеличения падения напряжения уменьшается
<variant> сначала уменьшается затем за счет увеличения тока увеличивается
< question > Какое свойство p-n перехода используется в работе варикапа
<variant> барьерная емкость p-n перехода
<variant> лавинный пробой
<variant> туннельный пробой
<variant> односторонняя проводимость
<variant> барьер Шоттки
< question > Для чего применяются кремниевые стабилитроны
<variant> для стабилизации напряжения
<variant> для усиления слабых сигналов
<variant> для преобразования частоты
<variant> для выпрямления переменного тока
<variant> для генерирования затухающих колебаний
< question > Какой диод используется для стабилизации напряжения
<variant> стабилитрон
<variant> туннельный
<variant> выпрямительный
<variant> Шоттки
<variant> варикап
< question > Какой диод используется в качестве емкости
<variant> варикап
<variant> стабилитрон
<variant> туннельный
<variant> выпрямительный
<variant> Шоттки
< question > Какой диод используется для выпрямления переменного тока
<variant> выпрямительный
<variant> Шоттки
<variant> варикап
<variant> стабилитрон
<variant> туннельный
< question > Какой диод имеет участок отрицательного сопротивления на вольтамперной характеристике
<variant> туннельный
<variant> выпрямительный
<variant> Шоттки
<variant> варикап
<variant> стабилитрон
< question > Для чего применяются выпрямительные диоды
<variant> для выпрямления переменного тока
<variant> для генерирования затухающих колебаний
<variant> для стабилизации напряжения
<variant> для усиления слабых сигналов
<variant> для преобразования частоты
< question > Для чего применяются варикапы
<variant> [+] в качестве конденсаторов
<variant> для выпрямления переменного тока
<variant> для генерирования затухающих колебаний
<variant> для стабилизации напряжения
<variant> для усиления слабых сигналов
< question > Какому режиму соответствуют точки пересечения вольтамперных характеристик фотодиода с осью абсцисс
<variant> режим холостого хода
<variant> режим короткого замыкания
<variant> активный режим
<variant> режим насыщения
<variant> режим отсечки
< question > Как называется движение носителей за счет электрического поля
<variant> дрейф
<variant> хаотическое тепловое движение
<variant> эмиссия
<variant> инжекция
<variant> диффузия
< question > Как называется движение носителей за счет разности концентраций примесей
<variant> диффузия
<variant> дрейф
<variant> хаотическое тепловое движение
<variant> эмиссия
<variant> инжекция
< question > Как называется движение основных носителей при прямом смещении p-n перехода
<variant> инжекция
<variant> диффузия
<variant> дрейф
<variant> хаотическое тепловое движение
<variant> эмиссия
< question > Какую логическую операцию выполняет схема ЭСЛ
<variant> операции ИЛИ/НЕ и ИЛИ
<variant> исключающее ИЛИ
<variant> ИЛИ-НЕ
<variant> И-НЕ
<variant> операцию И
< question > Что такое микроэлектронная функциональная схема
<variant> это кристалл, выполняющий какие-либо функции электронного устройства, но не содержащий отдельных радиоэлементов
<variant> это микросхема, в которой все элементы выполнены в виде пленок из различных материалов
<variant> это микросхема, в которой пассивные элементы выполнены в виде пленок из различных материалов, а активные – выполненные в микроминиатюрном исполнении крепятся навесным монтажом
<variant> это микросхема, в которой все элементы формируются внутри полупроводникового кристалла
<variant> это микросхема, в которой активные элементы формируются внутри полупроводникового кристалла, а пассивные – в виде пленок располагаются сверху
< question > Какую логическую операцию выполняет схема ТТЛ
<variant> И-НЕ
<variant> операцию И
<variant> операции ИЛИ/НЕ и ИЛИ
<variant> исключающее ИЛИ
<variant> ИЛИ-НЕ
< question > то происходит при смещении p-n перехода в прямом направлении
<variant> инжекция
<variant> дрейф носителей
<variant> броуновское движение носителей
<variant> диффузия
<variant> экстракция
< question > акое свойство p-n перехода используется в работе стабилитрона
<variant> лавинный пробой
<variant> туннельный пробой
<variant> односторонняя проводимость
<variant> барьер Шоттки
<variant> барьерная емкость p-n перехода
< question > акие подвижные носители являются неосновными в полупроводнике n-типа
<variant> дырки
<variant> позитроны
<variant> электроны
<variant> положительные ионы
<variant> отрицательные ионы
< question > Как называется микросхема, в которой активные элементы формируются внутри полупроводникового кристалла, а пассивные – в виде пленок располагаются сверху
<variant> совмещенная ИМС
<variant> монолитная ИМС
<variant> функциональная ИМС
<variant> пленочная ИМС
<variant> гибридная ИМС
< question > Какие подвижные носители являются неосновными в полупроводнике p-типа
<variant> электроны
<variant> положительные ионы
<variant> отрицательные ионы
<variant> дырки
<variant> позитроны
< question > С какой целью применяются опорные диоды
<variant> для стабилизации напряжения
<variant> для усиления слабых сигналов
<variant> для преобразования частоты
<variant> для выпрямления переменного тока
<variant> для генерирования незатухающих колебаний
< question > В качестве усилительных элементов (УЭ) обычно используется…
<variant> транзисторы;
<variant> диоды
<variant> тиристоры
<variant> варикапы
<variant> динисторы
< question > Ku=Uвых / uвх
<variant> коэффициент усиления по напряжения
<variant> коэффициент усиления по мощности
<variant> коэффициент усиления по току
<variant> коэффициент полезного действия
<variant> выходная мощность
< question > Kj = Iвых /Iвх
<variant> коэффициент усиления по току
<variant> коэффициент усиления по мощности
<variant> коэффициент усиления по напряжения
<variant> коэффициент полезного действия
<variant> выходная мощность
< question > Рвых = Uвых2 /Uвх = Uвых2/2Rн
<variant> выходная мощность
<variant> коэффициент усиления по мощности
<variant> коэффициент усиления по току
<variant> коэффициент усиления по напряжения
<variant> коэффициент полезного действия
< question > = Рвых / Р0.
<variant> коэффициент полезного действия
<variant> коэффициент усиления по мощности
<variant> коэффициент усиления по току
<variant> коэффициент усиления по напряжения
<variant> выходная мощность
< question > Устройство, предназначенная для получения большей мощности в нагрузке, чем мощность подаваемого сигнала на входе, с сохранением информационных свойств сигнала в указанных пределах.
<variant> Усилитель
<variant> Транзистор
<variant> Тиристор
<variant> Варикап
<variant> Динистор
< question > Назначение усилительного устройства
<variant> повышение мощности входного сигнала
<variant> повышение тока входного сигнала
<variant> повышение напряжения входного сигнала
<variant> повышение тока выходного сигнала
<variant> повышение мощности выходного сигнала
< question > Как представляются элементы электрической схемы усилительного устройства при анализе с помощью обобщенного метода узловых потенциалов?
<variant> в виде проводимостей
<variant> в виде сопротивлений
<variant> в виде гибридных параметров
<variant> в виде диэлектрика
<variant> в виде полупроводника
< question > Зависимость значения крутизны от частоты сильнее:
<variant> в биполярном транзисторе
<variant> в полевом транзисторе
<variant> в диоде
<variant> в стабилитроне
<variant> во всех случаях одинаково
< question > Чему равен коэффициент усиления тока в каскаде с ОБ?
<variant> меньше единицы;
<variant> больше единицы
<variant> равно единицы
<variant> меньше или равно единицы
<variant> зависит от типа проводимости примененного транзистора
< question > Чему равен коэффициент усиления напряжения в каскаде с ОК?
<variant> меньше единицы;
<variant> больше единицы
<variant> равно единицы
<variant> меньше или равно единицы
<variant> зависит от типа проводимости примененного транзистора
< question > В какой из схем включения биполярного транзистора, при прочих равных условиях, достигается наибольшее усиление по мощности?
<variant> ОЭ;
<variant> ОК;
<variant> ОБ
<variant> ОЭ и ОК
<variant> ОК и ОБ
< question > Определите тип соединения двухтранзисторных усилителей изображенной на схеме:
<variant> ОЭ – ОЭ;
<variant> ОЭ – ОБ;
<variant> ОЭ – ОК
<variant> ОБ – ОБ
<variant> ОБ – ОЭ;
< question > Определите тип соединения двухтранзисторных усилителей изображенной на схеме:
<variant> ОЭ – ОК;
<variant> ОЭ – ОБ;
<variant> ОЭ – ОЭ
<variant> ОБ – ОБ
<variant> ОБ – ОЭ;
< question > Определите тип соединения двухтранзисторных усилителей изображенной на схеме:
<variant> ОБ – ОБ;
<variant> ОЭ – ОБ;
<variant> ОЭ – ОЭ;
<variant> ОЭ – ОК;
<variant> ОБ – ОЭ;
< question > Определите тип соединения двухтранзисторных усилителей изображенной на схеме:
<variant> ОБ – ОЭ
<variant> ОЭ – ОБ;
<variant> ОЭ – ОЭ;
<variant> ОЭ – ОК;
<variant> ОБ – ОБ;
< question > Определите тип соединения двухтранзисторных усилителей изображенной на схеме:
<variant> ОЭ – ОК
<variant> ОЭ – ОБ;
<variant> ОЭ – ОЭ;
<variant> ОБ – ОЭ;
<variant> ОБ – ОБ;
< question > Определите тип соединения двухтранзисторных усилителей изображенной на схеме:
<variant> ОБ – ОК
<variant> ОЭ – ОБ;
<variant> ОЭ – ОЭ;
<variant> ОБ – ОЭ;
<variant> ОБ – ОБ
< question > Определите тип соединения двухтранзисторных усилителей изображенной на схеме:
<variant> ОК – ОЭ;
<variant> ОЭ – ОБ;
<variant> ОЭ – ОК;
<variant> ОБ – ОК;
<variant> ОБ – ОЭ.
< question > Определите тип соединения двухтранзисторных усилителей изображенной на схеме:
<variant> ОК – ОБ
<variant> ОК – ОЭ;
<variant> ОЭ – ОК;
<variant> ОБ – ОК;
<variant> ОБ – ОЭ.
< question > Определите тип активного фильтра изображенного на схеме:
<variant> Фильтр нижних частот первого порядка с одноконтурной ОС;
<variant> Фильтр нижних частот второго порядка;
<variant> Фильтр верхних частот первогопорядка с одноконтурной ОС;
<variant> Полосовой фильтр;
<variant> Заграждающий фильтр.
< question > Определите тип активного фильтра изображенного на схеме:
<variant> Фильтр нижних частот второго порядка
<variant> Фильтр нижних частот первого порядка с одноконтурной ОС;
<variant> Фильтр верхних частот первого порядка с одноконтурной ОС
<variant> Полосовой фильтр;
<variant> Заграждающий фильтр.
< question > Как обозначается варикап
<variant>
<variant>
<variant>
<variant>
<variant>
< question > Укажите схему включения стабилитрона
<variant>
<variant>
<variant>
<variant>
<variant>
< question > Укажите обратную ветвь вольтамперной характеристики стабилитрона
<variant>
<variant>
