voud2 / VOUD_ESAU
.docҚазақстан Республикасы Білім және ғылым министрлігі
Е.А. Бөкетов атындағы Қарағанды мемлекеттік университеті
«Электроника және аналогтық құрылғылардың схемотехникасы»
пәні бойынша
5В071900 – Радиотехника, электроника және телекоммуникациялар
мамандығы үшін
қазақ тілінде күндізгі бөлімдер үшін
ТЕСТІК ТАПСЫРМАЛАР
Құрастырушылар:
т.ғ.к., доцент __________Айкеева.А.А,
Радиофизика және электроника
кафедрасының меңгерушісі __________Ж.Т.Исмаилов
Тестік тапсырмалар саны: 100
Құрастырылған күні: 31.03.14
ВОУД сынау-тестілеуіне арналған
$$$ 1
Зарядты тасымалдауыштың экстракциясы дегеніміз не:
A) Электр өрісімен үдетілетін p-n өткел арқылы заряд тасымалдауыштарды өткізу.
B) Заряд тасымалдауыштардың диффузиялық қозғалысы.
C) Заряд тасымалдаушылардың инжекциясына қарама-қарсы құбылыс.
D) Латын тілінен аударғанда шығару дегенді білдіреді.
E) Туннельдік көбеюге әкелетін заряд тасымалдауыштардың қозғалысы.
F) Рекомбинацияға әкеліп соқтыратын әртүрлі типті заряд тасымалдауыштардың қарама-қарсы қозғалысы.
G) Лавиналық көбеюге әкелетін заряд тасымалдауыштардың қозғалысы.
H) Заряд тасымалдаушылардың концентрациясының көбеюі.
$$$ 2
P-n өткелдерді құру жолдары арқылы ИМС-те...мыналарды алуға болады:
A) Транзистор, диод.
B) Стабилитрон.
C) Тиристор
D) Транзистор.
E) Конденсатор.
F) Индуктивтілік.
G) Трансформатор.
H) Варикап.
$$$ 3
Кері кернеудің мәні белгілі аумалы шамаға жеткен кезінде р- п өткелінде тоқтың шұғыл өсуін р-п өткелінің:
A) Жойылуы.
B) Аударылуы.
C) Тесілуі.
D) Төңкерілуі.
E) Көшірілуі.
F) Жыртылуы.
G) Кетуі.
H) Шашырауы.
$$$ 4
Туннелдік, пәрменді ағындық, жылуылық, сыртқы беттік бұл:
A) Жойылуы.
B) Аударылуы.
C) Тесілуі.
D) Төңкерілуі.
E) Көшірілуі.
F) Жыртылуы.
G) Кетуі.
H) Шашырауы.
$$$ 5
Өткізгіштігінің типі әр түрлі жартылайөткізгіштің екі облысының шекарасындағы потециалдың секіруі немен түсіндіріледі:
A) Қозғалмайтын тасушылардың әр түрлі концентрациясымен.
B) Сыртқы тоқ көзінің болуымен.
C) p-n ауысудың екі жағынан да компенсацияланбаған электр қабатының болуымен.
D) Кристалл тордың құрылымының өзгеруімен.
E) p-n өткел арқылы қозғалатын тасушыларды инжекциялаумен.
F) Көлемдік зарядтың есебінен екі еселік электр қабатының болуымен.
G) Ішкі тоқ көзінің болуымен.
H) Тоқ көзінің болуымен.
$$$ 6
Қозғалатын тасушылардың концентрациясы қайда көп, p-n ауысу аймағында немесе оған түйіскен жартылай өткізгіш облыстарында ма?
A) p-n ауысу аймағында.
B) Түйіскен p-аймақта.
C) Түйіскен n-аймақта.
D) Шамамен бірдей.
E) p-n өткелге түйіскен жартылай өткізгіштер аймақтарында.
F) p-n ауысу облысында.
G) Өткізгіштік аймақта.
H) р-n өткелдің түйіскен аймағында.
$$$ 7
Дроссельдердің негізгі қолдану аясы:
A) тұрақты ток тізбегінде үлкен кедергі туғызу.
B) Кернеудің пульсациясын азайту.
C) Айнымалы ток тізбегінде үлкен кедергі, тұрақты токқа төменгі кедергі көрсету.
D) Айнымалы токқа төменгі, тұрақты токқа үлкен кедергі көрсету.
E) Тоқтың жиіліктік құраушысын түзету және тоқтың айнымалы құраушысынан айырылу үшін.
F) Тұрақты токқа жоғары индуктивтілік туғызу.
G) Айнымалы токқа төменгі индуктивтілікті туғызу.
H) Кернеудің пульсациясын көбейту.
$$$ 8
Индуктивті катушкаларда қолданылатын магниттік материалдардың жиі кездесетін формасы:
A) Бронды.
B) Шеңбер.
С) Сақина.
D) Ашық.
Е) Сфералық.
F) Тұйық.
G) Трапеция.
H) Жабық.
$$$ 9
Транзистор:
A) Басқарушы электрод.
B) Үш электродты прибор.
C) Үш контактасы бар прибор.
D) Жартылай өткізгішті диод.
E) р – типті жартылай өткізгіш.
F) Коллекторы мен базасы бар құрал.
G) n – типті жартылай өткізгіш.
H) Екі электродты прибор
$$$ 10
Стабилитрондардың қолдану аясы:
A) Токты тұрақтандыру.
B) Кернеуді тұрақтандыру.
C) Токты түзету.
D) Жылдамдылық, ауысудың тура кернеуі.
E) Кернеуді күшейту.
F) Ұзақтықы 5 нс-тан кем импульсті.
G) Пульсацияны тегістеу.
H) Пульсацияны көбейту.
$$$ 11
Жартылай өткізгіш диодтың негізгі сипаттамалары:
A) Импульстық ток.
B) Кемтіктер мен электрондар.
C) Таралудың шектік қуаты.
D) Тура ток.
E) Тура кернеудің шекті мәні.
F) Жылдамдылық, ауысудың тура кернеуі.
G) Температура, кедергі, жиілік.
H) Кедергі мен жиілік.
$$$ 12
Стабилитронның негізгі параметрлері:
A) Максималды тура ток және кернеу.
B) Температуралық коэффициенті.
C) Қосу кернеуі және басқару тоғы.
D) Стабилизациялау ток.
E) Максималды және минималды ток күші.
F) Шығын туғызушы ток, жылдамдылық, анод тоғы.
G) База және коллектор тоғы.
H) База мен эмиттер тоғы.
$$$ 13
Қандай шалаөткізгіш n-тектес деп аталады?
A) Береген қоспалары өте коп шалаөткізгіштер.
B) Алаған қоспалары өте коп шалаөткізгіштер.
C) Қоспалары жоқ таза шалаөткізгіштер.
D) Донорлармен легирленбеген меншікті шалаөткізгіш.
E) Бұндай шалаөткізгіштер болмайды.
F) Негізгі заряд тасушылары болмайтын жартылайөткізгіштер.
G) Негізгі заряд тасушылар кемтіктер болатын шалаөткізгіштер.
H) Акцепторлармен легирленген меншікті жартылайөткізгіштер.
$$$ 14
Қандай шалаөткізгіш р-тектес деп аталады?
A) Береген қоспалары өте коп шалаөткізгіштер.
B) Алаған қоспалары өте коп шалаөткізгіштер.
C) Негізгі заряд тасушылары қоспа болатын жартылайөткізгіштер.
D) Қоспалары жоқ таза шалаөткізгіштер.
E) Донорлармен легирленген меншікті шалаөткізгіш.
F) Береген және алаған қоспалары бірдей шалаөткізгіштер.
G) Бұндай шалаөткізгіштер болмайды.
H) Негізгі заряд тасушылар электрондар болатын шалаөткізгіштер.
$$$ 15
Кіріс сигналдарын инверттеу қасиетіне ие болу үшін айнымалы кернеу күшейткіші қанша каскадтан тұру керек?
A) 6.
B) 5.
C) 2.
D) кез келген жұп сан.
E) 8.
F) 7.
G) 4.
H) кез келген тақ сан.
$$$ 16
Электро сүзгі дегеніміз:
A) Бір жиіліктердің электрлік тербелістерін өткізіп екінші жиіліктердің электрлік тербелістерін ұстап қалатын құрылғы.
B) Барлық жиіліктердің электрлік тербелістерін ұстап қалатын құрылғы.
C) Барлық жиіліктердің электрлік тербелістерін өткізетін құрылғы.
D) Электро сүзгілер жиіліктерге қатысы жоқ.
E) Аэрозольді, қатты және сұйық заттардан газды тазарту электр күштерінің әсерінен болатын құрылғы.
F) Үнемі келіп отырған жиілктердің электрлік тербелістерін кері қайтарып жіберетін құрылғы.
G) Технологиялық процесстер кезінде пайда болатын қатты қоспалардан газды тазарту үшін қолданылатын құрылғы.
H) Цифрлық есептеуіш машиналардың күшейткіші.
$$$ 17
Инвертор:
A) Тұрақты кернеуді айнымалы кернеуге түрлендіруші.
B) Тұрақты тоқты айнымалы тоққа түрлендіруші.
C) Тұрақты кернеуді тұрақты кернеуге түрлендіруші, бірақ деңгейі өзгеше (кіріс кернеуді айнымалыға аралық түрлендіру және қажетті деңгейге трансформация).
D) Айнымалы тоқты тұрақты тоққа түрлендіреді.
E) Бір кірісі және бір шығысы бар электрондық құрылғы.
F) Дұрыс жауап жоқ.
G) Аналогтық есептеуіш машиналардың күшейткіші.
H) Цифрлық есептеуіш машиналардың күшейткіші.
$$$ 18
Буферлік күшейткіш бұл қандай күшейткіш?
A) Тоқ бойынша күшейту коэффициенті жоғары.
B) Қайталағыш болып табылатын күшейткіш.
C) Кернеу бойынша күшейту коэффиценті жоғары.
D) Бір мезетте тоқ және кернеу бойынша дабылдарды күшейтетін.
E) Өрістік транзистор негізінде жасалған күшейткіш.
F) Операциондық күшейткіш негізінде жасалынған күшейькіш.
G) Шығыс кедергісі нөлдік болатын кернеу генераторы.
H) Биполярлы транзистор негізінде жасалған күшейткіш.
$$$ 19
Шалаөткізгіш- бұл. . . материал:
A) Тоқты бір бағытта өткізетін.
B) Бөлме температурасында (300К) шалаөткізгіштік қасиеттері анық байқалатын.
C) Тек қана тұрақты тоқты өткізеттін.
D) Тек қана айнымалы тоқты өткізетін.
E) Кедергісі,изолятор мен өткізгіштердің арасында орын алатын.
F) Менделеевтің периодтық жүйесінде 4 топта орын алатын.
G) Электр өткізгіштігі (σ) бойынша металдар мен диэлектриктердің арасынан орын алатын.
H) Тоқты кері бағытта өткізетін.
$$$ 20
Шала өткізгішті диод – бұл . . . құрылғы:
A) Сызықты сипаттамасы бар.
B) Сызықты емес сипаттамасы бар.
C) Тура қосу кезінде сызықтық емес сипаттамасы бар, ал кері қосу кезінде.
D) Сызықтық сипаттамасы бар.
E) Бір электродты жартылайөткізгіш.
F) Тура қосу кезінде сызықтық сипаттамасы бар, ал кері қосу кезінде сызықтық емес сипаттамасы бар.
G) Осеметриялық сипаттамасы бар.
H) Бір n-өткелі бар.
$$$ 21
Интегралды микросұлба - бұл микроэлектронды өндірістің бұйымы, арналған:
A) Ақпаратты түрлендіруге.
B) Ақпаратты жинақтауға.
C) Ақпаратты генерациялау мен сақтауға.
D) Ақпаратты сақтауға.
E) Ақпаратты мақтауға.
F) Ақпаратты өңдеу мен сақтауға.
G) Ақпаратты генерациялауға.
H) Ақпаратты тасымалдауға.
$$$ 22
Басқаларына қарағанда, электролитикалық конденсаторлардың ерекшеліктері:
А) Сыйымдылық шамасын реттеу мүмкіншілігі бар.
В) Үлкен габаритті размерлері бар.
С) Сыйымдылық және кернеу шамалары жоғары.
D) Құрамында электролит бар.
Е) Сыйымдылық шамасы жоғары.
F) Қосылудың арнайы полярлығын талап етеді.
G) Электролитті құю үшін саңлауы бар.
H) Тоқ шамасын реттеу мүмкіншілігі бар.
$$$ 23
Өрістік транзисторда...бар:
А) База.
B) Эмиттер.
C) Коллектор.
D) Ақпа.
E) Кіріс.
F) Эмиттер, коллектор.
G) Шығыс.
H) База, коллектор.
$$$ 24
Биполярлы транзисторда...бар:
А) Бекітпе,құйма.
B) Ақпа.
C) Кіріс.
D) Эмиттер.
E) Құйма.
F) Шығыс.
G) Шығыс,кіріс.
H) Бекітпе.
$$$ 25
Аспапта вольтамперлік сипаттамасының кері тармағы бар және ол тура тармағына шағылысқан симметриялы, айналдыру жиілігін реттеу үшін қолданылады:
А) Триодты симметриялы жабылмайтын тиристор.
В) Симмистор.
С) Транзистор.
D) Ауыстырып қосқыш аспап.
Е) Варикап.
F) Туннельдік диод.
G) Диод.
H) ВАС кері дифференциалдық кедергісі бар, екі аймағы бар аспап.
$$$ 26
Стабилитронның негізгі параметрі болып табылады:
А) База тогы.
В) Максималды түзу ток және кернеу.
С) Қосу кернеуі және басқару тогы.
D) Диффернециалды және статикалық кедергі.
Е) Ағу тогы, тез әсер ету, анод тогы.
F) База тогы, коллектор тогы.
G) Стабилизация кернеуінің температуралық коэффициенті.
H) Эмиттер тогы.
$$$ 27
Фотодиод арналған:
А) Жылуды электрлік токқа айналдыру үшін.
В) Жарық ағынын инфрақызыл түрде беру үшін.
C) Жарықты прибор шкалалары арқылу беру үшін.
D) Фотография алу үшін.
Е) Жарықты оптикалық түрде беру үшін.
F) Температураны бақылау үшін.
G) Жарық ағынын бақылау үшін.
H) Қуатты бақылау үшін.
$$$ 28
Тұрақты резистор қандай негізгі электрлік параметрлермен сипатталады?
А) Бұрылу бұрышы.
В) Резистор түрі.
С) Кедергі көлемі.
D) Номиналды қуат.
Е) Гарбариті.
F) Баға.
G) Ұзындық, ен, салмақ.
H) Сапасы.
$$$ 29
Берілуі бойынша тұрақты резисторлар бөлінеді:
А) Прецизиондық..
В) Реттелінетін.
С) Төмен жиілікті.
D) Жоғары қуатты.
Е) Гарбариті.
F) Жоғары кернеу.
G) Функционалды.
H) Жоғары микроомды.
$$$ 30
Формасына байланысты конденсаторлар бөлінеді:
А) Жазық .
В) Тегіс.
С) Ашық.
D) Төртбұрышты.
Е) Габариті.
F) Тұйық .
G) Конустық .
H) Трапециялық .
$$$ 31
Жартылай өткізгіштегі тасушылар дрейфі деген не?
A) Тасушылардың электр өрісі есебінен қозғалысы.
B) Хаостық жылулық қозғалыс.
C) Концентрациялар айырымы есебінен қозғалыс.
D) Тасушылардың әр түрлі типті өткізгіштігі есебінен қозғалу.
E) Дұрыс жауап жоқ.
F) Сыртқы және ішкі факторлардың әсерінен (мысалы жылу) кристаллдық торда кемтіктер мен электрондардың ауысуы.
G) Концентрациялар айырымы есебінен қозғалыс.
H) Ішкі өрістердің әсерінен заряд тасушылардың бағытталған қозғалысы.
$$$ 32
р-n ауысу дегеніміз не?
A) Сызықты емес вольт-амперлік сипаттамасы бар электронды элементтердің негізі.
B) Өзара түйісетін, әр типті жартылайөткізгіштер арасындағы аймақ .
C) Қозғалатын заряд тасушылардан кедейленген өткізгіштігі әр типті екі жартылайөткізгіш контактісі.
D) Түрлі жартылайөткізгіштер шекарасынадғы потенциал секірісі.
E) Шоттки тосқауылы.
F) Гетероауысулардың бір түрі.
G) Металл-жартылайөткізгіш контактісі.
H) Концентрациялар айырымы есебінен қозғалыс.
$$$ 33
Шоттки диодының негізгі қасиеті:
A) Реттілігі.
B) Жарық ағыны болмағанда диод арқылы тоқ өтпейді.
C) Кері тоқты өткізеді.
D) Шапшаңдығы.
E) Тұрақтандырғыш болып табылады.
F) Түзеткіштік.
G) Кернеуінің тура төмендеуі аз.
H) Тура тоқты өткізеді.
$$$ 34
Жартылай өткізгіштегі тасушылар диффузиясы деген не?
A) Концентрациялар біркелкі болмауынан жартылайөткізгіштерде электрондар мен кемтіктердің орын ауыстыруы.
B) Тасушылардың электр өрісі есебінен қозғалысы.
C) Хаостық жылулық қозғалыс.
D) Концентрациялар айырымы есебінен қозғалыс.
E) Тасушылардың әр түрлі типті өткізгіштігі есебінен қозғалу.
F) Қозғалыстағы заряд тасушылар және заттың көптеген бөлшектері үшін бақыланатын құбылыс.
G) Дұрыс жауап жоқ.
H) Сыртқы және ішкі факторлардың әсерінен (мысалы жылу) кристаллдық торда кемтіктер мен электрондардың ауысуы.
$$$ 35
Эмиттер дегенiмiз не?
А) Ашық р-п өткелi жағындағы транзистор облысы.
В) Базадан негiзгi емес тасымалдаушыларды экстракция жасауға арналған транзистор облысы.
С) Базаға негiзгi тасымалдаушыларды инжекция жасауға арналған транзистор облысы.
D) Базаға негiзгi емес тасымалдаушыларды инжекция жасауға арналған транзистор облысы.
Е) Латын тілінен аударғанда “шығару”.
F) Базаға негiзгi заряд тасымалдаушыларды экстракция жасауға арналған транзистор облысы.
G) Ішкі құбылыстардың әсерінен электрондар көзі болып табылатын электрод.
H) Латын тілінен аударғанда “жинау”.
$$$ 36
Транзисторда болатын процесстер:
А) Инжекция.
С) Байыту және кедейлену.
В) Қанығу.
D) Рекомбинация.
E) Эпитакция.
F) Терістеу және көбейту.
G) Ток тоқтату және қанығу.
H) Терістеу және интегралдау.
$$$ 37
Сипаттамада көрсетілген үш аудан қандай?
А) 1– қанығу.
В) 2– кедейлену.
С) 3– актив.
D)1– байыту.
E) 2– тоқ тоқтату.
F) 3– толтыру.
G) 1–кедейлену.
H) 2– байыту.
$$$ 38
Эрли эффектісі дегеніміз не?
A) Коллектор кернеуін өзгерткенде коллекторлық өткелдің енінің өзгеруіне байланысты база енінің өзгеруі.
B) Коллекторлық кернеудің база шықпасының аймағындағы база еніне әсері.
C) Биполярлы транзистордың жұмыс істеу моделін нақтылау.
D) База енінің коллекторлық кернеудің эмиттерлік өткел еніні әсерінен өзгеруі.
E) База енінің коллекторлық кернеудің базадағы қозғалатын тасушылардың концентрациясына әсерінен өзгеруі.
F) База енінің температураға байланысты өзгеруі.
G) Дифференциалды кедергінің Uk кернеуінен тәуелділігінен пайда болады.
коллекторлық кернеудің база шықпасының аймағындағы эмиттер еніне әсері.
H) Өрістік транзистордың жұмыс істеу моделін нақтылау.
$$$ 39
Динистор сипаттамасынан теріс кедергісі бар бөлікті көрсетіңіз:
А) ОА.
В) АВ.
С) ВС.
D) ОД.
Е) АС.
F) Бұл базалық аймақтарға негізгі заряд тасушылар енгізілмеген аралық .
G) Бұл басқару тоғының шамасы максимал болатын аралық .
H) Бұл басқару тоғының шамасы көп болатын аралық
$$$ 40
Сипаттамадан динистордың барлық өткелдері ашық бөлігін көрсетіңіз:
А) ОА.
В) АВ.
С) ВС.
D) ОД.
Е) АС.
F) Бұл анод тоғының шамасы максимал болған кездегі аралық .
G) Бұл тиристор теріс дифференциалдық кедергі мәніне жетпеген кездегі аралық.
H) Бұл анод тоғының шамасы минимал болған кездегі аралық .
$$$ 41
Сипаттамадан динистордың шеткі құрылымдары ашық, ал ортаңғы құрылымы жабық бөліктерін көрсетіңіз:
А) ОА.
В) АВ.
С) ВС.
D) ОД.
Е) АС.
F) Бұл тоқтың мәні көп аралық .
G) Бұл тиристор теріс дифференциалдық кедергі мәніне жетпеген кездегі аралық .
H) Бұл кернеудің мәні аз аралық .
$$$ 42 Фотолитография – бұл:
A) Микроэлектронды элементтер мен құрылғылардың компоненттерінің қажетті өлшемдері мен конфигурациясын алу үшін қолданылатын фото және физика-химиялық процесстердің бірігуі.
B) Қажетті өлшемдер мен конфигурация алу үшін қолданылатын фото және физика-химиялық процесстердің бірігуі.
C) Материалдың жұқа пленкасында суретті алу жолы.
D) Микроэлектрониканың компоненттері мен процесстерінің бірігуі.
E) Микроэлектрониканың элементтері мен процесстерінің бірігуі.
F) Суреттерді алу үшін қолданылатын фото және физика-химиялық процесстердің бірігуі.
G) Элементтерді алу үшін қолданылатын фото және физика-химиялық процесстердің бірігуі.
H) Жартылай өткізгіштерді шығаруда қолданылатын планарлы технологияның негізгі түрінің бірі.
$$$ 43
Р-n-р транзисторында негіз арқылы өтетін тоқ эмиттерден бүркілген . . . тасылады:
A) Оң иондармен.
B) Кемтіктермен.
C) Электрондармен.
D) Теріс иондармен.
E) Белгісіз зарядталған бөлшектермен.
F) Өткізгіш зонасындағы бос орынмен.
G) Оң электр зарядымен.
H) Теріс электр зарядымен.
$$$ 44
Фотодиодтың ерешеліктері:
A) Құрастыру технологиясы мен құрылымы қарапайым.
B) Механикалық беріктілігі жоғары.
C) Эмиттердегі токтың мәні аз.
D) Қыздыру тізбегі жоқ.
Е) Эмиттердің аз кедергісі.
F) Пайдалы жұмыс коэффициенті аса жоғары.
G) Жұмыс атқаратын мерзімі ұзақ катодты қыздыру үшін қуат тұтылмайды.
H) Жоғары фотосезімталдығы мен тез әрекеттігінің сәйкестендірілуі.
$$$ 45
Тиристор – ... аспап:
A) Бір p-n өткелі кері қосылған.
B) Гомоауысулардың бір түріне арналған.
C) Электр тербелістерін күшейтуге арналған.
D) Бір күйден екінші күйге басқару импульсі арқылы ауысып-қосылу мүмкіндігі бар электронды.
Е) Тұрақты үш күйі бар.
F) Үш электроды: эмиттері, базасы және коллекторы бар жартылай өткізгішті.
G) Үш немеса одан да көп p-n ауысуларынан тұратын.
H) Жұмыстық токтың өзгеруі кіріс сигналы тудыратын.
$$$ 46
Жартылай өткізгіш прибор – тиристордың құрамы:
A) База.
B) Исток.
C) Затвор, сток және исток.
D) Эмиттер.
E) Жалғыз р-n өткізгіші.
F) Сток.
G) Басқарушы электрод.
H) Коллектор.
$$$ 47
Сыйымдылығы тұрақты конденсаторды сипаттаушы негізгі электрлік параметрлер:
A) Сыйымдылық .
B) Шекті ток.
C) Қуат.
D) Номиналды ток.
E) Зарядталу тоғы.
F) Разрядталу уақыты.
G) Электрлік сыйымдылық .
H) Шекті кернеу.
$$$ 48
Трансформатор үшін қолданылатын өзекшенің көп таралған формасы
A) Бронды.
B) Тороидальды.
С) Стерженьді.
D) Бронды, тороидальды.
Е) & Бронды, стерженьді.
F) & Тороидты.
G) Стерженьді және тороидальды.
H) Сфералық.
$$$ 49
Суретте шартты белгісі көрсетілген аспапты:
А) Триодты симметриялы жабылмайтын транзистор.
В) Шотки диод.
С) Транзистор.
D) Тиристор.
Е) Варикап.
F) Туннельдік диод.
G) Диод.
H) Стабилитрон.
$$$ 50
Шоттки диодының негізгі қасиеті:
A) Жарық ағыны болмағанда диод арќылы ток өтпейді.
B) Кері тоқты өткізеді.
C) Шапшаңдығы.
D) Кері токты өткізеді.
E) Жарық ағыны арқылы ток өтеді.
F) Кері тоқты өткізбейді.
G) Диод арқылы тоқ өтпейді.
H) Дұрыс жауап жоқ.
$$$ 51
Диодтың суретте көрсетілгендей ВАС-ы бар, ондағы U=2В, I1=1А
Резистордың кедергісі:
A) 1 Ом.
B) 1,5 Ом.
C) 2 Ом.
D) 0,25 Ом.
E) Дифференциалдық кедергіге тең.
F) Номиналды кернеуге тең.
G) Диодтың толық ашылуы кезіндегі кернеу мен тоқтың мәндеріне тең.
H) Токсыз кернеуіне тең.
$$$ 52
n-p ауысуының КЗО (кеңістіктік заряд облысы)-ғы көлемді зарядтың қалыптасуы:
А) Донор және акцептор қоспаларының теңестірілмеген зарядтарымен.
В) Зарядтың бос тасымалдаушыларымен.
С) Жартылай өткізгіштің кристалдық тор атомдарының жылулық ортасы бар фазаға қарама-қарсыда тербелетін фотондармен.
D) Екі әртүрлі аттас зарядталған қабаттармен.
Е) Теңестірілген күймен (мұнда диффузиядан болатын тасымалдаушылардың аз тогы және түйісу өрісінің әсерінен болатын емес тасымалдаушылардың тогы, бұл токтар бір-бірін теңестіреді.
F) Позитрондармен .
G) Молекулалармен.
H) Атомдармен іске асады.
$$$ 53
n-p ауысуының КЗО (кеңістіктік заряд облысы)-ғы ішкі электрлік өрісі:
А) Болмайды.
В) p-облысынан n- облысына бағытталған.
С) n-облысынан p- облысына бағытталған.
D) КЗО қысқарады, егер оң потенциал p- облысына қосылған болса, онда потенциалды барьер төмендейді (тура ығысу).
Е) КЗО қысқарады, егер теріс потенциал n- облысына қосылған болса, онда потенциалды барьер төмендейді (кері ығысу).
F) Жоғарылайды.
G) Секірісті түрде жоғарылайды.
H) Басқа кеңістіктік заряд облысына түрленеді.