Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

voud3 / VOUD_ESAU

.doc
Скачиваний:
38
Добавлен:
16.02.2016
Размер:
1.13 Mб
Скачать

ESAU

F) Өрістік транзистордың тіктік сипаттамасы биполярлық транзисторға қарағанда 1-2 ретке кем, сондықтан жүктеменің аз кедергісі кезінде өрістік транзистор каскадының күшейту коэффициенті биполярлық транзистордағы осы секілді каскадтың күшейту коэффициентінен азG) S=Sмакс(1- U т•б/U т-з ).

G) Электр өткізгіштігі (σ) бойынша металдар мен диэлектриктердің арасынан орын алатын.

n-p ауысуының КЗО (кеңістіктік заряд облысы)-ғы көлемді зарядтың қалыптасуы:А) Донор және акцептор қоспаларының теңестірілмеген зарядтарымен.D) Екі әртүрлі аттас зарядталған қабаттармен.Е) Теңестірілген күймен (мұнда диффузиядан болатын тасымалдаушылардың аз тогы және түйісу өрісінің әсерінен болатын емес тасымалдаушылардың тогы, бұл токтар бір-бірін теңестіреді.

n-p ауысуының КЗО (кеңістіктік заряд облысы)-ғы ішкі электрлік өрісі:А) Болмайды.D) КЗО қысқарады, егер оң потенциал p- облысына қосылған болса, онда потенциалды барьер төмендейді (тура ығысу).Е) КЗО қысқарады, егер теріс потенциал n- облысына қосылған болса, онда потенциалды барьер төмендейді (кері ығысу).

P-n өткелдерді құру жолдары арқылы ИМС-те...мыналарды алуға болады: A) Транзистор, диод.E) Конденсатор.

А

Арнаның қимасы өрістік транзистор кернеуінің Uкб шамасына тәуелді немесе тәуелді еместігі:B) Тәуелді, өйткені арнадағы кернеудің түсуі ауысудағы кернеуді, сонымен қатар оның енін анықтайды.D) Тәуелді, өйткені транзистордың Uкб өзгеруі кезінде тасымалдаушылар инжекциясының деңгейі өзгереді. F) Тәуелді, өйткені тиектегі кернеумен басқарылады.

Арнаның ұзындығы:A) N-текті немесе p-текті бастау және құйма облыстарының ара қашықтығы.B) бастау мен құйма облыстарының ұзындықтарын қосқандағы ара қашықтық және олардың арасындағы аралық қашықтық .D) Тиекпен басқарылатын төсеме бөліктегі арнаның ара қашықтығы.

Аспапта ауыстырып қосу нүктесінен кейін кернеуді төмендеткен кезде тоқтың өсуі, тең теріс көбейтіндісінің пайда болу себебі:А) Теріс дифференциалдық кедергі.В) Тиристорлардың вольт-амперлік сипаттамасында АВ аралығының кедергісі.D) .

Аспапта вольтамперлік сипаттамасының кері тармағы бар және ол тура тармағына шағылысқан симметриялы, айналдыру жиілігін реттеу үшін қолданылады:В) Симмистор.D) Ауыстырып қосқыш аспап.H) ВАС кері дифференциалдық кедергісі бар, екі аймағы бар аспап.

Атауы грек тілінен (thyra-есік және резистор) алынған, монокристалдағы төрт қабатты құрылымды, екі тұрақты күйі бар, үш немесе одан да көп түзеткіш электронды-кемтіктік ауысуы бар, бір күйден екіншісіне басқару импульсі арқылы ауысып қосыла алатын жартылай өткізгіш аспапты:А) Тиристор.В) Динистор.Е) Ауыстырып қосқыш аспап.

Б

Басқаларына қарағанда, электролитикалық конденсаторлардың ерекшеліктері:Е) Сыйымдылық шамасы жоғары.F) Қосылудың арнайы полярлығын талап етеді.

Бастаудан құймаға дейн арнасы болатын аспаптың жұмыс параметрінің облысы:E) КЗО (кеңістік заряд облысы).

Берілуі бойынша тұрақты резисторлар бөлінеді:А) Прецизиондық..

Биполярлы транзисторда...бар:D) Эмиттер.

Биполярлық транзистордың активті жұмыс істеу режимінде p-n ауысудың дифференциалдық кедергілері келесі түрде сипатталады:A) Эмиттерлік ауысудың кедергісі, аз ал коллекторлық ауысудікі көп.F) Эмиттерлік және коллекторлық диодтарды ауыстырудың сызықсыз динамикалық моделінен алынған, БТ аз сигналды сұлбасындағы кернеумен тоқтың аз ғана өсімшелерінің арасындағы байланыс.G) Rэ=dU/dI((T/Iэ).

Биполярлық транзистордың өрістік транзистордан ерекшелігі:D) Өрістік транзистордағы тиекті кернеумен жасалатын электрлі өрістік тогына «перпендикулярлы» әрекет нәтижесінде өзгеретін ток.

Буферлік күшейткіш бұл қандай күшейткіш?B) Қайталағыш болып табылатын күшейткіш.F) Операциондық күшейткіш негізінде жасалынған күшейькіш.G) Шығыс кедергісі нөлдік болатын кернеу генераторы.

Бұл аспап екі тұрақты күйде бола алады-жабық немесе ашық, жабық күйінде оның кедергісі үлкен болып, ол аз ғана тоқ өткізеді, ол ашық күйінде оның кедергісі аз, ал одан ағатын тоқ үлкен болады, бұл:А) Тиристор.Е) Ауыстырып қосқыш аспап.F) Симмистор.

Бірауысулы транзистор деп ...В) Екі базалық диодты.F) Құрылымы бойынша өрістік транзисторға ұқсайтын, бірақ екі базасы бар аспапты. G) Биполярлық транзистордағыдай базасы бар, бірақ базалық аймақтарға қоспа енгізу арқылы басқарылатын аспапты.

Г

Графикке қарап транзистор сипаттамаларының тегі:A) P-n ауысуымен басқарылатын өрістік транзистордың құймалық және құйма-тиектік сипаттамалары.D) P-n ауысуымен басқарылатын өрістік транзистордың басқарушы сипаттамалары.E) Биполярлық транзистордың шығыс сипаттамалары.

Д

Динистор сипаттамасынан теріс кедергісі бар бөлікті көрсетіңіз:В) АВ.F) Бұл базалық аймақтарға негізгі заряд тасушылар енгізілмеген аралық .

Динисторды сипаттамасындағы ОА тіліміндегі токтың аз мәнінің түсіндірмесі:B) Құрылымның ортаңғы ауысуы жабық.F) Ортаңғы ауысудың кедергісі аса жоғары.G) Анодтағы ток көбейе бастайтындай, ауыстырып қосу кернеуі қажетті мәнге жеткен жоқ.

Динистордың құрылымының шеткі ауысулары жабық, ал ортаңғы ауысуы ашық болатын кезде, сипаттамадағы аралық:D) ОД.F) Тиристорда бұл аралықта ток пен кернеу теріс.G) Бұл тиристор ауыстырып қосу функциясын орындамайтын аралық.

Динистордың сипаттамасынан теріс дифференциалдық кедергісі бар аралық: В) АВ.F) Бұл базалық аймақтарға негізгі заряд тасушылар енгізілмеген аралық. G) Бұл басқару тоғының шамасы аз болатын аралық.

Динистордың сипаттамасының ОА бөлігіндегі ток мәнінің аздығының түсіндірмесі:B) Құрылымның ортаңғы ауысулары жабық.G) Ауыстырып қосу кернеуі шамасы бойынша аз.H) Базалық аймақтың кедергісі өте үлкен

Диодтың суретте көрсетілгендей ВАС-ы бар, ондағы U=2В, I1=1АРезистордың кедергісі:A) 1 Ом.G) Диодтың толық ашылуы кезіндегі кернеу мен тоқтың мәндеріне тең.

Дроссельдердің негізгі қолдану аясы:B) Кернеудің пульсациясын азайту.C) Айнымалы ток тізбегінде үлкен кедергі, тұрақты токқа төменгі кедергі көрсету.E) Тоқтың жиіліктік құраушысын түзету және тоқтың айнымалы құраушысынан айырылу үшін.

Е

Екі әр текті транзисторлардан тұратын, осы сұлбаны жинаған кездегі аспапты атаңыз:А) Тиристор.Е) Ауыстырып қосқыш аспап.F) Динистор.

Ж

Жартылай өткізгіш прибор – тиристордың құрамы:G) Басқарушы электрод.

Жартылай өткізгіш диодтың негізгі сипаттамалары: B) Кемтіктер мен электрондар.D) Тура ток.

Жартылай өткізгіштегі тасушылар диффузиясы деген не?A)Концентрациялар біркелкі болмауынан жартылайөткізгіштерде электрондар мен кемтіктердің орын ауыстыруы.D) Концентрациялар айырымы есебінен қозғалыс.F) Қозғалыстағы заряд тасушылар және заттың көптеген бөлшектері үшін бақыланатын құбылыс.

Жартылай өткізгіштегі тасушылар дрейфі деген не?A) Тасушылардың электр өрісі есебінен қозғалысы.F) Сыртқы және ішкі факторлардың әсерінен (мысалы жылу) кристаллдық торда кемтіктер мен электрондардың ауысуы.H) Ішкі өрістердің әсерінен заряд тасушылардың бағытталған қозғалысы.

Жартылай өткізгішті диодтың төменде көрсетілгеннің ішінен электрлік тесілуі:B) Ауысу арқылы кері ток мәнінің өсуі кезінде р-п ауысудағы кернеудің жылдам өсуі.D) Ауысу арқылы кері кернеу мәнінің өсуі кезінде р-п ауысудағы токтың

Жартылай өткізгіштің теориялық түрінен ВАС-ның айырмашылығына алып келетін факторлар:A) Жартылай өткізгіштердегі генерация және рекомбинация топтары.C) Р-n ауысу өлшемдерінің тәуелдігі. E) Температураға тәуелділігі.

жылдам өсуі.F) Осы диод мәні үшін қысылшаң болатын кері кернеуге жету кезінде диод арқылы кері токтың жылдам өсу құбылысы.

З

Заряд тасымалдаушылардың өткізетін арнаға өтуін жүзеге асыратын электрод:D) Арнадағы негізгі тасымалдаушыладың инжекцияланатын транзистор облысы.

Зарядты тасымалдауыштың экстракциясы дегеніміз не: A) Электр өрісімен үдетілетін p-n өткел арқылы заряд тасымалдауыштарды өткізу. C) Заряд тасымалдаушылардың инжекциясына қарама-қарсы құбылыс.D) Латын тілінен аударғанда шығару дегенді білдіреді.

И

Инвертор:B) Тұрақты тоқты айнымалы тоққа түрлендіруші.F) Дұрыс жауап жоқ.G) Аналогтық есептеуіш машиналардың күшейткіші.

Индуктивті катушкаларда қолданылатын магниттік материалдардың жиі кездесетін формасы:A) Бронды.

Интегралды микросұлба - бұл микроэлектронды өндірістің бұйымы, арналған:A) Ақпаратты түрлендіруге.D) Ақпаратты сақтауға.

К

Кедейленген қабат қалындығының үлкеюнің болуы:A) Тиек пен төсем,құйма мен бастау арасында туындайтын екі электрлік D) Арнаның қалыңдығы мен қиғаш кесуітиектегі кернеудің өзгерісінен.F) Құйма тогының өзгеруі,яғни жүктеме тізбегіндегі ток қуатты корек көзіне қатысты да өзгеруін.

Кері кернеудің мәні белгілі аумалы шамаға жеткен кезінде р- п өткелінде тоқтың шұғыл өсуін р-п өткелінің:C) Тесілуі.F) Жыртылуы.

Кері қосылған p-n ауысудың потенциалдық тосқауылының төмендеуі ... білдіреді:А) Ондағы кернеудің азайғанын.В) Пәрменді көбейту коэффициентінің азайғанын.D) Ауысу арқылы ағатын тоқтың азайғанын.

коллекторлық кернеудің база шықпасының аймағындағы эмиттер еніне әсері.

Коллекторлық кернеумен базаның қалыңдығын модуляциялау дегеніміз:Коллекторлық ауысудың енінің өзгеру салдарынан коллекторлық өзгерген кезде базаның қалыңдығының өзгерісі. Коллекторлық токтың эмиттерге әсер етуі азайған кездегі өзгерісіне. Теріс коллектор-база кернеуін ұлғайтқан кездегі шығыс сипатының көтерілуі, бұл кезде коллектор тогы артады.

Кіріс сигналдарын инверттеу қасиетіне ие болу үшін айнымалы кернеу күшейткіші қанша каскадтан тұру керек? H) кез келген тақ сан.

Қ

Қандай шалаөткізгіш n-тектес деп аталады?A) Береген қоспалары өте коп шалаөткізгіштер.

Қандай шалаөткізгіш р-тектес деп аталады?B) Алаған қоспалары өте коп шалаөткізгіштер.

Қозғалатын тасушылардың концентрациясы қайда көп, p-n ауысу аймағында немесе оған түйіскен жартылай өткізгіш облыстарында ма?E) p-n өткелге түйіскен жартылай өткізгіштер аймақтарында.H) р-n өткелдің түйіскен аймағында.

Құйма мен бастаудың n+облысын қалыптастыратын қоспалар:А) Фосфор,бор.В) V топтың элементтері.D) Жартылай өткізгішке қарағанда бір топқа үлкен элементтер.

О

ОБ немесе ОЭ қосылу сұлбаларында,токты тура беру коэффициенті жиілігіне қатты тәуелді: & ОЭ қосылу сұлбасында.Токты қайталағыш сұлбасында токты тура беру коэффициенті жиілігіне ғана тәуелді. Ток бойынша, кернеу бойынша және қуат бойынша коэффициенттері өте жоғары сұлба, токтың тура беру коэффициенті жиілігі аса тәуелді.

ОЭ немесе ОБ қосылу сұлбаларында, токты тура беру коэффициенті жиілігіне аз ғана тәуелді:ОБ қосылу сұлбасында.Токты қайталағыш сұлбасында токты тура беру коэффициенті жиілігіне тәуелді.Тек кернеу және қуат бойынша кушейту беретін сұлбада.

Ө

Өрістік транзисторда...бар:D) Ақпа.

Өрістік транзистордың кіріс кедергісінің шамасы:G) Үлкен, өйткені құрылымда диэлектрик қабаттары болады.

Өрістік транзистордың тіктігінің анықтамасы:

Өткізгіштігінің типі әр түрлі жартылайөткізгіштің екі облысының шекарасындағы потециалдың секіруі немен түсіндіріледі:C) p-n ауысудың екі жағынан да компенсацияланбаған электр қабатының болуымен. F) Көлемдік зарядтың есебінен екі еселік электр қабатының болуымен.

Р

р-n ауысу дегеніміз не?A) Сызықты емес вольт-амперлік сипаттамасы бар электронды элементтердің негізі.C) Қозғалатын заряд тасушылардан кедейленген өткізгіштігі әр типті екі жартылайөткізгіш контактісі.

Р-n-р транзисторында негіз арқылы өтетін тоқ эмиттерден бүркілген . . . тасылады:B) Кемтіктермен.F) Өткізгіш зонасындағы бос орынмен.

Р-п ауысудың кері кернеуінің өсуі (модуль бойынша) кезінде барьерлік сыйымдылықтық өзгерісі:D) Сызықты заң бойынша азаяды.E) Азаяды.H) Сол кернеудің модулі бойынша сәйкесінше азаяды.

С

Сипаттамада көрсетілген үш аудан қандай?А) 1– қанығу.С) 3– актив.E) 2– тоқ тоқтату.

Сипаттамадан динистордың барлық өткелдері ашық бөлігін көрсетіңіз:С) ВС.F) Бұл анод тоғының шамасы максимал болған кездегі аралық .

Сипаттамадан динистордың шеткі құрылымдары ашық, ал ортаңғы құрылымы жабық бөліктерін көрсетіңіз:А) ОА.G) Бұл тиристор теріс дифференциалдық кедергі мәніне жетпеген кездегі аралық .

Стабилитрондардың қолдану аясы: C) Токты түзету.

Стабилитронның негізгі параметрлері:E) Максималды және минималды ток күші.

Стабилитронның негізгі параметрі болып табылады:D) Диффернециалды және статикалық кедергі.G) Стабилизация кернеуінің температуралық коэффициенті.

Суретте келтірілген транзистор:E) Индукцияланған р-арналы МДЖ-транзистор.F) Индукцияланған р-арналы оқшауланған тиекті өрістік транзистор.G) Негізгі заряд тасымалдаушылары кемтіктер болып саналатын қондырылған арналы МДЖ-транзистор.

Суретте көрсетілген сипаттама:A) P-n ауысыуымен басқарылатын транзистордың құйма-тиектік сипаттамасы.D) Токсыз кернеу бейнеленген p-n ауысыуымен басқарылатын транзистордың құйма-тиектік сипаттамасы.G) P-n ауысыуымен басқарылатын транзистордың басқарушы емес сипаттамасы.

Суретте көрсетілген транзистор:D) P-n ауысуымен басқарылатын және p-арналы өрістік транзистор.

Суретте көрсетілген транзистор:В) P-n ауысуымен басқарылатын және n-арналы өрістік транзистор.

Суретте көрсетілген транзистор:С) Қондырылған n-арналы МДЖ-транзистор.

Суретте көрсетілген транзистор:С) Қондырылған p-арналы МДЖ-транзистор.

Суретте көрсетілген транзистордың дұрыс жауабы:А) Индукцияланған n-арналы МДЖ-транзистор.

Суретте құрылымдық сұлбасы көрсетілген аспап: А) Тиристор.Е) Ауыстырып қосқыш аспап.F) Тринистор.

Суретте шартты белгісі көрсетілген аспапты:А) Триодты симметриялы жабылмайтын транзистор.

Суретте шартты-графикалық белгілену келтірілгенA) Түзеткіштің активті жүктемеге жұмыс істеу сұлбасы.D) Бір жарты периодты түзеткіш.

Сыйымдылығы тұрақты конденсаторды сипаттаушы негізгі электрлік параметрлер: A) Сыйымдылық .H) Шекті кернеу.

Т

Табалдырықтық кернеу:A) Si-SiO2 жазығының қасындағы электрондар концентрациясы төсемдегі кемтіктер концентрациясынан 2 есеге көп кезіндегі кернеу. D) Бұл индукцияланған арналы оқшауланған тиекті транзистор үшін тиек-бастау кернеуі,онда құйма тоғы берілген мәнге жетеді.F) Айрықшаланған құйма тогы көрінетін тиек кернеуі.

Температураның өсуімен жартылай өткізгіштегі қоспа диффузия процесінің өту жылдамдығы:А) Өседі.D) Процестің өту уақытына байланысты өседі.Е) Динамикалық түрде өседі.

Тиектегі кернеу оң болатын процесстің түсіндірілуі:A) Электрондар Si-SiO2 бөлімінің жазығынан тебіле бастайды. E) Тиек n-арналы транзистордың оң кернеуімен басқарылады.H) N-арналы транзисторға қорек дұрыс берілген.

Тиристор – ... аспап:D) Бір күйден екінші күйге басқару импульсі арқылы ауысып-қосылу мүмкіндігі бар электронды. G) Үш немеса одан да көп p-n ауысуларынан тұратын.

Тиристорды жабық күйге басқару тогы арқылы жеткізуге болады ма?C) Болады, егер басқару электродына теріс импульс берсе.F) Болады, егер n- текті базаға басқару импульсінің теріс импульсін берсе.G) Болады, егер p- текті базаға басқару импульсінің оң импульсін берсе.

Тиристордың ауысып қосылуын басқаруды қамтамасыз ететін, сұлба:C) F) Бұл оң кернеу полюсі түсірілетін сұлба.H) Бұл р-текті басқару электродына кернеу түсіре отырып, ауыстырып қосу кернеуін реттеуге болатын сұлба.

Тоғыспаған р-жартылай өткізгіштің Ферми деңгейі мына жерде орналасады:С) Тыйым салынған аймақта,валенттік аймақтың жоғары бөлігіне жақын.F) Тыйым салынған аймақтан валенттік аймақтың максимальды мәніне дейінгі аралық.

Транзистор: B) Үш электродты прибор.

Транзисторда болатын процесстер:А) Инжекция. D) Рекомбинация.

Транзистордың ток беру коэфиценттерінің және арасындағы өзара байланыс: болғанда.

Трансформатор үшін қолданылатын өзекшенің көп таралған формасыЕ) & Бронды, стерженьді. F) & Тороидты.

Тринисторды ауыстырып қосу мезетін басқару іске асады:A) Базалық аймақтарға тасымалдаушыларды енгізу арқылы.G) Тиристорды тұрақты жабық күйден, тұрақты ашық күйге ауыстыру үшін анодтағы кернеуді үлкейту керек.H) Басқару электродына кері полярлы импульс беру керек.

Тринисторды ауыстырып қосу мезетін басқару... есебінде жүреді:A) Базалық аймақтарға тасымалдаушыларды енгізу есебінде. F) Базалық аймақтарға тасымалдаушыларды лигерлеу есебінде.G) Базалық аймақтарда заряд тасымалдаушыларды дұрыс ұлғайту есебінде.

Туннелдік, пәрменді ағындық, жылуылық, сыртқы беттік бұл:C) Тесілуі.F) Жыртылуы.

Тұрақты резистор қандай негізгі электрлік параметрлермен сипатталады?В) Резистор түрі.D) Номиналды қуат.

Ү

Үш немесе одан да көп p-n ауысуы бар, вольт-амперлік сипаттамасынеда теріс дифференциалдық кедергісі бар жартылай өткізгіш аспап:А) Тиристор.Е) Ауыстырып қосқыш аспап.F) Тринистор.

Ф

Формасына байланысты конденсаторлар бөлінеді:А) Жазық .

Фотодиод арналған:В) Жарық ағынын инфрақызыл түрде беру үшін.Е) Жарықты оптикалық түрде беру үшін.

Фотодиодтың ерешеліктері:A) Құрастыру технологиясы мен құрылымы қарапайым.H) Жоғары фотосезімталдығы мен тез әрекеттігінің сәйкестендірілуі.

Фотолитография – бұл:A) Микроэлектронды элементтер мен құрылғылардың компоненттерінің қажетті өлшемдері мен конфигурациясын алу үшін қолданылатын фото және физика-химиялық процесстердің бірігуі.C) Материалдың жұқа пленкасында суретті алу жолы.H) Жартылай өткізгіштерді шығаруда қолданылатын планарлы технологияның негізгі түрінің бірі.

Һ

Һ11 көрсеткішінің анықтамасы: Һ11.Кіріс кедергі. Кірістегі кернеудің кірістегі токқа қатынасын көрсететін көрсеткіш.

Ш

Шала өткізгішті диод – бұл . . . құрылғы:B) Сызықты емес сипаттамасы бар.

Шалаөткізгіш- бұл. . . материал:B) Бөлме температурасында (300К) шалаөткізгіштік қасиеттері анық байқалатын.F) Менделеевтің периодтық жүйесінде 4 топта орын алатын.

Шоттки диодының негізгі қасиеті:C) Шапшаңдығы.

Шоттки диодының негізгі қасиеті:D) Шапшаңдығы. G) Кернеуінің тура төмендеуі аз.

Э

Электро сүзгі дегеніміз:A) Бір жиіліктердің электрлік тербелістерін өткізіп екінші жиіліктердің электрлік тербелістерін ұстап қалатын құрылғы.E) Аэрозольді, қатты және сұйық заттардан газды тазарту электр күштерінің әсерінен болатын құрылғы.G) Технологиялық процесстер кезінде пайда болатын қатты қоспалардан газды тазарту үшін қолданылатын құрылғы.

Эмиттер дегенiмiз не? А) Ашық р-п өткелi жағындағы транзистор облысы.Е) Латын тілінен аударғанда “шығару”.G) Ішкі құбылыстардың әсерінен электрондар көзі болып табылатын электрод.

Эрли эффектісі дегеніміз не?A) Коллектор кернеуін өзгерткенде коллекторлық өткелдің енінің өзгеруіне байланысты база енінің өзгеруі.C) Биполярлы транзистордың жұмыс істеу моделін нақтылау.G) Дифференциалды кедергінің Uk кернеуінен тәуелділігінен пайда болады.

Соседние файлы в папке voud3