vout_shpora / ESAU

$$$ 1

Зарядты тасымалдауыштың экстракциясы дегеніміз не:

A)& Электр өрісімен үдетілетін p-n өткел арқылы заряд тасымалдауыштарды өткізу.

C) &Заряд тасымалдаушылардың инжекциясына қарама-қарсы құбылыс.

D) &Латын тілінен аударғанда шығару дегенді білдіреді.

$$$ 2

P-n өткелдерді құру жолдары арқылы ИМС-те...мыналарды алуға болады:

A)& Транзистор, диод.

E)& Конденсатор.

$$$ 3

Кері кернеудің мәні белгілі аумалы шамаға жеткен кезінде р- п өткелінде тоқтың шұғыл өсуін р-п өткелінің:

C) &Тесілуі.

F) &Жыртылуы.

$$$ 4

Туннелдік, пәрменді ағындық, жылуылық, сыртқы беттік бұл:

C) &Тесілуі.

F) &Жыртылуы.

$$$ 5

Өткізгіштігінің типі әр түрлі жартылайөткізгіштің екі облысының шекарасындағы потециалдың секіруі немен түсіндіріледі:

C) & p-n ауысудың екі жағынан да компенсацияланбаған электр қабатының болуымен.

F) & Көлемдік зарядтың есебінен екі еселік электр қабатының болуымен.

$$$ 6

Қозғалатын тасушылардың концентрациясы қайда көп, p-n ауысу аймағында немесе оған түйіскен жартылай өткізгіш облыстарында ма?

E) & p-n өткелге түйіскен жартылай өткізгіштер аймақтарында.

H) & р-n өткелдің түйіскен аймағында.

$$$ 7

Дроссельдердің негізгі қолдану аясы:

B) & Кернеудің пульсациясын азайту.

C) &Айнымалы ток тізбегінде үлкен кедергі, тұрақты токқа төменгі кедергі көрсету.

E) &Тоқтың жиіліктік құраушысын түзету және тоқтың айнымалы құраушысынан айырылу үшін.

$$$ 8

Индуктивті катушкаларда қолданылатын магниттік материалдардың жиі кездесетін формасы:

A) &Бронды.

$$$ 9

Транзистор:

B) &Үш электродты прибор.

$$$ 10

Стабилитрондардың қолдану аясы:

C)&Токты түзету.

$$$ 11

Жартылай өткізгіш диодтың негізгі сипаттамалары:

B) &Кемтіктер мен электрондар.

D) &Тура ток.

$$$ 12

Стабилитронның негізгі параметрлері:

E) &Максималды және минималды ток күші.

$$$ 13

Қандай шалаөткізгіш n-тектес деп аталады?

A) &Береген қоспалары өте коп шалаөткізгіштер.

$$$ 14

Қандай шалаөткізгіш р-тектес деп аталады?

B) &Алаған қоспалары өте коп шалаөткізгіштер.

$$$ 15

Кіріс сигналдарын инверттеу қасиетіне ие болу үшін айнымалы кернеу күшейткіші қанша каскадтан тұру керек?

H) &кез келген тақ сан.

$$$ 16

Электро сүзгі дегеніміз:

A) &Бір жиіліктердің электрлік тербелістерін өткізіп екінші жиіліктердің электрлік тербелістерін ұстап қалатын құрылғы.

E) &Аэрозольді, қатты және сұйық заттардан газды тазарту электр күштерінің әсерінен болатын құрылғы.

G) &Технологиялық процесстер кезінде пайда болатын қатты қоспалардан газды тазарту үшін қолданылатын құрылғы.

$$$ 17

Инвертор:

B) &Тұрақты тоқты айнымалы тоққа түрлендіруші.

C) Тұрақты кернеуді тұрақты кернеуге түрлендіруші, бірақ деңгейі өзгеше (кіріс кернеуді айнымалыға аралық түрлендіру және қажетті деңгейге трансформация).

D) Айнымалы тоқты тұрақты тоққа түрлендіреді.

E) Бір кірісі және бір шығысы бар электрондық құрылғы.

F) &Дұрыс жауап жоқ.

G) &Аналогтық есептеуіш машиналардың күшейткіші.

H) Цифрлық есептеуіш машиналардың күшейткіші.

$$$ 18

Буферлік күшейткіш бұл қандай күшейткіш?

B) &Қайталағыш болып табылатын күшейткіш.

F) &Операциондық күшейткіш негізінде жасалынған күшейькіш.

G) &Шығыс кедергісі нөлдік болатын кернеу генераторы.

$$$ 19

Шалаөткізгіш- бұл. . . материал:

B) &Бөлме температурасында (300К) шалаөткізгіштік қасиеттері анық байқалатын.

E) &Кедергісі,изолятор мен өткізгіштердің арасында орын алатын.

G) &Электр өткізгіштігі (σ) бойынша металдар мен диэлектриктердің арасынан орын алатын.

$$$ 20

Шала өткізгішті диод – бұл . . . құрылғы:

B) &Сызықты емес сипаттамасы бар.

$$$ 21

Интегралды микросұлба - бұл микроэлектронды өндірістің бұйымы, арналған:

A) &Ақпаратты түрлендіруге.

D) &Ақпаратты сақтауға.

$$$ 22

Басқаларына қарағанда, электролитикалық конденсаторлардың ерекшеліктері:

Е) &Сыйымдылық шамасы жоғары.

F) &Қосылудың арнайы полярлығын талап етеді.

$$$ 23

Өрістік транзисторда...бар:

D) &Ақпа.

$$$ 24

Биполярлы транзисторда...бар:

D) &Эмиттер.

$$$ 25

Аспапта вольтамперлік сипаттамасының кері тармағы бар және ол тура тармағына шағылысқан симметриялы, айналдыру жиілігін реттеу үшін қолданылады:

В) &Симмистор.

D) &Ауыстырып қосқыш аспап.

H) &ВАС кері дифференциалдық кедергісі бар, екі аймағы бар аспап.

$$$ 26

Стабилитронның негізгі параметрі болып табылады:

D) &Диффернециалды және статикалық кедергі.

G) &Стабилизация кернеуінің температуралық коэффициенті.

$$$ 27

Фотодиод арналған:

В) &Жарық ағынын инфрақызыл түрде беру үшін.

Е) &Жарықты оптикалық түрде беру үшін.

$$$ 28

Тұрақты резистор қандай негізгі электрлік параметрлермен сипатталады?

В) &Резистор түрі.

D) &Номиналды қуат.

$$$ 29

Берілуі бойынша тұрақты резисторлар бөлінеді:

А)& Прецизиондық..

$$$ 30

Формасына байланысты конденсаторлар бөлінеді:

А) &Жазық .

$$$ 31

Жартылай өткізгіштегі тасушылар дрейфі деген не?

A) &Тасушылардың электр өрісі есебінен қозғалысы.

F) &Сыртқы және ішкі факторлардың әсерінен (мысалы жылу) кристаллдық торда кемтіктер мен электрондардың ауысуы.

H) &Ішкі өрістердің әсерінен заряд тасушылардың бағытталған қозғалысы.

$$$ 32

р-n ауысу дегеніміз не?

A) &Сызықты емес вольт-амперлік сипаттамасы бар электронды элементтердің негізі.

C) &Қозғалатын заряд тасушылардан кедейленген өткізгіштігі әр типті екі жартылайөткізгіш контактісі.

$$$ 33

Шоттки диодының негізгі қасиеті:

D) &Шапшаңдығы.

G)& Кернеуінің тура төмендеуі аз.

$$$ 34

Жартылай өткізгіштегі тасушылар диффузиясы деген не?

A) &Концентрациялар біркелкі болмауынан жартылайөткізгіштерде электрондар мен кемтіктердің орын ауыстыруы.

D) &Концентрациялар айырымы есебінен қозғалыс.

F) &Қозғалыстағы заряд тасушылар және заттың көптеген бөлшектері үшін бақыланатын құбылыс.

$$$ 35

Эмиттер дегенiмiз не?

А) &Ашық р-п өткелi жағындағы транзистор облысы.

Е) &Латын тілінен аударғанда “шығару”.

G) &Ішкі құбылыстардың әсерінен электрондар көзі болып табылатын электрод.

$$$ 36

Транзисторда болатын процесстер:

А) &Инжекция.

D) &Рекомбинация.

$$$ 37

Сипаттамада көрсетілген үш аудан қандай?

А) &1– қанығу.

В) 2– кедейлену.

С) 3– актив.

D)1– байыту.

E) &2– тоқ тоқтату.

F) 3– толтыру.

G) 1–кедейлену.

H) 2– байыту.

$$$ 38

Эрли эффектісі дегеніміз не?

A) &Коллектор кернеуін өзгерткенде коллекторлық өткелдің енінің өзгеруіне байланысты база енінің өзгеруі.

C) &Биполярлы транзистордың жұмыс істеу моделін нақтылау.

G) &Дифференциалды кедергінің Uk кернеуінен тәуелділігінен пайда болады.

$$$ 39

Динистор сипаттамасынан теріс кедергісі бар бөлікті көрсетіңіз:

В) &АВ.

F) &Бұл базалық аймақтарға негізгі заряд тасушылар енгізілмеген аралық .

$$$ 40

Сипаттамадан динистордың барлық өткелдері ашық бөлігін көрсетіңіз:

С) &ВС.

F) &Бұл анод тоғының шамасы максимал болған кездегі аралық .

$$$ 41

Сипаттамадан динистордың шеткі құрылымдары ашық, ал ортаңғы құрылымы жабық бөліктерін көрсетіңіз:

А) &ОА.

G) &Бұл тиристор теріс дифференциалдық кедергі мәніне жетпеген кездегі аралық .

$$$ 42 Фотолитография – бұл:

A) &Микроэлектронды элементтер мен құрылғылардың компоненттерінің қажетті өлшемдері мен конфигурациясын алу үшін қолданылатын фото және физика-химиялық процесстердің бірігуі.

C) &Материалдың жұқа пленкасында суретті алу жолы.

H) &Жартылай өткізгіштерді шығаруда қолданылатын планарлы технологияның негізгі түрінің бірі.

$$$ 43

Р-n-р транзисторында негіз арқылы өтетін тоқ эмиттерден бүркілген . . . тасылады:

B)& Кемтіктермен.

F) &Өткізгіш зонасындағы бос орынмен.

$$$ 44

Фотодиодтың ерешеліктері:

A) &Құрастыру технологиясы мен құрылымы қарапайым.

H) &Жоғары фотосезімталдығы мен тез әрекеттігінің сәйкестендірілуі.

$$$ 45

Тиристор – ... аспап:

D)& Бір күйден екінші күйге басқару импульсі арқылы ауысып-қосылу мүмкіндігі бар электронды.

G) &Үш немеса одан да көп p-n ауысуларынан тұратын.

$$$ 46

Жартылай өткізгіш прибор – тиристордың құрамы:

G) &Басқарушы электрод.

$$$ 47

Сыйымдылығы тұрақты конденсаторды сипаттаушы негізгі электрлік параметрлер:

A) & Сыйымдылық .

H) & Шекті кернеу.

$$$ 48

Трансформатор үшін қолданылатын өзекшенің көп таралған формасы

Е) & Бронды, стерженьді.

F) & Тороидты.

$$$ 49

Суретте шартты белгісі көрсетілген аспапты:

А) &Триодты симметриялы жабылмайтын транзистор.

$$$ 50

Шоттки диодының негізгі қасиеті:

C) & Шапшаңдығы.

$$$ 51

Диодтың суретте көрсетілгендей ВАС-ы бар, ондағы U=2В, I₁=1А

Резистордың кедергісі:

A)& 1 Ом.

G)&Диодтың толық ашылуы кезіндегі кернеу мен тоқтың мәндеріне тең.

$$$ 52

n-p ауысуының КЗО (кеңістіктік заряд облысы)-ғы көлемді зарядтың қалыптасуы:

А)& Донор және акцептор қоспаларының теңестірілмеген зарядтарымен.

D)& Екі әртүрлі аттас зарядталған қабаттармен.

Е)&Теңестірілген күймен (мұнда диффузиядан болатын тасымалдаушылардың аз тогы және түйісу өрісінің әсерінен болатын емес тасымалдаушылардың тогы, бұл токтар бір-бірін теңестіреді.

$$$ 53

n-p ауысуының КЗО (кеңістіктік заряд облысы)-ғы ішкі электрлік өрісі:

А)& Болмайды.

D)& КЗО қысқарады, егер оң потенциал p- облысына қосылған болса, онда потенциалды барьер төмендейді (тура ығысу).

Е)& КЗО қысқарады, егер теріс потенциал n- облысына қосылған болса, онда потенциалды барьер төмендейді (кері ығысу).

$$$ 54

Температураның өсуімен жартылай өткізгіштегі қоспа диффузия процесінің өту жылдамдығы:

А)& Өседі.

D)& Процестің өту уақытына байланысты өседі.

Е)& Динамикалық түрде өседі.

$$$ 55

Тоғыспаған р-жартылай өткізгіштің Ферми деңгейі мына жерде орналасады:

С)& Тыйым салынған аймақта,валенттік аймақтың жоғары бөлігіне жақын.

F)& Тыйым салынған аймақтан валенттік аймақтың максимальды мәніне дейінгі аралық.

$$$ 56

Суретте шартты-графикалық белгілену келтірілген:

A) &Түзеткіштің активті жүктемеге жұмыс істеу сұлбасы.

D) &Бір жарты периодты түзеткіш.

$$$ 57

Жартылай өткізгіштің теориялық түрінен ВАС-ның айырмашылығына алып келетін факторлар:

A) &Жартылай өткізгіштердегі генерация және рекомбинация топтары.

C) &Р-n ауысу өлшемдерінің тәуелдігі.

E) &Температураға тәуелділігі.

$$$ 58

Р-п ауысудың кері кернеуінің өсуі (модуль бойынша) кезінде барьерлік сыйымдылықтық өзгерісі:

D) & Сызықты заң бойынша азаяды.

E) &Азаяды.

H) &Сол кернеудің модулі бойынша сәйкесінше азаяды.

$$$ 59

Жартылай өткізгішті диодтың төменде көрсетілгеннің ішінен электрлік тесілуі:

B)& Ауысу арқылы кері ток мәнінің өсуі кезінде р-п ауысудағы кернеудің жылдам өсуі.

D)& Ауысу арқылы кері кернеу мәнінің өсуі кезінде р-п ауысудағы токтың

жылдам өсуі.

F)& Осы диод мәні үшін қысылшаң болатын кері кернеуге жету кезінде диод арқылы кері токтың жылдам өсу құбылысы.

$$$ 60

Биполярлық транзистордың активті жұмыс істеу режимінде p-n ауысудың дифференциалдық кедергілері келесі түрде сипатталады:

A)& Эмиттерлік ауысудың кедергісі, аз ал коллекторлық ауысудікі көп.

F)&Эмиттерлік және коллекторлық диодтарды ауыстырудың сызықсыз динамикалық моделінен алынған, БТ аз сигналды сұлбасындағы кернеумен тоқтың аз ғана өсімшелерінің арасындағы байланыс.

G)& R_э=dU/dI((T/Iэ).

$$$ 61

Транзистордың ток беру коэфиценттерінің және арасындағы өзара байланыс:

1. .

2. .

3. .

4. .

5. 1/.

6. күшейту коэффициенті транзистордың тегіне байланысты және әдетте 10-300 аумағында жатады,ал болады.

7. & болғанда.

8. .

$$$ 62

ОБ немесе ОЭ қосылу сұлбаларында,токты тура беру коэффициенті жиілігіне қатты тәуелді:

1. & ОЭ қосылу сұлбасында.

2. ОБ қосылу сұлбасында.

3. Екі сұлбада да бірдей.

4. Бұл температураға байланысты.

5. Бұл жасалу материалына байланысты.

6. & Токты қайталағыш сұлбасында токты тура беру коэффициенті жиілігіне ғана тәуелді.

7. & Ток бойынша, кернеу бойынша және қуат бойынша коэффициенттері өте жоғары сұлба, токтың тура беру коэффициенті жиілігі аса тәуелді.

$$$ 63

ОЭ немесе ОБ қосылу сұлбаларында, токты тура беру коэффициенті жиілігіне аз ғана тәуелді:

1. ОЭ қосылу сұлбасында.

2. & ОБ қосылу сұлбасында.

3. Екі сұлбада да бірдей.

4. Бұл температураға байланысты.

5. Бұл жасалу материалына байланысты.

6. &Токты қайталағыш сұлбасында токты тура беру коэффициенті жиілігіне тәуелді.

7. & Тек кернеу және қуат бойынша кушейту беретін сұлбада.

$$$ 64

Һ11 көрсеткішінің анықтамасы:

1. Һ11.

2. Һ11.

3. Һ11.

4. & Һ11.

5. Һ11.

6. &Кіріс кедергі.

7. 7 Кірістегі кернеудің кірістегі токқа қатынасын көрсететін көрсеткіш.

$$$ 65

Коллекторлық кернеумен базаның қалыңдығын модуляциялау дегеніміз:

1. & Коллекторлық ауысудың енінің өзгеру салдарынан коллекторлық өзгерген кезде базаның қалыңдығының өзгерісі.

2. База шықпасының аймаңында коллекторлық кернеудің қалы Коллекторлық кернеудің эмиттерлік ауысудың еніне әсер байланысты базаның қалыңдығының өзгерісі.

3. Коллекторлық кернеудің базадағы жылжымалы заряд тасушы шоғырына әсер етуіне байланысты базаның қалыңдыңғының өзгерісі.

4. Температураның әсер етуіне байланысты базаның қалыңдығына.

5. Коллекторлық токтың эмиттерге әсер етуі азайған кездегі өзгерісіне.

6. &Теріс коллектор-база кернеуін ұлғайтқан кездегі шығыс сипатының көтерілуі, бұл кезде коллектор тогы артады.

7. & Теріс коллектор-база кернеуін ұлғайтқан кездегі шығыс сипатының көтерілуі,бұл кезде коллектор тогы азаяды.

$$$ 66

Құйма мен бастаудың n+облысын қалыптастыратын қоспалар:

А) &Фосфор,бор.

В)& V топтың элементтері.

D) &Жартылай өткізгішке қарағанда бір топқа үлкен элементтер.

$$$ 67

Заряд тасымалдаушылардың өткізетін арнаға өтуін жүзеге асыратын электрод:

D) &Арнадағы негізгі тасымалдаушыладың инжекцияланатын транзистор облысы.

$$$ 68

Арнаның ұзындығы:

A)& N-текті немесе p-текті бастау және құйма облыстарының ара қашықтығы.

B)& бастау мен құйма облыстарының ұзындықтарын қосқандағы ара қашықтық және олардың арасындағы аралық қашықтық . D) &Тиекпен басқарылатын төсеме бөліктегі арнаның ара қашықтығы.

$$$ 69

Тиектегі кернеу оң болатын процесстің түсіндірілуі:

A) &Электрондар Si-SiO2 бөлімінің жазығынан тебіле бастайды.

E) &Тиек n-арналы транзистордың оң кернеуімен басқарылады.

H) &N-арналы транзисторға қорек дұрыс берілген.

$$$ 70

Табалдырықтық кернеу:

A)& Si-SiO2 жазығының қасындағы электрондар концентрациясы төсемдегі кемтіктер концентрациясынан 2 есеге көп кезіндегі кернеу.

D) &Бұл индукцияланған арналы оқшауланған тиекті транзистор үшін тиек-бастау кернеуі,онда құйма тоғы берілген мәнге жетеді.

F) &Айрықшаланған құйма тогы көрінетін тиек кернеуі.

$$$ 71

Суретте көрсетілген сипаттама:

A)& P-n ауысыуымен басқарылатын транзистордың құйма-тиектік сипаттамасы.

D)& Токсыз кернеу бейнеленген p-n ауысыуымен басқарылатын транзистордың құйма-тиектік сипаттамасы.

G)& P-n ауысыуымен басқарылатын транзистордың басқарушы емес сипаттамасы.

$$$ 72

Кедейленген қабат қалындығының үлкеюнің болуы:

A)& Тиек пен төсем,құйма мен бастау арасында туындайтын екі электрлік өрістердің бір-бірінен әсерінен.

D)& Арнаның қалыңдығы мен қиғаш кесуітиектегі кернеудің өзгерісінен.

F)& Құйма тогының өзгеруі,яғни жүктеме тізбегіндегі ток қуатты корек көзіне қатысты да өзгеруін.

$$$ 73

Биполярлық транзистордың өрістік транзистордан ерекшелігі:

D) &Өрістік транзистордағы тиекті кернеумен жасалатын электрлі өрістік тогына «перпендикулярлы» әрекет нәтижесінде өзгеретін ток.

$$$ 74

Бастаудан құймаға дейн арнасы болатын аспаптың жұмыс параметрінің облысы:

E)& КЗО (кеңістік заряд облысы).

$$$ 75

Графикке қарап транзистор сипаттамаларының тегі:

A) &P-n ауысуымен басқарылатын өрістік транзистордың құймалық және құйма-тиектік сипаттамалары.

D)& P-n ауысуымен басқарылатын өрістік транзистордың басқарушы сипаттамалары.

E)& Биполярлық транзистордың шығыс сипаттамалары.

$$$ 76

Арнаның қимасы өрістік транзистор кернеуінің U_кб шамасына тәуелді немесе тәуелді еместігі:

B) &Тәуелді, өйткені арнадағы кернеудің түсуі ауысудағы кернеуді, сонымен қатар оның енін анықтайды.

D) &Тәуелді, өйткені транзистордың U_кб өзгеруі кезінде тасымалдаушылар инжекциясының деңгейі өзгереді.

F) &Тәуелді, өйткені тиектегі кернеумен басқарылады.

$$$ 77

Өрістік транзистордың тіктігінің анықтамасы:

&.

F)& Өрістік транзистордың тіктік сипаттамасы биполярлық транзисторға қарағанда 1-2 ретке кем, сондықтан жүктеменің аз кедергісі кезінде өрістік транзистор каскадының күшейту коэффициенті биполярлық транзистордағы осы секілді каскадтың күшейту коэффициентінен аз.

G)& S=Sмакс(1- U т•б/U т-з ).

$$$ 78

Өрістік транзистордың кіріс кедергісінің шамасы:

G)& Үлкен, өйткені құрылымда диэлектрик қабаттары болады.

$$$ 79

Суретте көрсетілген транзистор:

В)& P-n ауысуымен басқарылатын және n-арналы өрістік транзистор.

$$$ 80

Суретте көрсетілген транзистор:

D) &P-n ауысуымен басқарылатын және p-арналы өрістік транзистор.

$$$ 81

Суретте көрсетілген транзистордың дұрыс жауабы:

А)& Индукцияланған n-арналы МДЖ-транзистор.

$$$ 82

Суретте көрсетілген транзистор:

С) &Қондырылған n-арналы МДЖ-транзистор.

$$$ 83

Суретте көрсетілген транзистор:

С) &Қондырылған p-арналы МДЖ-транзистор.

$$$ 84

Суретте келтірілген транзистор:

E)& Индукцияланған р-арналы МДЖ-транзистор.

F)& Индукцияланған р-арналы оқшауланған тиекті өрістік транзистор.

G)& Негізгі заряд тасымалдаушылары кемтіктер болып саналатын қондырылған арналы МДЖ-транзистор.

$$$ 85

Тринисторды ауыстырып қосу мезетін басқару іске асады:

A)& Базалық аймақтарға тасымалдаушыларды енгізу арқылы.

G)& Тиристорды тұрақты жабық күйден, тұрақты ашық күйге ауыстыру үшін анодтағы кернеуді үлкейту керек. H)& Басқару электродына кері полярлы импульс беру керек.

$$$ 86

Динисторды сипаттамасындағы ОА тіліміндегі токтың аз мәнінің түсіндірмесі:

B)& Құрылымның ортаңғы ауысуы жабық.

F)& Ортаңғы ауысудың кедергісі аса жоғары.

G)& Анодтағы ток көбейе бастайтындай, ауыстырып қосу кернеуі қажетті мәнге жеткен жоқ.

$$$ 87

Тиристордың ауысып қосылуын басқаруды қамтамасыз ететін, сұлба:

C) & F) &Бұл оң кернеу полюсі түсірілетін сұлба. H) &Бұл р-текті басқару электродына кернеу түсіре отырып, ауыстырып қосу кернеуін реттеуге болатын сұлба.

$$$ 88

Тринисторды ауыстырып қосу мезетін басқару... есебінде жүреді:

A)& Базалық аймақтарға тасымалдаушыларды енгізу есебінде.

F)& Базалық аймақтарға тасымалдаушыларды лигерлеу есебінде. G)& Базалық аймақтарда заряд тасымалдаушыларды дұрыс ұлғайту есебінде.