ТЕстер ЭЭ / тесты Электроника ЭЭ-32 274 12-13 г НОВЫЙ / тесты Электроника ЭЭ-32 274 12-13 г НОВЫЙ

Тестовые вопросы и задания по дисциплине “Электроника” на 2012-13 г.

Специальность 050718 Электроэнергетика (очное обучение), Язык обучения – русский

Семестр обучения 5 Курс 3.Группа: ЭЭ-32.

Преподаватель ответственный за разработку тестов Филимонова Э.Н.

№ п/п	Уровень сложности	Вопрос	Тема, раздел.	Ответ а)	Ответ б)	Ответ в)	Ответ г)	Ответ д)
1	1	Какая проводимость полупроводников обозначается «п»	1	электронная	дырочная	абсолютная	относительная	Протонная
2	1	Какая проводимость полупроводников обозначается «р»	1	дырочная	электронная	абсолютная	относительная	Протонная
3	1	Определение электронно-дырочного перехода в полупроводниковых приборах – «р-п»	1	Электрический переход между двумя областями п\п электропроводностью «п» «р»	Это две области п\п с различными типами примесей	Две области п\п где мало основных носителей зарядов со знаком +	Две области п\п где мало электронов и дырок	Две области п\п где много электронов и дырок
4	1	Какие составляющие имеет ток при дырочной проводимости полупроводника	1	(диффузионный ток и дрейфовый)		Ток от акцепторной и донорной примисей	Ток от основных носителей заряда и не основных носителей заряда	Ток с положительным и зарядами и отрицательными
5	2	Что называют электрическим переходом в двух контактных слоях п\п	1	Переходный слой в п\п между двумя областями с различными типами электропроводности одна из областей может быть металлом.	Переходный слой в п\п между областями с различными напряжениями одна из областей может быть диэлектриком	Переходный слой между двумя областями обе области из металла	Переходный слой между двумя областями обе из диэлектрика	Переходный слой между двумя областями с донорной примесью
6	1	Что называют контактной разностью потенциалов в п\п – «	1	Обусловленная собственным электрическим полем «р-n» перехода	Обусловленная внешним электрическим полем в «п-р» переходе	Обусловленная внесением акцепторной примеси в п\п	Обусловленная внесением донорной примеси в п\п	Обусловленная барьерной емкостью п\п в «р-п» переходе
7	1	Что создает диффузионный ток	1	Перемещение собственных носителей из области с большей концентраций в область с меньшей концентрацией	Электрические заряды областей при повышение напряжения в «p-n» переходе.	Ток в «р-n» переходе при сильном эл. поле	Ток созданный дрейфом зарядов при низком напряжение «р-n» перехода	Ток в «р-n» переходе под действием контактной разности потенциалов
8	2	От чего возникает контактная разность потенциалов в п\п	1	Под действием внутреннего электрического поля между границами контактного слоя	Под действием внешнего эл. поля.	Под действием повышенной температуры	Под действием обратного напряжения	Под действием дрейфового и диффузионного токов
9	1	Какое направление тока в п\п называют техническим	1	Противоположное теоретическому	Направление одинаковое с теоретическим	Направление обусловленное диффузионным током	Направление одинаковое с дрейфовым током	Направление тока сезонное электронами
10	2	В чистом п\п концентрация собственных носителей заряда пi и pi в каком соотношение они находятся.	1
11	3	Что называется генерацией собственных носителей заряда в п\п	1	Образование в чистом п\п пары электрон дырка	Образование электронов под действием эл. поле	Образование дырок под действием Эл. поля	Образование диффузионного тока	Образование диффузионной емкости
12	2	Какой ток наз. дрейфовым	1	Ток, образованный полем «р-n» перехода	Ток, образованный внешним полем в п/п	Ток, образованный при пониженном потенциале «р-n» перехода	Ток, под действием контактной разности потенциалов	Ток, под действием температурного потенциала
13	2	Понятие «экстракция» носителей заряда в «р-п» переходе.	1	Явления переноса не основных носителей заряда под действием эл. поля перехода через «р-n» переход	Перенос не основных носителей под действием температуры «р-n» перехода.	Перенос основных носителей через «р-n» переход под действием эл. поля «р-n» перехода	Перенос основных носителей через «р-n» переход под действием температуры	Перенос основных носителей под действием понижения потенциального барьера.
14	2	Понятие «Инжекция» носителей заряда.	1	Введения носителей заряда через «р-n» переход при понижении потенциального барьера	Введение носителей заряда через «р-n» переход при повышении потенциального барьера	Введение носителей заряда через «р-n» переход при неизменном потенциальном барьере	Введение носителей заряда через «р-n» переход при повышении температуры	Введение носителей заряда через «р-n» переход при понижении температуры.
15	2	Как изменяется концентрация основных носителей заряда при введении донорной примеси в п/п.	1	n>>p	p>n	p=n	n=np	n=np
16	2	Как изменяется концентрация основных носителей заряда при введении акцепторной примеси в п/п.	1	p>>n	n>p	n= p	n= n	n=n p
17	2	При U=0.3В через диод проходит I=50мА. ; Определить: 1) R-постоянному току 2) Дифференциальное	3	R=6 r	R=5 r	R=10 r	R=6 r5	R=5 r
18	2	Для чего вводят в чистый п/п акцепторные примеси Получают проводимость:	1	дырочную	электронную	абсолютную	относительную	сверхпроводимость
19	2	Для чего вводят в чистый п/п донорные примеси. Получают проводимость:	1	электроную	дырочную	Абсолютную	относительную	сверхпроводимость
20	3	Основные конструктивные элементы выпрямительного диода	1	Анод, катод	Катод подложка	Эммитер, коллектор	Сток, исток	Затвор, эмиттер
21	4	Чем характерен тепловой пробой «р-n» перехода для п/п приборов Прибор:	1	Выходит из строя	Годен к дальнейшей работе	Можно использовать, изменив направление тока	Можно использовать при пониженном напряжении	Можно использовать при низких температурах
22	4	Чем характерен электрический пробой «p-n» перехода для п/п приборов Приборов:	1	После пробоя годен к дальей работе	Выходит из строя	Нельзя использовать, при низкой температуре	Нельзя использовать при пониженном напряжении	Можно использовать при высокой разности потенциалов
23	3	Стабилитрон к какому виду п/п приборов относиться.	1	К диоду	К тиристору	К биополярному транзистору	Полевому транзистору	К импульсивному генератору
24	3	Для чего предназначен стабистор	1	Для стабилизации малых напряжений	Для стабилизации больших напряжений	Для стабилизации тока	Для стабилизации частоты	Для стабилизации температуры
25	3	В чем особенность диода Шотки	2	Вместо «p-n» перехода используют контакт металл-п/п	Используют контакт металл-оксид-п/п	Используют контакт металл-диэлектрик	Использую переход «p-n» при пониженном напряжении	Исползуют «p-n» перехо при высокой мощности
26	3	Для чего использую «Варикап».	1	В качестве конденсатора	Как индуктивность	В качестве потенциометра	В качестве резистора	Как импульсный диод
27	3	Как влиет повышение температуры на параметры диода	3	Прямой и обратный токи растут, растет барьерная емкость «С»	Прямой ток не изменяется, обратный ток увеличивается, С=const	Прямой ток уменьшается, обратный уменьшается, С=const	Прямой ток растет, обратный уменьшается С- возрастает	Прямой ток растет, обратный не изменяется, С- уменьшается
28	2	Определить t=20C; n N	3	0.265	0.323	0.255	0.380	0.256
29	1	Выражение для определения .	2	.
30	1	Формула для определения (контактная разность потенциалов).	3
31	3	Общее выражение дифференциального сопротивления диода.	2
32	3	Для диода Ом (подключена последовательно.) Определить	3	10	12	15	5	8
33	3	Для диода R- резистор нагрузки (подключен последовательно). Определитьпри котором диод будет работать в безопасном режиме.	3	10,8	10,5	10	9	15
34	1	В каких режимах может работать мостовая схема на тиристорах	3	В выпрямительном и инверторном	Только в выпрямительном	Только в инверторном	В усилительном	В режиме стабилизации
35	2	Основные конструктивные элементы биполярного транзистора	5	эмиттер, коллектор, база	эмиттер, база, подложка	анод, катод, затвор	анод, база, коллектор	Катод, коллектор, затвор
36	2	В каких устройствах не используют транзисторы	5	выпрямителях	усилителях	Ключевых	Импульсных	логических
37	2	В каких устройствах используют тиристор	6	В инверторных	В стабилизаторах	В фильтрах	В усилителях	В трансформаторах
38	1	Классификация параметров для транзисторов	5	Первичные, вторичные	Главные, второстепенные	Стабилизирующие, второстепенные	Емкостные, резистивные	Инверторные, сглаживающие
39	2	Связь между IЭ и IК характеризуют коэффициентом передачи тока, его выражение	5
40	2	Типовые схемы включения биполярных транзисторов	5	ОБ; ОЭ; ОК	ОЭ; ОЗ; ОК	ОС;ОБ;ОК	ОС; ИС; З	ОК; ОС; ОЭ
41	2	Соотношение между коэффициентами передачи тока эмиттера « α » и коэффициентом передачи тока базы « β » для схемы «ОЭ» транзистора	5
42	3	Соотношение между коэффициентами передачи тока эмиттера « α » и коэффициент передачи тока базы « β » для схемы транзистора с «ОБ»	5
43	3	Соотношение между коэффициентами передачи тока эмиттера « α » и коэффициентом передачи тока базы « β » для схемы транзистора с «ОК»	5
44	3	Что означает параметр транзистора : Um1 h11 = _______ при U2m= 0 Im1	5	Входное сопротивление для переменного сигнала	Выходное сопротивление	Коэффициент полезного действия	Коэффициент обратной связи по напряжению	Коэффициент усиления по току
45	3	Что означает параметр транзистора : U1m h12 = _______ при I1m= 0 U2m	5	Коэффициент обратной связи по напряжению	Коэффициент передачи тока	Выходное сопротивление	Входное сопротивление	Коэффициент усиления по напряжению
46	3	Что означает параметр транзистора : Im2 h22 = _______ при Im1= 0 Um2	5	выходная проводимость	входная проводимость	Коэффициент усиления по току	Коэффициент усиления по напряжению	Коэффициент передачи тока
47	3	Что означает параметр транзистора : Im2 h21 = _______ при Um2= 0 Im1	5	Коэффициент передачи тока	входная проводимость	Коэффициент усиления по току и по напряжению	Коэффициент усиления по напряжению	выходная проводимость
48	1	Основные ВАХ биполярного транзистора	5	входные I1= f (U1) выходные I2= f (U2)	Амлитудные и фазовые	Частотные и алгебраические	Усилительные и АФЧХ	Апериодические, импульсные
49	2	Какая схема биполярного транзистора обладает лучшими термостабилизирующими свойствами	5	ОБ	ОЭ	ОК	ОК, ОЭ	ОЭ, ОБ
50	2	Выражения для коэффициентов усиления схемы «ОЭ»	5	ki > 1 ku > 1 kp >1	ki < 1 ku < 1 kp < 1	ki > 1 ku ≤1 kp < 1	ki = 1 ku ≥1 kp =1	ki <1 ku >1 kp =1
51	2	Выражения для коэффициентов усиления схемы «ОБ»	5	ki <1 ku >1 kp >1	ki >1 ku >1 kp >1	ki >1 ku >1 kp <1	ki <1 ku =1 kp <1	ki =1 ku >1 kp >1
52	2	Выражения для коэффициентов усиления схемы «ОК»	5	ki > 1 ku ≤1 kp >1	ki ≥1 ku ≥1 kp ≥1	ki < 1 ku >1 kp > 1	ki = 1 ku >1 kp >1	ki ≤ 1 ku >1 kp ≤ 1
53	1	Основные первичные параметры биполярных транзисторов	5	Rэ; Rк; Rб	Rвых ; Rвх ; Rсреднее	ki ; ku ; kp	Iвх ;Uвх ;Rвх	Uвх ; Uвых; Iвх
54	1	Основные режимы работы транзисторов	5	Активный; отсечки; насыщения	Активный и насыщения	Только отсечки	Только насыщения	Пассивный и насыщения
55	2	Чем характеризуется активный режим работы биполярного транзистора	5	Uпр на эмиттерном переходе, на коллекторном - Uобр	Uобр на эмиттерном переходе, Uпр на коллекторном	Uпр на эмиттерном переходе, Uпр на коллекторном	Uобр на эмиттерном переходе, Uобр на коллекторном	Uпр=0 на эмиттерном переходе, Uобр на коллекторном
56	2	Чем характеризуется режим отсечки биполярного транзистора	5	Uобр на эмиттерном переходе, Uобр на коллекторном переходе,	Uпр на коллекторном переходе,Uпр эмиттерном переходе	Uпр на эмиттерном переходе, Uобр на коллекторном переходе	Uобр на эмиттере, Uпр на коллекторе	Uобр на эмиттере = const, Uпр на коллекторном переходе
57	2	Чем характеризуется режим насыщения в схеме биполярного транзистора	5	Uпр на эмиттерном переходе, Uпр на коллекторном	Uпр на эмиттерном переходе, Uобр на коллекторном переходе	Uобр на эмиттерном переходе, Uобр на коллекторном	Uобр на эмиттерном переходе, Uпр на коллекторном	Uпр=0 на эмиттерном переходе, Uобр= const на коллекторном переходе
58	2	Назначение эмиттера биполярного транзистора	5	Инжекция электронов в базу	Усиление сигнала на входе	Инжекция электронов из базы	Инжекция дырок в коллектор	Усиление сигнала на выходе
59	2	Назначение коллектора биполярного транзистора	5	Экстракция носителей заряда из базы	Инжекция электронов в базу	Инжекция электронов в эмиттер	Экстракция зарядов из эмиттера	Генерация зарядов
60	2	Область п/п, в которую инжектируются неосновные носители заряда из эмиттера	5	База	Коллектор	Источник питания	Дырочная область	Электронная область
61	3	Можно использовать транзистор в инверсном режиме?	5	Можно, но при значительно меньшей мощности	Можно, но при повышенном значении мощности	Нельзя	Можно при нагрузке «RH»=0	Можно при RH >Rbx
62	2	В каких транзисторах любая из крайних областей может работать в качестве эмиттера или коллектора	5	Симметричных	Силовых	Маломощных	В схеме с «ОЭ»	В схеме с «ОБ»
63	2	Какая из трех основных схем включения транзисторов в усилительные и другие каскады дает наибольшее усиление по мощности	5	ОЭ	ОБ	ОК	ОС	ОЗ
64	2	Основные элементы полевого транзистора	6	Исток, сток, затвор	Эмиттер, база, коллектор	Анод, катод, исток	сток, база, затвор	Исток, коллектор
65	2	Два вида полевых транзисторов	6	С управляющим «р-п» переходом и с изолированным затвором – «МДП»	С «п-р» переходом и общим истоком	С «р-п» переходом и общим затвором	С неуправляющим «р-п» переходом и МДП	МОП и МДП
66	2	Основные схемы включения полевых транзисторов с «р-п» переходом	6	ОИ, ОС, ОЗ	ОБ, ОК, ОС	ОЭ, ОЗ, подложка	ОК, ОИ, ОБ	ОЭ, ОК, ОБ
67	2	Виды «МДП» транзистора	6	Со встроенным каналом; индуцированным каналом	Только с каналом «п»	Только с каналом «р»	Только с подложкой	Только с индуцированным каналом
68	2	Выражение для стоковых характеристик полевых транзисторов	6	Ic=f(Uc-и) Uc-и = const	I3-и = f(U3-и) Uc-и = const	Uc-и = f(I3-и) U3-и = const	Ic = f(U3-и) Uc-и = const	I3-и = f(c) U3= const
69	2	Что представляет собой дрейф нуля в усилителях постоянного тока	7	Изменение Uвых при Uвх=0	Uвх= const при Uвых=0	Uвых= const Uвх= const	Uвх=0 Uвых= const	Uвх=0 Uвых=0
70	2	Что означает гальваническая межкаскадная связь в усилителях. Это:	7	Непосредственная	Трансформаторная	индуктивная	Емкостная	резистивная
71	2	Виды ООС в усилителях	7	Последовательная и параллельная по току и напряжению	Только параллельная по напряжению	Только последовательная по напряжению	Только последовательная по току	Только параллельная по току
72	1	Выражение для скважности импульсов «Q»	8					Tω
73	2	При какой модуляции дрейф нуля усилителей не влияет на точность передачи входного канала	8	ШИМ, ЧИМ	АИМ	АИМ, ЧИМ	АИМ, ШИМ	Непрерывный сигнал
74	2	Обозначение на ИМС шифраторов и дешифраторов	8	ДС	MUX	x/y	MX	SM
75	2	Обозначение на схемах мультиплексоров и демультиплексоров	9	MUX, DMX	DC, x/y	DC, SM	x/y, MX	SM, MUX
76	1	Обозначение сумматоров на ИМС	9	SM	MUX	x/y	DC	MX
77	1	Преобразователи цифровых сигналов в аналоговые – обозначение	9	ЦАП	АЦП	x/y	DC	MX
78	1	Преобразователи аналоговых сигналов в цифровые – обозначение:	9	АЦП	ЦАП	MUX	SM	DC
79	2	Что представляет собой операционный усилитель этo:	9	Усилительная ИМС	Схема на МДП	Схема на МОП	Стабилизирующая	Дешифратор
80	3	Для чего используется преобразователи уровней сигналов в цифровых устройствах на логических элементах	9	Для согласования входных и выходных сигналов по «U» и «I»	Для усиления по «U»	Для усиления сигналов по «I»	Для стабилизации сигналов	Для увеличения мощности сигналов
81	2	Основные логические элементы	10	И, ИЛИ, НЕ	ИЛИ – НЕ	И – ИЛИ	И – НЕ	Эквивалентность
82	1	Производные логические функции	10	ИЛИ – НЕ, И – ИЛИ, И –НЕ	И	ИЛИ	НЕ	И – И
83	2	Обозначение интегральной инжекционной логики	10	И^2Л	ДТЛ	ТТЛ	ЭСЛ	ТТЛШ
84	2	Обозначение иметтерно-связанной логики	10	ЭСЛ	ЭТЛ	И2Л	ТТЛ	86
85	2	Обозначение диодно-транзисторной логики	10	ДТЛ	ДЭСЛ	ЭТЛ	И2Л	ТТЛШ
86	2	Как называется узел из силового транзистора и диода в одном корпусе	11	Силовой модуль	Комбинационная логика	Усилитель на силовых транзисторах	Усилитель на ИМС	стабилизатор
87	2	Какая особенность ПЛИС – программируемых логических интегральных схем	11	Большая степень интеграции	Средняя степень интеграции	Малая интеграция	Постоянная интеграция	Сверхвысокая интеграция
88	2	Законы инверсии по теореме Де-Моргана	11	=+	a+b = ∙	ab = +	+ab = +	+=a+b
89	1	Вычислить: F=x∙(x+1+)	11	x	1	0
90	2	Вычислить: F=x+	11	1	x	0
91	1	Вычислить:	11		x	1	0
92	2	Вычислить :	11	x∙y	1	0	x	y
93	1	Вычислить:	11	x+y	1	0
94	1	Вычислить:	11	x+y	0	1	xy
95	1	Вычислить: +	11	+	1	∙	xy	0
96	1	Вычислить: x∙x∙x∙x∙x∙x∙x	11	x	0		1	xy
97	1	Вычислить: x+x+x+x+x+x+x	11	x	1	0	xy
98	2	Вычислить: (x+y)∙(+y)	11	y		1	0	xy
99	1	Вычислить: F=x+yz+z	11	x+z	x+y	x+z+y	xz	xy
100	1	Вычислить: xy+y	11	y		xy	1	0
101	1	Вычислить: x+(y+z)+y	11	x+y	1	xy	0	x-y
102	1	Вычислить: F=x y(y+x)	11	xy	x+y	0	1
103	1	Для чего используют выпрямители на выпрямительных неуправляемых диодах	3	Для преобразования переменного тока в постоянный.	Для преобразования постоянного тока в переменный.	Для усиления напряжения	Для стабилизации напряжения	Для стабилизации тока
104	2	Прямое напряжение на эмиттерном переходе, прямое напряжение на коллекторном переходе. Какой это режим работы биполярного транзистора.	2	Насыщения	Активный	Сглаживания пульсаций.	Отсечки	стабилизация
105	1	В какую цепь в схемах с транзистором включают источник усиливаемых колебаний.	2	Во входную	В выходную	В базу	В коллектор	В базу и коллектор
106	1	В какую цепь в схемах с транзистором включают нагрузку.	2	В выходную	Во входную	В базу	В эмиттер	В базу и эмиттер
107	1	Соотношение тока базы “” и тока эмиттера “” в транзисторах	2
108	1	Для какой цепи базу в транзисторах делают тонкой.	2	Уменьшение тока базы	Увеличение тока базы	Увеличения сопротивления перехода	Уменьшение коллекторного тока	Получения контактной разности потенциала.
109	1	Какое состояние усилителя на транзисторах называют состоянием покоя.	2	При отсутствии входного сигнала	При резком увеличении входного сигнала	При уменьшении входного сигнала	При равенстве входного и выходного сигнала.	При увеличение выходного сигнала.
110	2	Какое напряжение транзисторного усилителя называют напряжением смещения = “Ucм”	2	На входе, смещающее положение рабочей точки покоя.	На входе, не смещающее положение рабочей точки покоя.	На выходе, вызывающее изменение сопротивления транзистора.	На выходе, не вызывающее изменение сопротивления транзистора	На входе и выходе, не вызывающее смещения рабочей точки покоя.
111	2	режим работы усилителя на транзисторах.	2	А	Х	Y	Z	“DC”
112	2	Комбинированный режим работы однокаскадного усилителя на транзисторах	2	AB	X	CB	“DB”	Z
113	2	Основной режим работы однокаскадного усилителя на транзисторах	2	B	AX	AZ	“BD”	YZ
114	2	Один из основных режимов работы однокаскадного усилителя на транзисторах	2	C	ABC	X	YX	AC
115	1	Режим работы усилительного каскада на транзисторах отличаются друг от друга.	6	Углом отсечки “”	Углом сдвига фаз “”	Углом управления “”	Углом наклона нагрузочной прямой “”	Напряжением входа и выхода.
116	3	Угол отсечки в режиме “A” усилительного каскада “”	6	180^◦	90^◦	45^◦	120^◦	50^◦
117	3	Угол отсечки в режиме “АВ” усилительного каскада.	6	180^◦>>90^◦	180^◦>>0	=180^◦	=60^◦	=0
118	3	Угол отсечки в режиме “B” усилительного каскада “”	6	90^◦	180^◦	45^◦	120^◦	60^◦
119	3	Угол отсечки в режиме “C” усилительного каскада “”	6	90^◦>>0	=0	<0	180^◦>>90^◦	=180^◦
120	2	В каком режиме работы усилительного каскада наименьшие искажения формы усилительного сигнала.	6	А	AB	B	C	ВС
121	2	В каком режиме работы усилительного каскада наименьший коэффициент полезного действия по потребляемой эл. энергии.	6	А	B	AB	C	АВС
122	2	Какие режимы работы усилительного каскада экономичнее	6	“В”,”С”	“АВ”	“А”	“СВ”	“АС”
123	1	Конденсаторная связь каскадов в многокаскадном усилителе.	6	“RC”	“LC”	“RLC”	“RLCω	“ωc”
124	1	Название непосредственной связи каскадов в многокаскадном усилителе.	6	Гальваническая	Индуктивная	Емкостная	Трансформаторная	Резисторная
125	2	В усилителях , как называется такое состояние усилителя	6	Дрейф нуля	Усиление	Стабилизация	Сглаживания пульсаций	Инвертирование
126	2	Основное преимущество “RC” связи в многокаскадных усилителях.	6	Отсутствие дрейфа нуля	Наличие дрейфа нуля	Значительное усиление	Uвх=Uвых	Uвх>Uвых
127	1	Название межкаскадной связи в многокаскадных усилителях.	6	Трансформаторная	Токовая	Напряжения	Периодическая	“RLC”
128	1	Ячейка памяти на основе полевого транзистора с изолированным затвором.	7	Флэш-память	Логический элемент “память”	Логика ТТЛШ	Логика ЭСЛ	Логика И^2Л
129	1	Обратная связь в усилителях по напряжению.	7	последовательная	Главная	Местная	Жесткая	Гибкая
130	1	Разновидность обратной связи в усилителях по напряжению.	7	Параллельная	Положительная	Отрицательная	Местная	Главная
131	1	Обратная связь в усилителях по току.	7	последовательная	Главная	Положительная	Отрицательная	Местная
132	1	Один из видов обратной связи в усилителях по току	7	Параллельная	Жесткая	Гибкая	Положительная	Отрицательная
133	2	Обозначение ключевого режима работы транзистора когда он находится или в режиме насыщения, или в режиме отсечки.	3	D	A	B	C	“AB”
134	3	Предельные параметры полевого транзистора.	3
135	1	Параметр, характеризующий свойства полевого транзистора усиливать напряжения.	3	Крутизна, стокозатворной характеристики	Полная мощность	Активная мощность	Входное сопротивление выходное сопротивление.	Выходное сопротивление
136	2	Формула для крутизны стокозатворной характеристики полевого транзистора.	3
137	2	Выражение внутреннего дифференциального сопротивления полевого транзистора.	3
138	2	Выражение коэфф. усиления для полевого транзистора	3
139	2	Зависимость коэфф. усиления полевого транзистора от крутизны характеристики и внутреннего сопротивления.	3
140	2	Эффективное средство борьбы с дрейфом нуля в усилителях	3	Использование дифференциального каскада.	Использование ПОС	Обеспечение Uдрейфа >>Uвхода	Обеспечение Uдрейфа =Uвхода	Использование Umax на выходе
141	1	Важное преимущество ключевого режима работы транзистора	3	Малые потери мощности	Возрастание коэфф. усиления по напряжению	Большое Uк-э	Большой ток	Плавное переключение.
142	1	Особенности полупроводниковой интегральной схемы	7	Нет компонентов	Есть компоненты	Реализует функцию только транзистора	Реализует функцию только резистора	Реализует функцию только диода
143	1	Название интегральной микросхемы, у которой есть компоненты и отдельные кристаллы.полупроводника.	7	Гибридная	Пленочная	Полупроводниковая	Пленочно-гибридная	Резистивная
144	1	Особенность пленочных интегральных микросхем	7	Элементы и соединения выполнена на поверхности диэлектрика	Элементы и соединения выполнены в объеме полупроводника	Содержит только компоненты.	Используется окисла и металла.	Используют конденсаторы.
145	1	Высококачественная усилительная ИМС для усиления постоянных и переменных сигналов	7	Операционный усилитель	Усилитель низкой частоты	Двухкаскадный усилитель мощности	Полупроводниковый индикатор	Жидкокристаллический индикатор.
146	1	Особенность ЖКИ – жидкокристаллических индикаторов	4	Не излучает свет	Излучает свет	Содержит газоразрядный прибор – индикатор	Содержит в основе вакуумный люминасцентный индикатор.	Не нуждается в источниках постоянного света.
147	1	Название полупроводникового индикатора	9	Светодиод	Вакуумный люминасцентный	Газоразрядный	Жидкокристаллический	Оптопара
148	1	Полупроводниковый прибор, содержащий в одном корпусе источник излучения и приемник излучения.	9	Оптрон	Светодиод	Фотодиод	Фототиристор	Фоторезистор.
149	1	Особенность светодиодов	9	Полная защищенность от электромагнитных помех.	Защищает от больших токов	Линейная зависимость выходного сигнала от входного	Излучает свет	Не имеет отражающей оболочки в шлангах.
150	2	Тип тиристоров, выполняющих операцию включения, сохраняющих открытое состояние независимо от наличия сигнала на управляющем электроде	10	Одно операционные	Двух операционные	Запираемые	Управляемые по аноду	Управляемые по катоду.
151	2	Когда при включении тиристора в электрическую цепь – ток в цепи будет отсутствовать.	10	При отсутствии сигнала на управляющем электроде	При подачи сигнала на управляющий электрод	При увеличении э.д.с. источника питания	При подаче сигнала на анод	При большой нагрузке.
152	2	В каком случае тиристор находится всё время в закрытом состоянии.	10	При обратном напряжении	При подаче прямого напряжения	При увеличение э.д.с. источника питания.	При большом значении сопротивления нагрузки	При подаче тока управления
153	2	Динамический параметр тиристора	10
154	2	Название параметра тиристора	10	Критическая скорость нарастания анодного тока при включении.	Максимальное значение тока	Максимальное значение времени отпирания	Дифференциальное уравнение характеристики	Критическая скорость тока при включении.
155	2	Название параметра тиристора	10	Скорость нарастания прямого напряжения	Скорость нарастания обратного напряжения	Скорость нарастания управляющего тока.	Скорость нарастания времени включения	Скорость нарастания времени отключения.
156	2	Особенность динистора	9	При обратном напряжении всегда заперт	При обратном напряжении всегда открыт	При прямом напряжении всегда заперт	При прямом токе заперт	При обратном токе открыт
157	2	Конструктивная особенность динистора	9	Нет управляющего электрода	Есть управляющий электрод	Многослойный переключающий прибор	Заменяет цепь из двух обычных тиристоров.	Двух операционный тиристор.
158	3	Многослойный переключающий прибор с симметричной “ВАХ”	9	Симистор	Позистор	Термистор	Фоторезистор	Фотодиод
159	2	Тип запираемых тиристоров	9	Двух операционные	Одно операционные	Симисторы	Динисторы	Варикапы
160	1	Источник излучения	7	Лазер	Фотодиоды	Фоторезисторы	Фототиристоры	фототранзисторы
161	1	К какому типу оптоэлектронных приборов относят светодиод это:	7	Источник излучения	Приемник излучения	Оптрон	Фотодиод	Фоторезистор
162	1	Важное достоинство оптоэлектронных приборов.	7	Невосприимчивость оптических каналов к электромагнитным полям.	Не полная гальвоническая развязка источников и приемников излучения	Много направленность потока информации.	Не большое использование диапазона частот	Незначительная информационная емкость
163	2	Характеристика излучающего диода в видимом диапазоне волн.	7	L=ƒ(i)	i=ƒ(p)	P=ƒ(i)	i=ƒ(R)	U=ƒ(i)
164	1	Название характеристики L=ƒ(i) для светодиода	7	Яркостная	Световая	Токовая	Фотонная	Напряжения
165	1	Характеристики светодиода не видимом диапазоне волн	7	P=ƒ(i)	i=ƒ(U)	U=ƒ(i)	L=ƒ(i)	i=ƒ(R)
166	1	Название величин в зависимости P=ƒ(i) для светодиода	7	Мощность излучения от тока светодиода	Входная мощность от тока	Активная мощность от тока	Характеристика мощности от тока в видимом диапазоне волн	Яркость светодиода от тока
167	1	Что означает “L” для светодиода	7	Яркость	Индуктивность излучения	Фильтр	Мощность	Сила света
168	1	Название пары: “светодиод – фотодиод ”	7	Оптрон	Варикап	Динистор	Симистор	Варактор
169	3	Условие для получения не выпрямляющего контакта в полупроводниковых приборах “металл – полупроводник” “n”типа	4
170	2	Условие получения невыпрямляющего контакта в полупроводниковых приборах “металл-полупроводник ” “P” типа	4
171	2	Что означает в полупроводниковых приборах с невыпрямляющим контактом“металл – полупроводник”	4	Контактная разность потенциалов	Потенциал электрона	Температурный потенциал контактов	Потенциал металла	Потенциал полупроводника
172	1	В каком приборе используется выпрямляющий контакт “металл – полупроводник”	1	В диоде Шоттки	В стабисторе	Симисторе	Стабилитроне	Обращенном диоде
173	2	Особенность выпрямляющего контакта “металл – полупроводник” “n”типа	4
174	2	Для усилительного каскада по схеме “ОЭ” выражение эквивалентного сопротивления нагрузки каскада	6
175	3	-максимальная мощность	6	Коллекторе	Эмиттере	Базе	Аноде	Катоде
176	2	Для выходных характеристик транзистора известны координаты двух точек : Точка А: Uк-э=0; Iк=20∙10^-3А Точка В: Uк-э= Uп; Iк=0, что стоят по этим координатам.	2	Нагрузочную прямую постоянного тока	Находят точку покоя	Нагрузочную прямую	ВАХ транзистора	Входную характеристику
177	2	Что можно определить по выражению для усилительного каскада “ОЭ”	6	Нагрузочную прямую по перемещенному току.	Нагрузочную прямую постоянного тока	Выходное сопротивление	Входное сопротивление.	Сопротивление нагрузки.
178	1	Рассчитать коэффициент усиления по напряжению “” для усилительного каскада “ОЭ” ,	6	40	780	1600	0,025	820
179	2	Определить амплитуду напряжения источника питания для усилительного каскада “ОЭ”, амплитуда напряжения нагрузки Uнm=5,B. Коэфф. усиления KU=20	6	0.25	100	4	25	15
180	1	В каком режиме работает стабилитрон	1	Электрического пробоя	Усиления	Насыщения	Теплового пробоя	Отсечки
181	1	Показать полярности напряжений для прямого и обрат­ного включения полупроводникового диода:	1					Нет правильного ответа
182	1	Как соотносятся (больше, меньше) статические сопро­тивления полупроводникового диода в точках А, В, С? Точка А на обратной, точки В, С на прямой ветвях ВАХ:	1	Rст.А>Rст.B>Rст.C	Rст.А>Rст.B<Rст.C	Rст.C<Rст.A<Rст.B	Rст.B>Rст.C>Rст.A	Rст.B=Rст.C>Rст.A
183	1	Выпрямительные диоды предназначены для преобразования:	1	Переменного тока в постоянный	Постоянного тока в переменное напряжение	Переменного сопротивления в постоянное	Постоянного напряжения в переменное напряжение	Переменного тока в постоянное напряжение
	1	В основе диода лежит:	1	p-n-переход	Два p-n-перехода	Переход проводник-диэлектрик	Полупроводник с дырочной электропроводностью	Полупроводник с электронной проводимостью
	2	Выберите схему включения стабилитрона с нагрузкой.	1					Нет правильного ответа
	1	Полупроводниковые стабилизаторы предназначены для:	1	Для стабилизации входного напряжения	Преобразования переменного напряжения в постоянное напряжение	Выпрямление постоянного напряжения в переменное напряжение	Для стабилизации тока	Для стабилизации выходного напряжения
	2	Эквивалентная схема замещения диода изображена:	1
	1	Принцип стабилизации стабилитрона:	1	При большом изменении тока напряжение на стабилитроне меняется незначительно	При небольшом изменении тока напряжение на стабилитроне меняется незначительно	При увеличении входного напряжения Uвх напряжение на стабилитроне Uвых меняется не значительно	Сопротивление стабилитрона меняется скачкообразно	Сопротивление стабилитрона уменьшается с повышением температуры
	2	В схеме параметрического стабилизатора напряжения при увеличении входного напряжения Uвх изменение напряжения ΔUвх в основном падает на:	1	Rб	VD	Rн	Сопротивление проводов	Равномерно на всех элементах схемы
	3	При увеличении сопротивления Rн ток через VD Iст:	2	Увеличивается	Не изменяется	Уменьшается	Сначала увеличивается, потом уменьшается	Сначала уменьшается, потом увеличивается
	1	Рабочим участком стабистора на вольт-амперной характеристике (ВАХ) является:	1	Участок на прямой ветви ВАХ	Прямая ветвь ВАХ	Обратная ветвь ВАХ	Прямая и обратная ветви ВАХ	Участок на обратной ветви ВАХ
	1	Рабочим участком стабилитрона на вольт-амперной характеристике (ВАХ) является:	2	Участок на обратной ветви ВАХ	Участок на прямой ветви ВАХ	Обратная ветвь ВАХ	Прямая ветвь ВАХ	Прямая и обратная ветвь ВАХ
	2	Какое физическое явление лежит в основе работы стабилитрона?	1	Электрический пробой р-n-перехода	Туннельный пробой р-n-перехода	Лавинный пробой р-n-перехода	Тепловой пробой р-n-перехода	Нет правильного ответа
	2	Чем ограничивается максимальное значение сопротивления Rб?	2	Напряжением источника питания	Значением тока в цепи	Значение сопротивления нагрузки Rн	Коэффициентом стабилизации стабилитрона	Значением сопротивления стабилитрона
	2	ВАХ тунельного диода характеризуется:	1	Наличием участка отрицательного дифференциального сопротивления	Наличием участка положительного дифференциального сопротивления	Отсутствием участка дифференциального сопротивления	Участком гистерезиса	Правильный ответ отсутствует
	2	Какие полупроводниковые материалы применяются при изготовлении полупроводниковых приборов(диодов)?	1	Примесные	Чистые	Только i-типа	Только n-типа	Только р-типа
	2	Какие носители заряда создают ток при прямом смещении p-n-перехода?	1	Основные	Дырки	Электроны	Неосновные	Нет правильного ответа
	1	Каково соотношение между прямым Rпр и обратным Rобр сопротивлениями у выпрямительного диода:	3	Rпр<<Rобр	Rпр<Rобр	Rпр>Rобр	Rпр>>Rобр	Rпр=Rобр
	1	Какое свойство p-n-перехода используется в выпрямительных диодах?	2	Односторонняя проводимость	Барьерная емкость	Тепловой пробой	Электрический пробой	Туннельный пробой
	2	На рисунке изображено включение диода:	1	прямое	обратное	низкоомное	высокоомное	Нет правильного ответа
	2	На рисунке изображен:	1	Диод	Стабилитрон	Варикап	Туннельный диод	Стабистор
	2	Укажите графическое изображение варикапа:	2
	3	Укажите графическое изображение стабилитрона:	1
	1	Укажите графическое изображение туннельного диода:	1
	1	Укажите графическое изображение фотодиода:	1
	2	При прямом включении полупроводника диода возникает емкость:	1	Диффузионная	Барьерная	Диодная	Дырочная	Электронная
	2	При обратном включении полупроводникового диода возникает емкость:	1	Барьерная	Диффузионная	Диодная	Дырочная	Электронная
	1	Основной недостаток полупроводникового диода:	1	Зависимость от температуры	Резкая зависимость от нагрузки	Характеристики диода не зависят от температуры	Высокая себестоимость	Все вышеперечисленное
	1	Биполярным транзистором называется:	2	Трехэлектродный полупроводниковый прибор, структура которого содержит два электронно-дырочных перехода	Трехэлектродный полупроводниковый прибор, структура которого содержит три p-n-перехода	Трехэлектродный полупроводниковый прибор, структура которого содержит один электронно-дырочный переход	двухэлектродный полупроводниковый прибор, структура которого содержит два электронно-дырочных перехода	Два последовательно соединенных электронно-дырочных перехода
	1	В транзисторе ток коллектора Iк=9,9 мА, Iб=100 мкА. Найти Iэ:	2	10 мА	9,8 мА	110 мкА	109,9 мкА	12 мА
	2	В транзисторе ток коллектора Iк=9,9 мА, Iб=100 мкА. Найти α:	2	0,99	1,1	0,9	0,999	0,98
	1	В транзисторе ток коллектора Iк=9,9 мА, Iб=100 мкА. Найти β:	2	99	100	999	0,1	9
	2	Как смещены p-n-переходы при работе транзистора в активном режиме?	2	Эмиттерный переход в прямом направлении, коллекторный в обратном	Эмиттерный переход в прямом направлении, коллекторный в прямом	Эмиттерный переход в обратном направлении, коллекторный в обратном	Эмиттерный переход в обратном направлении, коллекторный в прямом	Нет правильного ответа
	1	Как смещены p-n-переходы при работе транзистора в режиме отсечки?	2	Эмиттерный переход в обратном направлении, коллекторный в обратном	Эмиттерный переход в прямом направлении, коллекторный в обратном	Эмиттерный переход в прямом направлении, коллекторный в прямом	Эмиттерный переход в обратном направлении, коллекторный в прямом	Нет правильного ответа
	1	Как смещены p-n-переходы при работе транзистора в режиме насыщения?	2	Эмиттерный переход в прямом направлении, коллекторный в прямом	Эмиттерный переход в прямом направлении, коллекторный в обратном	Эмиттерный переход в обратном направлении, коллекторный в обратном	Эмиттерный переход в обратном направлении, коллекторный в прямом	Нет правильного ответа
	1	Движение каких носителей заряда определяет вид входной ВАХ биполярного транзистора?	2	Основных	Неосновных	Электронов	Дырок	Все выше перечисленное
	1	Движение каких носителей заряда определяет вид выходной ВАХ биполярного транзистора?	1	Неосновных	Основных	Электронов	Дырок	Все выше перечисленное
	1	Биполярный транзистор – это прибор, управляемый:	2	Током	Напряжением	Электрическим полем	Сопротивлением	Магнитным полем
	2	Полевой транзистор – это прибор, управляемый:	3	Напряжением	Током	Электрическим полем	Сопротивлением	Магнитным полем
	2	В какой из трех схем включения (ОБ, ОЭ, ОК) биполярный транзистор обладает наибольшим коэффициентом усиления по току?	2	С ОК	С ОБ	С ОЭ	С ОЭ и ОК одинаково	С ОЭ и ОБ одинаково
	1	В какой из трех схем включения (ОБ, ОЭ, ОК) биполярный транзистор обладает наибольшим коэффициентом усиления по напряжению?	2	С ОБ	С ОК	С ОЭ	С ОЭ и ОК одинаково	С ОБ и ОЭ одинаково
	2	В какой из трех схем включения (ОБ, ОЭ, ОК) биполярный транзистор обладает наибольшим коэффициентом усиления по мощности?	2	С ОЭ	С ОБ	С ОК	С ОЭ и ОК одинаково	С ОЭ и ОБ одинаково
	2	Укажите условное обозначение n-p-n-транзистора	2
	2	Укажите условное обозначение p-n-p -транзистора	2
	2	Укажите условное обозначение полевого транзистора с управляющим p-n-переходом и n-каналом	3
	2	Укажите условное обозначение полевого транзистора с встроенным p-каналом	3
	2	Что может усиливать биполярный транзистор с нагрузкой в схеме с общей базой – ток, напряжение, мощность?	2	Напряжение, мощность	Ток, напряжение, мощность	Напряжение, ток	Только ток	Только напряжение
	2	Укажите условное обозначение полевого транзистора с встроенным n-каналом	3
	2	Что может усиливать биполярный транзистор с нагрузкой в схеме с общим эмиттером – ток, напряжение, мощность?	2	Ток, напряжение, мощность	Только напряжение	Ток и мощность	Напряжение и мощность	Напряжение и ток
	2	Каким выражением определяется уравнение нагрузочной линии для схемы включения общий исток (ОИ) с нагрузочным сопротивлением в цепи стока полевого транзистора Rc и напряжением питания Е?	3	Е=Uси + Ic*Rc	Е+Uси + Ic*Rc=0	Е+Uси = Ic*Rc	Е+ Ic*Rc =Uси	Нет верного выражения
	2	Укажите схему включения транзистора с общим эмит­тером:	2				Все схемы подходят	Нет правильных ответов
	2	Укажите схему включения транзистора с общим коллектором:	2				Все схемы подходят	Нет правильных ответов
	2	Укажите схему включения транзистора с общей базой:	2				Все схемы подходят	Нет правильных ответов
	2	На рисунке показана входная характеристика транзистора. Определить схему включения:	2	С общим эмиттером	С общей базой	С общим коллектором	С общим истоком	С общим затвором
	3	Установите соответствие h-параметров транзистора их рассчетным соотношениям: 1–h11, 2-h22, 3–h21, 4–h22; а–ΔIк/ΔIб, б-ΔIк/ ΔUк, в-ΔUб /ΔIб, г-ΔUб/ΔUк	2	1–в, 2–г, 3–а, 4–б	1–а, 2–б, 3–в, 4–г	1–в, 2–б, 3–а, 4–г	1–б, 2–а, 3–г, 4–в	1–г, 2–в, 3–б, 4–а
	3	Выберите схему включения по постоянному току биполярного p-n-p-транзистора по схеме включения с общим эмит­тером и направления токов в данной схеме:	2					Нет правильного ответа
	3	Установите соответствие значений h-параметров транзистора их обозначениям: 1)-коэффициент передачи тока, 2)-коэффициент обратной связи по напряжению, 3)-входное сопротивление, 4)-выходная проводимость; а-h11, б-h22, в-h21, г-h22	2	1)–в, 2)–г, 3)–а, 4)–б	1)–г, 2)–в, 3)–б, 4)–а	1)–а, 2)–б, 3)–в, 4)–г	1)–в, 2)–б, 3)–а, 4)–г	1)–б, 2)–а, 3)–г, 4)–в
	2	Полевые транзисторы по сравнению с биполярными имеют:	3	Высокое входное сопротивление	Низкое входное сопротивление	Входную характеристику в виде зависимости входного тока от входного напряжения	Параметр, характеризующий усилительные свойства – коэффициент усиления тока	Нет правильного ответа
	2	Определите выходные вольт-амперные характеристики биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером:	2					Нет правильного ответа
	3	Показать на выходных ВАХ биполярного транзистора с нагрузочной линией рабочие точки, соответствующие активному режиму, режиму отсечки и насыщения.	2	А — режим насыщения, В — активный режим, С — режим отсечки	А — режим отсечки, В — режим насыщения, С — ак­тивный режим	А, В — активный режим, С — режим отсечки	А — активный режим, В и С — режим насыщения	А, В, С — режим отсечки
	2	Транзисторный ключ на МДП (МОП) транзисторе с индуцированным n-каналом. Какое напряжение Uзи (затвор-исток) необходимо приложить, чтобы ключ был открыт (U0 – пороговое напряжение)?	3	Uзи>U0	Uзи>0	Uзи<0	Uзи<U0	Нет правильного ответа
	2	Выберите вольт-амперные характеристики (передаточ­ную и выходные) полевого транзистора с управляющим p-n-переходом с p-каналом.	3					Нет подходящих характеристик
	2	На основе какого физического явления работает фотодиод?	2	Генерации носителей заряда под действием квантов света	Темроэлектронной эмиссии	Рекомбинации носителей заряда под действием квантов света	Генерации носителей заряда под действием приложенного к фотодиоду напряжения	Все выше перечисленное
	3	К основным преимуществам полевого транзистора можно отнести: а) большое входное сопротивление по постоянному току; б) высокую технологичность; в) низкую температурную стабильность характеристик; г) коэффициент усиления по постоянному току стремится к нулю; д) малое выходное сопротивление; е) маленькое входное сопротивление по постоянному току.	2	а), б)	е), б)	а), г)	г), е)	а), б), г)
	3	Выберите вольт-фарадную характеристику (ВФХ) ба­рьерной емкости полупроводникового диода Сбар=ƒ(Uд).	2					Нет правильного ответа
	2	На рисунке изображена структура:	2	Биполярного транзистора	Стабилитрона	Полевого транзистора	Тиристора	Импульсного диода
	2	Выходные характеристики биполярного транзистора для схемы включения с общим эмиттером – это зависимости:	2	Тока коллектора от напряжения на коллекторе	Тока базы от тока коллектора	Тока базы от напряжения на базе	Напряжение на коллекторе от тока базы	Тока эмиттера от тока базы
	2	Передаточная характеристика полевого транзистора – это зависимость:	3	Тока стока от напряжения затвора	Тока базы от напряжения на коллекторе	Напряжения стока от напряжения затвора	Тока коллектора от напряжения на коллекторе	Тока стока от напряжения между стоком и истоком
	3	В состав двухполупериодного выпрямителя, выполненного по мостовой схеме, входят:	4	Четыре диода и конденсатор	Один диод и конденсатор	Два диода и трансформатор	Два диода, трансформатор с выводом от средней точки вторичной обмотки и конденсатор	Нет правильного ответа
	3	Пусть имеются одинаковые по габаритам транзисторы: биполярный n-p-n со скоростью переключения VБТn-p-n, полевой с n-каналом - VПТn, полевой с р-каналом - VПТр. Как соотносятся скорости их работы?	3	VБТn-p-n>VПТn>VПТр	VБТn-p-n>VПТn<VПТр	VБТn-p-n<VПТn<VПТр	VБТn-p-n<VПТn>VПТр	Нет правильного ответа
	2	Полевой транзистор с n-каналом работает быстрее, чем аналогичный транзистор с р-каналом, потому что:	3	Электроны движутся в полупроводнике быстрее дырок	Дырки движутся в полупроводнике быстрее электронов	Входное сопротивление транзистора с р-каналом больше, чем у транзистора с n-каналом	Входная емкость транзистора с р-каналом больше, чем у транзистора с n-каналом	Входная емкость транзистора с р-каналом меньше, чем у транзистора с n-каналом
	2	Биполярный транзистор работает быстрее аналогичных полевых транзисторов, потому что:	2	У биполярного транзистора отсутствует проходная емкость	Входное сопротивление биполярного транзистора больше, чем у полевых транзисторов	Входное сопротивление биполярного транзистора меньше, чем у полевых транзисторов	Входная емкость биполярного транзистора больше, чем входная емкость аналогичных полевых транзисторов	Входная емкость биполярного транзистора меньше, чем входная емкость аналогичных полевых транзисторов
	2	Частота пульсаций напряжения на выходе двухполупериодного выпрямителя:	2	Равна удвоенной частоте выпрямляемого переменного напряжения	Равна частоте выпрямляемого переменного напряжения	Больше частоты выпрямляемого переменного напряжения	Меньше частоты выпрямляемого переменного напряжения	Равна половине частоты выпрямляемого переменного напряжения
	3	Поставить в соответствие приведенным ниже характе­ристикам перечисленные типы транзисторов: 1)передаточные характеристики полевых транзисторов; 2)выходные характеристики полевых транзисторов; 3)входные характеристики биполярных транзисторов; 4)выходные характеристики биполярных транзисторов.	3	1-а, 2-г, 3-в, 4-б	1-г, 2-а, 3-в, 4-б	1-б, 2-в, 3-а, 4-г	1-а, 2-г, 3-б, 4-в	1-г, 2-а, 3-б, 4-в
	2	Частота пульсаций напряжения на выходе однополупериодного выпрямителя:	4	Равна частоте выпрямляемого переменного напряжения	Больше частоты выпрямляемого переменного напряжения	Меньше частоты выпрямляемого переменного напряжения	Равна удвоенной частоте выпрямляемого переменного напряжения	Равна половине частоты выпрямляемого переменного напряжения
256	1	При последовательном соединении тиристоров выравнивают обратное напряжение с помощью “R” – в каком режиме работы преобразования:	1	Статическом	Динамическом	Инверторном	Постоянного напряжения	Стабилизирующем.
257	1	К какому устройству относится схема преобразователя с одним диодом и нагрузкой?	1	Однофазному, однополупериодному выпрямителю	3-х фазному выпрямителю	Регулятору напряжения	Регулятору частоты	Инвертору
258	1	Основные типы автономных преобразователей постоянного напряжения?	1	Импульсные	Инверторы	Стабилизаторы	Усилители	Преобразователи частоты
259	1	Что означает выражение это коэффициент:	1	Пульсации, управляемого выпрямителя	Пульсации, неуправляемого выпрямителя	Инвертора	Стабилизатора	Усилителя
260	1	Резонансные инверторы переменного напряжения используют для получения напряжения с частотой:	1			Гц	Гц
261	1	Один из способов регулирования выходного напряжения в однофазном регуляторе переменного напряжения:	1	Широтно-импульсный	Частотный	Стабилизирую щий	Резисторный	Индуктив ный
262	1	Способ регулирования выходного напряжения в регуляторе переменного напряжения:	1	Фазовый	Стабилизирую щий	Частотный	Резисторный	Емкостной
263	1	Выравнивание обратных напряжений тиристоров в динамическом режиме возможно с помощью каких элементов:	2	RC-делитель	R добавочных	Диодов	Транзисторов	Стабисторов
264	1	В каких устройствах источником коммутирующего напряжения является конденсатор?	2	В узлах коммутации вентильных автономных преобразователей	В усилителях	Триггерах	Стабилиза торах	Компара торах
265	1	Виды коммутации в автономных вентильных преобразователях:	2	Параллельная и последователь ная	Только параллельная	Только последователь ная	Постоянная	Усилитель ная
266	1	В однофазном управляемом выпрямителе между интервалами проводимости вентилей есть бестоковые паузы - это режим?	2	Прерывистого тока	Прерывистой ЭДС	Прерывистого сопротивления	Непрерывного тока	Стабилиза ция
267	1	Условие перехода управляемого однофазного выпрямителя в режиме непрерывного тока:	2
268	2	Название усстройств для снижения уровня внешних гармоник при работе винтельных преобразовате лей?	3	Фильтро-компенсирую щие	Резонансные инверторы тока	Индуктивные	Тиристорные	Диодные
269	2	Назначение управляемых тиристорно-конденсаторных источников реактивной мощности?	3	Поддержание на максимальном уровне	Увеличение QL	Уменьшение QL	Снижение напряжения	Увеличения тока
270	2	Назначение - инвертора?	3	Преобразование постоянного напряжения в переменное	Преобразование переменного напряжения в постоянное-пульсирующие	Усиление напряжение на нагрузке	Увеличение мощности нагрузки	Повышение
271	2	Для выравнивания токов в схемах с транзисторами, включенными паралельно, используют резисторы, как они подключаются к транзисторам в статическом режиме?	3	Последователь но в цепь эмиттера	Последователь но в цепь коллектора	Последователь но в цепь базы	Паралельно в цепь эмиттера	Паралельно в цепь коллектора и базы
272	2	Для выравнивания токов к транзисторам подключают в динамическом режиме паралельно:	3	RC и VD	R и C	L и C	RLC	VS и C
273	2	Назначение конвертора во вторичных источниках питания с преобразователем частоты?	3	Изменяет уровень постоянного напряжения	Стабилизируют выходное напряжение	Стабилизирует ток на выходе	Усиливает напряжение	Сглаживает пульсации напряжении
274	2	Выражение расчетной мощности трансформатора в мостовой однофазной схеме выпрямителя при нагрузке “RL” ?	3