Burambayeva_ESAU_ret-22_24_2013 (1)

<question>К области подзатворного диэлектрика при приложении поля к затвору для создания канала из подложки притягиваются

<variant>Неосновные носители заряда

<variant>Основные носители заряда

<variant>Электроны

<variant>Дырки

<variant>Акцепторная примесь

<question>К области подзатворного диэлектрика при приложении поля к затвору для создания канала из подложки n – типа притягиваются

<variant>Дырки

<variant>Неосновные носители заряда

<variant>Основные носители заряда

<variant>Электроны

<variant>Донорные примеси

<question>К области подзатворного диэлектрика при приложении поля к затвору для создания канала из подложки p – типа притягиваются

<variant> Электроны

<variant> Дырки

<variant> Неосновные носители заряда

<variant> Основные носители заряда

<variant> Акцепторная примесь

<question>К подложке МДП – транзисторов прикладывается

<variant>обратное напряжение

<variant>прямое напряжение

<variant>положительный напряжение

<variant>отрицательное напряжение

<variant>напряжение не прикладывается

<question>Если МДП- транзистор имеет подложку N-типа, то канал должен быть

<variant> P-типа

<variant>N-типа

<variant>диэлектрический

<variant>металлический

<variant>нейтральный

<question>Если МДП- транзистор имеет подложку Р-типа, то канал должен быть

<variant> N-типа

<variant> P-типа

<variant> диэлектрический

<variant> металлический

<variant> нейтральный

<question>Если МДП- транзистор имеет подложку Р-типа, то затвор должен быть

<variant> металлический

<variant> N-типа

<variant> P-типа

<variant> диэлектрический

<variant> нейтральный

<question>Если МДП- транзистор имеет подложку Р-типа, то сток должен быть

<variant> N-типа

<variant> P-типа

<variant> диэлектрический

<variant> металлический

<variant> нейтральный

<question>Если МДП- транзистор имеет подложку Р-типа, то исток должен быть

<variant> N-типа

<variant> P-типа

<variant> диэлектрический

<variant> металлический

<variant> нейтральный

<question>Статические входные характеристики биполярного транзистора в схеме с ОЭ

<variant> I_б=U_бэ/ при U_кэ=const

<variant> I_к=U_кэ/ при I_б=const

<variant> I_с=U_сз/ при U_зи=const

<variant> I_с= U_бэ/ при U_кэ=const

<variant> I_к= U_сз/ при U_зи=const

<question>Статические выходные характеристики биполярного транзистора в схеме с ОЭ

<variant> I_к=U_кэ/ при I_б=const

<variant> I_б=U_бэ/ при U_кэ=const

<variant> I_с=U_сз/ при U_зи=const

<variant> I_с= U_бэ/ при U_кэ=const

<variant> I_к= U_сз/ при U_зи=const

<question>Статические выходные характеристики МДП - транзистора в схеме с ОИ

<variant> I_с=U_сз/ при U_зи=const

<variant> I_к=U_кэ/ при I_б=const

<variant> I_б=U_бэ/ при U_кэ=const

<variant> I_с= U_бэ/ при U_кэ=const

<variant> I_к= U_сз/ при U_зи=const

<question>Укажите прибор, обладающий собственной проводимостью

<variant> резистор

<variant> транзистор

<variant> диод

<variant> стабилитрон

<variant> тиристор

<question>Укажите приборы, обладающие примесной проводимостью из указанных – резистор, транзистор, стабилитрон, тиристор

<variant> транзистор, стабилитрон, тиристор

<variant> резистор, транзистор

<variant> резистор, диод

<variant> резистор, стабилитрон

<variant> резистор, тиристор

<question>Укажите приборы, с двумя p-n - переходами

<variant> транзистор

<variant> резистор

<variant> диод

<variant> стабилитрон

<variant> тиристор

<question>Укажите приборы, с тремя p-n - переходами

<variant> тиристор

<variant> транзистор

<variant> резистор

<variant> диод

<variant> стабилитрон

<question>Величина тока в полевых транзисторах зависит

<variant> от степени перекрытия канала p-n - переходом

<variant> от напряжения прикладываемого к стоку

<variant> от ширины p-n - перехода

<variant> от подложки

<variant> от величины тока в стоке

<question>Собственное поглощение энергии излучения в полупроводниках

<variant> энергия затрачивается на разрыв валентной связи в атоме и перевод электрона из валентной зоны полупроводника в зону проводимости.

<variant> энергия фотона затрачивается на ионизацию атомов примеси

<variant> электрон в валентной зоне полупроводника, поглотив энергию фотона, не отрывается от атома, а только переходит в возбужденное состояние,

<variant> электрон переходит на уровни внутри зоны проводимисти

<variant> диполи наиболее интенсивно поглощающие энергию излучения на собственных частотах колебаний.

<question>Примесное поглощение энергии излучения в полупроводниках

<variant> энергия фотона затрачивается на ионизацию атомов примеси

<variant> энергия затрачивается на разрыв валентной связи в атоме и перевод электрона из валентной зоны полупроводника в зону проводимости.

<variant> электрон в валентной зоне полупроводника, поглотив энергию фотона, не отрывается от атома, а только переходит в возбужденное состояние,

<variant> электрон переходит на уровни внутри зоны проводимисти

<variant> диполи наиболее интенсивно поглощающие энергию излучения на собственных частотах колебаний.

<question>Экситонное поглощение энергии излучения в полупроводниках

<variant> электрон в валентной зоне полупроводника, поглотив энергию фотона, не отрывается от атома, а только переходит в возбужденное состояние,

<variant> энергия фотона затрачивается на ионизацию атомов примеси

<variant> энергия затрачивается на разрыв валентной связи в атоме и перевод электрона из валентной зоны полупроводника в зону проводимости.

<variant> электрон переходит на уровни внутри зоны проводимости

<variant> диполи наиболее интенсивно поглощающие энергию излучения на собственных частотах колебаний.

<question>Поглощение энергии излучения в полупроводниках свободными носителями

<variant> электрон переходит на уровни внутри зоны проводимости

<variant> электрон в валентной зоне полупроводника, поглотив энергию фотона, не отрывается от атома, а только переходит в возбужденное состояние,

<variant> энергия фотона затрачивается на ионизацию атомов примеси

<variant> энергия затрачивается на разрыв валентной связи в атоме и перевод электрона из валентной зоны полупроводника в зону проводимости.

<variant> диполи наиболее интенсивно поглощающие энергию излучения на собственных частотах колебаний.

<question>Решеточное поглощение энергии излучения в полупроводниках

<variant> диполи наиболее интенсивно поглощающие энергию излучения на собственных частотах колебаний

<variant> электрон в валентной зоне полупроводника, поглотив энергию фотона, не отрывается от атома, а только переходит в возбужденное состояние,

<variant> энергия фотона затрачивается на ионизацию атомов примеси

<variant> энергия затрачивается на разрыв валентной связи в атоме и перевод электрона из валентной зоны полупроводника в зону проводимости.

<variant> электрон переходит на уровни внутри зоны проводимости

.

<question>Укажите схему включения транзистора

<variant>С общей базой

<variant>С общим эмиттером

<variant>С общим коллектором

<variant>С общим затвором

<variant>С общим истоком

<question>Укажите схему включения транзистора

<variant>С общим эмиттером

<variant>С общей базой

<variant>С общим коллектором

<variant>С общим затвором

<variant>С общим истоком

<question>Укажите схему включения транзистора

<variant>С общим коллектором

<variant>С общим эмиттером

<variant>С общей базой

<variant>С общим затвором

<variant>С общим истоком

<question>При нормальном включении транзистора эмиттерный переход находится

<variant>В прямосмещенном состоянии

<variant>В обратносмещенном состоянии

<variant>В состоянии покоя

<variant>В равновесном состоянии

<variant>В возбужденном состоянии

<question>При обратном включении транзистора эмиттерный находится

<variant>В обратносмещенном состоянии

<variant>В прямосмещенном состоянии

<variant>В состоянии покоя

<variant>В равновесном состоянии

<variant>В возбужденном состоянии

<question>При прямом включении транзистора коллекторный переход находится

<variant>В обратносмещенном состоянии

<variant>В прямосмещенном состоянии

<variant>В состоянии покоя

<variant>В равновесном состоянии

<variant>В возбужденном состоянии

<question>На рисунке приведена статическая ВАХ для схемы

<variant>С ОБ

<variant>С ОЭ

<variant>С ОК

<variant>С ОС

<variant>С ОИ

<question>Вентильным элементом не является:

<variant>Транзистор

<variant>Тиристор

<variant>Диод

<variant>Стабилитрон

<variant>Триод

<question>Диодом называется полупроводниковый элемент

<variant>обладающий односторонней проводимостью

<variant>обладающий усилительными свойствами

<variant>работающий в режиме ключа

<variant>трехэлектродный прибор

<variant>четырехэлектродный прибор

<question>В схемах неуправляемых выпрямителей используется:

<variant>Полупроводниковый диод

<variant>Тиристор

<variant>Стабилитрон

<variant>Транзистор

<variant>Триод

<question>Положительный электрод диода называется:

<variant>Анод

<variant>Катод

<variant>Эмиттер

<variant>Коллектор

<variant>управляющий электрод

<question>Отрицательный электрод диода называется

<variant>Катод

<variant>Анод

<variant>Эмиттер

<variant>Коллектор

<variant>управляющий электрод

<question>В схемах управляемых выпрямителей используется

<variant>Тиристор

<variant>Диод

<variant>Стабилитрон

<variant>Транзистор

<variant>Туннельный лиод

<question>Укажите несуществующий транзистор

<variant>Вентильный

<variant>Биполярный

<variant>Полевой

<variant>МДП

<variant>ППД

<question>Основными электродами биполярного транзистора являются

<variant>Эмиттер, коллектор, база

<variant>Сток, исток, затвор

<variant>Анод, катод, управляющий электрод

<variant>Анод, катод

<variant>Катод

<question>Основными электродами полевого транзистора являются

<variant>Сток, исток, затвор

<variant>Эмиттер, коллектор, база

<variant>Анод, катод, управляющий электрод

<variant>Анод, катод

<variant>Катод, управляющий электрод

<question>Управляющим электродом полевых транзисторов является

<variant>Затвор

<variant>Канал

<variant>Сток

<variant>Исток

<variant>Катод

<question>Недостатком биполярных транзисторов является

<variant>Большое энергопотребление

<variant>Малое быстродействие

<variant>Сложность изготовления

<variant>Высокая стоимость

<variant>Нет правильного ответа

<question>Достоинством и недостатком полевых транзисторов являются соответственно:

<variant>Малое энергопотребление и малое быстродействие

<variant>Большое энергопотребление и большое быстродействие

<variant>Малое энергопотребление и большое быстродействие

<variant>Большое энергопотребление и малое быстродействие

<variant>Малое энергопотребление

<question>Укажите транзистор, имеющий четыре электрода

<variant>МДП

<variant>Полевой

<variant>Биполярный р-п-р

<variant>Биполярный п-р-п

<variant>КМДП

<question>Интегральной микросхемой называется

<variant>Электронное устройство в микроминиатюрном исполнении, выполненное в одном кристалле в едином технологическом цикле

<variant>Электронное устройство, предназначенное для хранения информации

<variant>Электронное устройство, предназначенное для усиления сигнала

<variant>Электронное устройство в дискретном исполнении

<variant>ППЗУ

<question>Проводимость полупроводников обусловлена

<variant>направленным движением носителей заряда в зоне проводимости

<variant>направленным движением носителей заряда в зоне запрещенных энергий

<variant>направленным движением носителей заряда в валентной зоне

<variant>прямонаправленным движением дырок и электронов

<variant>хаотичным движением носителей заряда

<question>На рисунке изображена вольт-амперная характеристика…

<variant>выпрямительного диода

<variant>тиристора

<variant>биполярного транзистора

<variant>полевого транзистора

<variant>МДП-транзистор

<question>На рисунке изображено условно-графическое обозначение…

<variant>выпрямительного диода

<variant>биполярного транзистора

<variant>тиристора

<variant>полевого транзистора

<variant>МДП-транзистор

<question>На рисунке представлено условно-графическое обозначение…

<variant> тиристора

<variant>варикапа

<variant>стабилитрона

<variant>фотодиода

<variant>МДП-транзистора

<question>На рисунке представлено условно-графическое обозначение…

<variant>стабилитрона

<variant> выпрямительного диода

<variant>тиристора

<variant>биполярного транзистора

<variant>МДП-транзистора

<question>На рисунке приведена схема включения транзистора с общей (-им)…

<variant>базой

<variant> коллектором

<variant>эмиттером

<variant>землёй

<variant>общим истоком

<question>На рисунке приведена схема включения транзистора с общей (-им)…

<variant>коллектором

<variant>базой

<variant>эмиттером

<variant>землёй

<variant>истоком

<question>Схеме включения транзистора с общей базой соответствует рисунок…

а) б)

в) г)

<variant>б

<variant>а

<variant>в

<variant>г

<variant>нет такой схемы включения

<question>У биполярных транзисторов средний слой называют…

<variant> базой

<variant>заземлением

<variant>катодом

<variant> анодом

<variant>эмиттером

<question>На рисунке изображена вольт-амперная характеристика…

<variant>тиристора

<variant>выпрямительного диода

<variant>полевого транзистора

<variant>тиристора

<variant>МДП-транзистора

<question>На рисунке изображена структура…

<variant>выпрямительного диода

<variant>полевого транзистора

<variant>биполярного транзистора

<variant> тиристора

<variant>МДП-транзистора

<question>Полупроводниковые материалы имеют удельное сопротивление…

<variant> больше, чем проводники

<variant>меньше, чем проводники

<variant>меньше, чем медь

<variant> больше, чем диэлектрики

<variant>вариантов правильного ответа нет

<question>Какие основные виды направленного движения носителей заряда возможны в полупроводниках?

<variant>Диффузионное и дрейфовое.

<variant>Электрическое и магнитное.

<variant>Свободное и вынужденное.

<variant>Электронное и дырочное.

<variant>Медленное и быстрое.

<question>Что называется диффузионной длиной?

<variant>Длина свободного пробега электрона при диффузионном движении.

<variant>Расстояние, на котором концентрация носителей заряда при диффузионном движении убывает в е раз.

<variant>Расстояние, на котором концентрация носителей заряда при диффузионном движении убывает в 10 раз.

<variant>Расстояние между p-n переходом и контактом диода.

<variant>Ширина p-n перехода.

<question>Как влияет рост температуры на ВАХ полупроводникового диода?

<variant>Прямой и обратный токи растут

<variant>Прямой и обратный токи уменьшаются

<variant>Прямой ток растет, а обратный уменьшается

<variant>Обратный ток растет, а прямой уменьшается.

<variant>Прямой ток увеличивается, а обратный ток не зависит от температуры

<question>Что из перечисленного является электрическим пробоем полупроводникового диода?

<variant>Резкое возрастание напряжения на p-n переходе при увеличении значения прямого тока через переход.

<variant>Резкое возрастание напряжения на p-n переходе при увеличении значения обратного тока через переход.

<variant>Резкое возрастание тока через p-n переход при прямых напряжениях на переходе, больших некоторого критического значения.

<variant>Резкое возрастание тока через p-n переход при обратных напряжениях на переходе, больших некоторого критического значения.

<variant> Превышение критического значения тока и напряжения, после которого диод выходит из строя.

<question>Какое из приведённых ниже утверждений правильно характеризует активный режим работы биполярного транзистора?

<variant>На оба p-n перехода подано прямое напряжение;

<variant>Высокая концентрация избыточных носителей в базе вблизи коллектора;

<variant>Коллекторный ток складывается из эмиттерного тока, умноженного на статический коэффициент передачи α, и собственного теплового тока коллекторного перехода;

<variant>На эмиттерный p-n переход подаётся обратное напряжение, на коллекторный – прямое.

<variant>

<question>Управление током через полевой транзистор происходит благодаря

<variant>Подаче на переход затвор-истока прямого напряжения;

<variant>Увеличению концентрации неосновных носителей стока;

<variant>Изменению толщины обеднённого слоя за счёт изменения напряжения затвор-истока;

<variant>За счёт большой величины входного сопротивления.

<variant>Среди приведенных ответов нет правильного

<question>В активном режиме работы биполярного транзистора дифференциальные сопротивления p-n переходов характеризуются следующим образом

<variant>Сопротивление эмиттерного перехода мало, а коллекторного велико.

<variant>Сопротивление эмиттерного перехода велико, а коллекторного мало.

<variant>Сопротивления обоих переходов велики.

<variant>Сопротивления обоих переходов малы.

<variant>Вне зависимости от их величин сопротивление эмиттерного перехода всегда больше сопротивления коллекторного перехода.

<question>Вентильным элементом не является:

<variant>Транзистор

<variant>Тиристор

<variant>Диод

<variant>Стабилитрон

<variant>Триод

<question>Диодом называется полупроводниковый элемент

<variant>обладающий односторонней проводимостью

<variant>обладающий усилительными свойствами

<variant>работающий в режиме ключа

<variant>трехэлектродный прибор

<variant>четырехэлектродный прибор

<question>В схемах неуправляемых выпрямителей используется:

<variant>Полупроводниковый диод

<variant>Тиристор

<variant>Стабилитрон

<variant>Транзистор

<variant>Триод

<question>Положительный электрод диода называется:

<variant>Анод

<variant>Катод

<variant>Эмиттер

<variant>Коллектор

<variant>управляющий электрод

<question>Отрицательный электрод диода называется

<variant>Катод

<variant>Анод

<variant>Эмиттер

<variant>Коллектор

<variant>управляющий электрод

<question>В схемах управляемых выпрямителей используется

<variant>Тиристор

<variant>Диод

<variant>Стабилитрон

<variant>Транзистор

<variant>Туннельный диод

<question>Тиристором называется

<variant>Трехэлектродный полупроводниковый прибор, имеющий управляющий электрод и обладающий односторонней проводимостью

<variant>Двухэлектродный полупроводниковый прибор, обладающий односторонней проводимостью

<variant>Полупроводниковый прибор, предназначенный для усиления сигнала

<variant>Полупроводниковый прибор, предназначенный для стабилизации напряжения

<variant>Четырехэлектродный полупроводниковый прибор

<question>Укажите несуществующий транзистор

<variant>Вентильный

<variant>Биполярный

<variant>Полевой

<variant>МДП

<variant>КМДП

<question>Основными электродами биполярного транзистора являются

<variant>Эмиттер, коллектор, база

<variant>Сток, исток, затвор

<variant>Анод, катод, управляющий электрод

<variant>Анод, катод

<variant>Исток

<question>Основными электродами полевого транзистора являются

<variant>Сток, исток, затвор

<variant>Эмиттер, коллектор, база

<variant>Анод, катод, управляющий электрод

<variant>Анод, катод

<variant>Катод, управляющий электрод

<question>Управляющим электродом полевых транзисторов является

<variant>Затвор

<variant>Канал

<variant>Сток

<variant>Исток

<variant>Катод

<question>Недостатком биполярных транзисторов является

<variant>Большое энергопотребление

<variant>Малое быстродействие

<variant>Сложность изготовления

<variant>Высокая стоимость

<variant>Нет правильного ответа

<question>Достоинством и недостатком полевых транзисторов являются соответственно:

<variant>Малое энергопотребление и малое быстродействие

<variant>Большое энергопотребление и большое быстродействие

<variant>Малое энергопотребление и большое быстродействие

<variant>Большое энергопотребление и малое быстродействие

<variant>Малое потребление

<question>Укажите транзистор, имеющий четыре электрода

<variant>МДП

<variant>Полевой

<variant>Биполярный р-п-р

<variant>Биполярный п-р-п

<variant>Нет такого транзистора

<question>Интегральной микросхемой называется

<variant>Электронное устройство в микроминиатюрном исполнении, выполненное в одном кристалле в едином технологическом цикле

<variant>Электронное устройство, предназначенное для хранения информации

<variant>Электронное устройство, предназначенное для усиления сигнала

<variant>Электронное устройство в дискретном исполнении

<variant>Нет правильного ответа

<question>Проводимость полупроводников обусловлена