- •1.Електроніка як наука. Класифікація основних галузей і етапів розвитку електроніки.
- •2. Етапи розвитку електроніки. Класифікація інтегральних мікросхем за конструктивно-технологічною ознакою.
- •3.Інтегральні мікросхеми: означення, класифікація, система умовних позначень.
- •4. Власна електронна та діркова електропровідність.
- •5. Рухливість носіїв заряду: фізичний зміст, вивід формули.
- •6 Загальна характеристика та класифікація напівпровідників
- •7. Типи ізоляції у напівпровідникових імс.
- •8. Індуктивність у напівпровідникових імс.
- •9. Підкладки інтегральних мікросхем. Вимоги до них.
- •10. Контактні явища в мікроелектронних структурах: класифікація і характеристика контактів інтегральних схем.
- •11. Діоди у напівпровідникових імс.
- •21. Магніто- і фототиристори: структура, принцип дії, вах. Порівняльна характеристика.
- •22. Загальна характеристика та класифікація приладів магнітоелектроніки. Циліндричні магнітні домени: схема утворення, генератор доменів. Загальна характеристика
- •23. Магніторезистори і магнітодіоди. Структура, робочі характеристики та галузі застосування
- •25.Магнітотранзистори: класифікація, структура, фізика процесів і робочі характеристики
1.Електроніка як наука. Класифікація основних галузей і етапів розвитку електроніки.
Електроніка - це наука про взаємодію електронів з ел.магн. полями і методи створ. електр. приладів та пристроїв, в яких ця взаємодія викор. для перетв. ел.магн. енергії, передачі, обробки і збереження інформації. Електроніка вивчає принципи будови, роботи та галузі використання електронних приладів та пристроїв. Класифікація осн. галузей електроніки:
Фізична електроніка- галузь електроніки, що вивчає електронні та іонні процеси у вакуумі, газах та напівпровідниках, на межі поділу вакуум-газ або рідке тіло - тверде тіло.
Технічна електроніка - галузь електроніки, що вивчає будову електронних приладів та процеси їх виготовлення.
Промислова електроніка - галузь електроніки, що вивчає використання електронних приладів у промисловості та апаратурі. Головні етапи розвитку електроніки:
-вакуумна (електронні лампи, електровакуумні, фотоелектронні прилади, рентгенівські та газорозрядні трубки);
-твердотільна(напівпровідникові та оптоелектронні прилади,інтегральні мікросхеми, мікропроцесори, мікроЕОМ);квантова(лазери,мазери,дальноміри,лінії оптичного зв’язку, радіоастрономія, голографія).
Мікроелектроніка - галузь науки, яка охоплює проблеми дослідження, конструювання, виготовлення та використання мікроелектронних виробів, причому під мікроелектронним виробом розуміють електронний
пристрій з високим ступенем інтеграції.
Мікромініатюризація - це напрямок електроніки, який забезпечує реалізацію електронних схем, блоків та апаратури в цілому з мікромініатюрних радіодеталей та вузлів. Сучасний етап розвитку ІМС характеризується розвитком та застосуванням приладів функціональної електроніки.
2. Етапи розвитку електроніки. Класифікація інтегральних мікросхем за конструктивно-технологічною ознакою.
6 етапів розвитку ІМС:
-1й початок 60-х років, назька ступінь інтеграції, кількість елементів ІМС досягає 100, мінімальний розмір елемента - 100 мкм.
-2й кінець 60 - початок 70-х років, кількість елементів ІМС від 100 до 1000,мінімальний розмір елемента - 100 - 3 мкм.
-3й друга половина 70-х років, -характеризується швидким темпами виробництва мікросхем, кількість елементів від 1000 до 10000,
мінімальний розмір елемента - 1 мкм.
-4й початок 80-х років, він характеризується розробленням надвеликих ІМС, мінімальний розмір елемента - 0,1 мкм.
-5й 80 - 90-ті роки широко використовуються мікропроцесори на
базі великих та надвеликих інтегральних мікросхем.
-Сучасний шостий етап розвитку ІМС характеризується розвитком та застосуванням приладів функціональної електроніки.
(НІМС) називається ІМС, усі елементи і міжелементні з’єднання якої виконані в об’ємі або на поверхні напівпровідника.
(ПІМС) називається ІМС, усі елементи і міжелементні з’єднання якої виконані у вигляді плівок. мають підкладку (плату) з діелектрика (скло, кераміка й ін.).
(ГІМС) називається ІМС, у якої пасивні елементи плівкові, а активні начіпні. Гібридні ІМС застосовуються як частини підсилювальних каскадів.
Начіпні елементи - це мініатюрні, найчастіше безкорпусні діоди і транзистори, що являють собою самостійні елементи, які приклеюються
(навішуються) у відповідних місцях до підкладки і з'єднуються тонкими провідниками з плівковими елементами схеми
(ВІС) – це мікросхема, яка містить понад 1000 елементів і (або) компонентів для цифрових та понад 500 – для аналогових ІМС.
(НВІС) –містить понад 100 тис. елементів і компонентів для цифрових ІМС із нерегулярною структурою побудови і понад 10 тис. – для аналогових ІМС.
(ГВІС) – це мікроелектронний пристрій високого ступеня інтегрованості, при виготовленні якого компонують плівкову багатошарову комутаційну плату на діелектричній підкладці і безкорпусні дискретні компоненти та ІМС, виготовлені окремо.
За конструктивно-технологічними ознаками герметизації розрізняють корпусні (вакуумна герметизація) та безкорпусні (покриття епоксидним чи іншими лаками).
За типом підкладки поділяють : мікросхеми з активною підкладкою(усі елементи або їх частина виконана усередині підкладки), мікросхеми з пасивною підкладкою (розміщені на поверхні підкладки, виконаної з діелектричного матеріалу).