Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

VYSOKOChASTOTNYE_IMPUL_SNYE_DIODY_VARIKAPY

.docx
Скачиваний:
41
Добавлен:
02.03.2016
Размер:
86.44 Кб
Скачать

ВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ, ИМПУЛЬСНЫЕ ДИОДЫ, ВАРИКАПЫ

Высокочастотные диоды

Высокочастотные диоды ‒ приборы универсального назначения. Они могут быть использованы для выпрямления, детектирования и других нелинейных преобразований электрических сигналов в диапазоне частот до 600 МГц. Высокочастотные диоды изготовля­ются, как правило, из германия или кремния и имеют точечную структуру. Конструкция точечного германиевого диода показана на рис. 6.8. Диод состоит из кристалла германия, припаянного к кристаллодержателю, контактного электрода в виде тонкой вольфрамо­вой проволочки и стеклянного баллона. Размеры кристалла состав­ляют 1х1х0,2 мм. Радиус области соприкосновения проволочки с германием обычно не превышает 5‒7 мкм.

Для получения р-п перехода диод в процессе изготовления под­вергают токовой формовке. С этой целью через него в прямом направлении пропускается кратковременный импульс тока вели­чиной до 400 мА. В результате формовки тонкий слой полупровод­ника, примыкающий к острию, приобретает дырочную проводи­мость, а на границе между этим слоем и основной массой пластин­ки возникает р-п переход. Такая конструкция диода обеспечивает небольшую величину емкости р-п перехода (не более 1 пФ), что позволяет эффективно использовать диод на высоких частотах. Однако малая площадь контакта между частями полупроводника с проводимостью типа п и р не позволяет рассеивать в области р-п перехода значительные мощности. Поэтому точечные диоды менее мощные, чем плоскостные, и не используются в выпрямите­лях, рассчитанных на большие напряжения и токи. Они приме­няются, главным образом, в схемах радиоприемной и измеритель­ной аппаратуры, работающей на высоких частотах, а также в вы­прямителях на напряжения не выше нескольких десятков вольт при токе порядка десятков миллиампер.

Включение высокочастотных точечных диодов в схему прин­ципиально не отличается от включения плоскостных выпрямитель­ных диодов. Аналогичен и принцип работы точечного диода, осно­ванный на свойстве односторонней проводимости р-п перехода.

Типичная вольтамперная характеристика точечного диода по­казана на рис. 6.9,а. Обратная ветвь характеристики точечного диода значительно отличается от соответствующей ветви характеристики плоскостного диода.

Ввиду малой площади p-n перехода обратный ток диода мал, участок насыщения невелик и не так резко выражен. При увеличении обратного напряжения обратный ток возрастает почти равномерно. Влияние температуры на величину обратного тока сказывается слабее, чем в плоскостных диодах, ‒ удвоение обратного тока происходит при приращении температуры на 15‒20°С (рис. 6.9,б). Напомним (параграф 6.1), что в плоскостных р-п переходах обратный ток возрастает примерно в 2‒2,5 раза при повышении температуры на каждые 10°С.

Свойства высокочастотных диодов характеризуют параметры, аналогичные указанным в параграфе 6.1. Существенное значение для оценки свойств высокочастотных диодов имеют:

Общая емкость диода СД ‒ емкость, измеренная между выво­дами диода при заданных напряжении смещения и частоте.

Дифференциальное сопротивление rдиф ‒ отношение прираще­ния напряжения на диоде к вызвавшему его малому приращению тока.

Диапазон частотf ‒ разность предельных значений частот, при которых средний выпрямленный ток диода не менее заданной доли его значения на низшей частоте.

Высокочастотные точечные диоды могут быть использованы в схемах детектирования, в качестве ограничителей, нелинейных сопротивлений, коммутационных элементов и т. п.

В последние годы все большее применение находят диоды, осно­ванные на выпрямляющем действии контакта металл ‒ полупро­водник ‒ так называемые диоды Шоттки. В отличие от обычных точечных диодов, у которых контакт осуществляется прижимом металлической иглы, у диодов Шоттки контакт представляет собой тонкую пленку металла (золото, никель, алюминий, платина, вольфрам, молибден, ванадий и др.). Как было показано выше (параграф 3.8), приборы, использующие контакт металл ‒ полу­проводник, работают на основных носителях заряда, что позволяет существенно уменьшить их инерционность, а, следовательно, по­высить быстродействие. Время переключения диодов Шоттки из запертого состояния в открытое и наоборот определяется малой величиной барьерной емкости, которая обычно не превышает 0,01 пФ.

Основное преимущество диодов Шоттки по сравнению с диодами на р-п переходах ‒ возможность получения меньших значений прямого сопротивления контакта, так как металлический слой по этим свойствам превосходит любой, даже сильно легированный слой полупроводника.

Малое прямое сопротивление и небольшая емкость барьера Шоттки позволяет диодам работать на сверхвысоких частотах. Типичный диапазон рабочих частот составляет 5—250 ГГц, а время переключения — менее 0,1 нс. Обратные токи диодов Шоттки малы и составляют несколько микроампер. Обратные напряжения лежат в интервале 10...1000 В.

Следует отметить, что диоды Шоттки получили распространение сравнительно недавно (в начале 70-х годов), хотя их теория насчи­тывает более 50 лет. Это объясняется тем, что лишь в последние годы, благодаря совершенствованию технологии производства по­лупроводниковых приборов и интегральных микросхем, удалось получить барьеры Шоттки с характеристиками и параметрами, близкими к идеальным.

Импульсные диоды

Импульсные диоды предназначены для работы в быстродейству­ющих импульсных схемах с временем переключения 1 мкс и менее. При столь коротких рабочих импульсах приходится учитывать инерционность процессов включения и выключения диодов и при­нимать конструктивно-технологические меры, направленные на снижение барьерной емкости и сокращение времени жизни нерав­новесных носителей заряда в области р-п перехода.

По способу изготовления р-п перехода импульсные диоды подразделя­ются на точечные, сплавные, сварные и диффузионные (меза и планарные). Устройство диодов указанных групп показана на рис. 6.10.

Конструкция точечных импульсных диодов (рис. 6.10,а) практически не отличается от конструкции обычных высокочастотных диодов. В некоторых случаях для улучшения характеристик диода на острие контактной иглы наносят примесь (обычно индий или алюминий), образующую акцепторные центру в германии и кремнии n-типа. В процессе электроформовки приконтактная область полупроводника сильно нагревается и непосредственно под острием иглы образуется небольшая по размерам р-область.

В сплавных диодах (рис. 6.10, б) р−п переход получают вплавлением в кристалл полупроводника электронной проводимости кусочка сплава, содержащего атомы акцепторной примеси. Граница между исходным монокристаллом и сильно легированным р-слоем представляет собой р−п переход. Обычно такой метод используется при изготовлении кремниевых импульсных диодов. При создании аналогичных германиевых диодов вместо метода сплавления используют метод импульсной сварки (рис. 6.10, в). В этом случае к кристаллу германия подводится тонкая золотая (с присадкой галлия) игла и через полученный контакт пропускается импульс тока большой амплитуды, в результате чего конец золотой иглы сваривается с германием.

Наиболее быстродействующие импульсные диоды получают методом диффузии донорных или акцепторных примесей в твердый полупроводник.

Проникая на некоторую глубину полупроводника, диффундирующие атомы меняют тип проводимости этой части кристалла, вследствие чего возникает рп переход. После получения диффузионной структуры осуществляют химиче­ской травление поверхности полупроводника, после которого рп переход сохраняется только внутри небольшой области, которая возвышается над остальной поверхностью в виде столика (меза). Такой вид кристалла называют мезаструктурой (рис. 6.10, г). Емкость рп переходов мезадиодов ниже, а напряжение пробоя выше, чем у сплавных или сварных диодов. Время переключения мезадиодов не превышает 10 пс.

Весьма перспективными являются диоды, полученные при помощи планарно-эпитаксиальной технологии (рис. 6.10, д). При их изготовлении примесь вводится в полупроводник (обычно кремний) локально через «окна» в защитной окисной пленке SiO2. Получающиеся при этом рп переходы отличаются высокой стабильностью параметров и надежностью.

Простейшая схема включения импульсного диода приведена на рис. 6.11, а. Под воздействием входного импульса положитель­ной полярности (рис. 6.11, б) через диод протекает прямой ток, величина которого определяется амплитудой импульса, сопротив­лением нагрузки и сопротивлением открытого диода. Если на диод, через который протекает прямой ток, подать обратное на­пряжение так, чтобы его запереть, то диод запирается не мгновен­но (рис. 6.11, в).

Рис. 6.11. Схема включения (а) и осциллограммы

входного напряжения (б) и тока (в) импульсного диода

В первый момент наблюдается резкое увеличение обратного тока I1 через диод и лишь постепенно с течением времени он уменьшается и достигает установившегося значения Iобр. Ука­занное явление связано со спецификой работы рп перехода и пред­ставляет собой проявление так называемого эффекта накопления. Сущность этого эффекта состоит в следующем. Во время протека­ния прямого тока через рп переход осуществляется инжекция носителей. В результате инжекции в непосредственной близости к переходу создается концентрация неосновных неравновесных но­сителей, которая во много раз превышает концентрацию равновес­ных неосновных носителей в области рп перехода: чем больше кон­центрация неосновных носителей, тем больше обратный ток. Время жизни неравновесных носителей ограничено постепенно их кон­центрация уменьшается как за счет рекомбинации, так и за счет ухода через рп переход. Поэтому через некоторое время (τв на рис. 6.11,в) неравновесные неосновные носители исчезнут; обратный ток восстановится до нормального значения Iобр.

Основной характеристикой импульсных диодов является их переходная характеристика. Она отражает процесс восстановле­ния обратного тока и обратного сопротивления диода при воздей­ствии на него импульсного напряжения обратной полярности (см. рис. 6.11, в).

Основные параметры импульсных диодов:

Время восстановления обратного сопротивления τв интервал времени от момента прохождения тока через нуль после переключе­ния диода с заданного прямого тока в состояние заданного обрат­ного напряжения до момента достижения обратным током задан­ного низкого значения.

Заряд переключения Qпк часть накопленного заряда, выте­кающая во внешнюю цепь при изменении направления тока с пря­мого на обратное.

Общая емкость СД емкость, измеренная между выводами диода при заданных напряжении смещения и частоте.

Импульсное прямое напряжение Uпр.и пиковое значение пря­мого напряжения на диоде при заданном импульсе прямого тока.

Импульсный прямой ток Iпр.и пиковое значение импульса прямого тока при заданной длительности, скважности и форме.

Для импульсных диодов указывают также величину постоянного прямого напряжения Uпр при протекании постоянного тока Iпр и величину обратного тока Iобр при заданной величине обратного напряжения Uобр. Предельные режимы определяются величиной максимально допустимого постоянного обратного напряжения Uобр.max, максимально допустимой величиной импульсного обрат­ного напряжения Uобр.и.max, а также величинами максимально допустимого постоянного прямого тока Iпр.max и максимально до­пустимого импульсного прямого тока Iпр.и.max.

Импульсные диоды широко применяются в импульсных схемах самого различного назначения, например в логических схемах электронных цифровых вычислительных машин.

Варикапы

Варикапами называют полупроводниковые диоды, у которых используется барьерная емкость запертого р-п перехода, зависящая от величины приложенного к диоду обратного напряжения. Кон­струкция варикапа показана на рис. 6.12. В кристалл кремния 5 с одной его стороны вплавлен в вакууме алюминиевый столбик 4 для получения р-п перехода, а с другой стороны − сплав золото − сурьма для получения омического контакта 6. Эта структура вплав­ляется в вакууме в коваровый золоченый кристаллодержатель 7. К алюминиевому столбику прикреплен внутренний вывод 2. Соеди­нение кристаллодержателя с баллоном 3 и выводом 1 осуществляет­ся сплавлением в водороде.

Для использования свойств варикапа к нему необходимо под­вести обратное напряжение (рис. 6.13).

Как известно, при отсутствии внешнего напряжения между p и n− областями существуют контактная разность потенциалов (потенциальный барьер) и внутреннее электрическое поле. Если к диоду приложить обратное напряжение Uобр (рис. 6.14, а), то высота, потенциального барьера между p и n− областями возрастет на величину приложенного напряжения (рис. 6.14, б), возрастет и напряженность электрического поля в р-п переходе. Внешнее обратное напряжение отталкивает электроны глубже внутрь n-об­ласти, а дырки − внутрь р-области. В результате происходит рас­ширение области р-п перехода и тем больше, чем выше напряжение Uобр (на рис. 6.14, б и в).

Таким образом, изменение обратного напряжения, приложен­ного к р-п переходу, приводит к изменению барьерной емкости между p и n− областями. Величина барьерной емкости диода С может быть определена из формулы

где е − относительная диэлектрическая проницаемость полупроводника;

S − площадь р-п перехода; d − ширина р-п перехода.

Формула (6.3) аналогична формуле для емкости плоского кон­денсатора. Однако, несмотря на сходство этих формул, между барьерной емкостью и емкостью конденсатора имеется принци­пиальное различие. В обычном конденсаторе расстояние между его пластинами, а следовательно, и его емкость не зависят от на­пряжения, приложенного к конденсатору. Ширина же р-п пере­хода зависит от величины приложенного к нему напряжения, сле­довательно, барьерная емкость зависит от напряжения: при воз­растании запирающего напряжения ширина р-п перехода увеличи­вается, а его барьерная емкость уменьшается.

Основной характеристикой варикапа является зависимость его емкости от величины обратного напряжения (вольтфарадная ха­рактеристика). Типичная характеристика С = f (Uобр) пока­зана на рис. 6.15. В зависимости от назначения величина номиналь­ной емкости варикапов может быть в пределах от нескольких пикофарад до сотен пикофарад. Зависимость емкости варикапа от при­ложенного напряжения определяется технологией изготовления р-п перехода.

Параметры варикапов:

Номинальная емкость Сном − емкость между выводами вари­капа при номинальном напряжении смещения (обычно UCM = 4 В).

Максимальная емкость Сmax − емкость варикапа при заданном напряжении смещения.

Минимальная емкость Сmin − емкость варикапа при заданном максимальном напряжении смещения.

тельных контуров

Коэффициент перекрытия Кo − отношение максимальной емкости диода к минимальной.

Добротность Q − отношение реактивного сопротивления ва­рикапа к полному сопротивлению потерь, измеренное на номиналь­ной частоте при температуре 20OС.

Максимально допустимое напряжение Umax − максимальное мгновенное значение переменного напряжения, обеспечивающее заданную надежность при длительной работе.

Температурный коэффициент емкости (ТКЕ) − отношение от­носительного изменения емкости при заданном напряжении к вы­звавшему его абсолютному изменению температуры окружающей среды.

Максимально допустимая мощность Рmax − максимальное зна­чение мощности, рассеиваемой на варикапе, при котором обеспе­чивается заданная надежность при длительной работе.

Основное применение варикапа − электронная настройка коле­бательных контуров. На рис. 6.16, а приведена схема включения варикапа в колебательный контур. Контур образован индуктив­ностью L и емкостью варикапа СB. Разделительный конденсатор Ср служит для того, чтобы индуктивность L не закорачивала ва­рикап по постоянному току. Емкость конденсатора Ср должна быть в несколько десятков раз больше емкости варикапа.

Управляющее постоянное напряжение U подается на варикап с потенциометра R2 через высокоомный резистор R1. Перестройка контура осуществляется перемещением движка потенциомет­ра R2.

Данная схема имеет существенный недостаток − напряжение высокой частоты влияет на варикап, изменяя его емкость. Это ве­дет к расстройке контура. Включение варикапов по схеме, показан­ной на рис. 6.16, б, позволяет значительно уменьшить расстройку контура при действии переменного напряжения. Здесь варикапы включены по высокой частоте последовательно навстречу друг другу. Поэтому при любом изменении напряжения на контуре ем­кость одного варикапа увеличивается, а другого уменьшается. По постоянному напряжению варикапы включены параллельно.

9