СТАРИЙ КУРСАК / новий виб_р комп.бази

5 Вибір компонентної бази

В даній схемі використовуються резистори типу С1-4 з максимальною потужністю розсіювання 0,25 Вт, 0,5Вт, 1Вт. В резисторах з номінальним опором 2,7 кОм, 47кОм, 1МОм, 16кОм, 1,5 кОм, 3.9 кОм, 820 Ом, 10кОм, 5.6кОм максимальна потужність розсіювання 0,25Вт. В резисторі з номінальним опором 470 Ом потужність розсіювання 0,5Вт і при опорі 620Ом – 1Вт.[2]

Зовнішній вигляд резистора С1-4 зображено на рис.1

Рисунок 1- Зовнішній вигляд резистора С1-4.

Габаритні розміри резистора С1-4 зображено на рис.2

Рисунок 2 – Габаритні розміри резистора С1-4.

Таблиця 1.1 – Габаритні розміри резистора С1-4 – 0,25 Вт.

Вид резистора	Габаритні розміри та допустимі відхилення, мм					Маса, г, не більше
	L, не більше	l	D, не більше	d
С1-4 – 0.25	6.0	20±3	2.3	0,6±0,06	0,15

Основні параметри резистора С1-4:

- відхилення від номіналу, % 5 ;

- максимально допустима напруга, В 500 ;

- температурний коефіцієнт опору(ТКО) 500 ;

- максимальна потужність розсіювання, Вт 0,25/0,5/1 ;

- робоча температура, С -55…125 .

Таблиця 1.2 – Габаритні розміри резистора С1-4 – 0,5 Вт.

Вид резистора	Габаритні розміри та допустимі відхилення, мм					Маса, г, не більше
	L, не більше	l	D, не більше	d
С1-4 – 0.5	9.0	20±3	3.2	0,6±0,06	0,19

Таблиця 1.3 – Габаритні розміри резистора С1-4 – 1Вт.

Вид резистора	Габаритні розміри та допустимі відхилення, мм					Маса, г, не більше
	L, не більше	l	D, не більше	d
С1-4 – 1	11.0	20±3	4.5	0,8±0,06	0,21

Світлодіод АЛ307БМ. Зовнішній вигляд зображено на рис.3 [1]

В даній схемі використовуються світлодіоди тупу АЛ307БМ і АЛ307ГМ.

Рисунок 3 – Зовнішній вигляд світлодіода АЛ307БМ.

Основні параметри світло діода АЛ307БМ :

- мінімальна сила світла Iv max., мКд 0,9 ;

- колір світіння червоний ;

- робоча температура, С -60…70 ;

- максимальна вхідна напруга, В 2 ;

- максимальна вихідна напруга, В 2 .

Габаритні розміри світлодіода АЛ307БМ зображено на рис.4

Рисунок 4 – Габаритні розміри світло діода АЛ307БМ.

Світлодіод АЛ307ГМ. Зовнішній вигляд зображено на рис.3

Зовнішній вигляд світлодіода АЛ307ГМ і його габаритні розміри зображено на рисунку 3 і рисунку 4 відповідно.

Основні параметри світлодіода АЛ307ГМ :

- мінімальна сила світла Iv max., мКд 1,5 ;

- колір світіння зелений ;

- робоча температура, С -60…70 ;

- максимальна вхідна напруга, В 2,8 ;

- максимальна вихідна напруга, В 2,8 .

Діоди Д243 і Д247

В даній схемі можна використовувати діоди серії Д243-Д247.

Зовнішній вигляд діода Д243, Д247 зображено на рис.5 [5]

Рисунок 5 – Зовнішній вигляд діода Д243, Д247.

Габаритні розміри діода зображено на рис.6

Рисунок 6 – Габаритні розміри діода Д243, Д247.

Основні параметри діода Д243, Д247 :

- тип діода випрямний ;

- максимальна напруга,В 200 ;

- робоча частота,кГц 1.1 ;

- робоча температура ,С 60…125 .

Транзистор КТ361Г [7]

Транзистор КТ361Г захищає блок живлення від перенавантаження.

Основні параметри транзистора КТ361Г :

- структура р-n-p ;

- максимальна напруга колектор – база , В 35 ;

- максимальна напруга колектор – емітер , В 30 ;

- максимально допустимий струм , А 0,05 ;

- максимальна потужність , Вт 0,15 .

Зовнішній вигляд транзистора КТ361Г зображено на рис.7

Рисунок 7 – Зовнішній вигляд транзистора КТ361Г.

Габаритні розміри транзистора КТ361Г зображено на рис.8

Рисунок 8 – Габаритні розміри транзистора КТ361Г.

Транзистор IRF9540 зображено на рис.9 [4]

Рисунок 9 – Зовнішній вигляд транзистора IRF9540.

Основні параметри транзистора :

- структура p-n-p ;

- максимальна напруга колектор – база , В 35 ;

- максимальна напруга колектор – емітер , В 30 ;

- максимально допустимий струм , А 0,05 ;

- максимальна потужність , Вт 0,15 .

Транзистор IRF9540 є потужним польовим імпортним транзистором.

Габаритні розміри транзистора зображено на рис.10

Рисунок 10 – Габаритні розміри транзистора IRF9540.

Мікросхема КА7500В зображена на рис.11 [4].

Рисунок 11 – Зовнішній вигляд мікросхеми КА7500В

Основні параметри мікросхеми:

- розмір корпуса , мм 7,62 ;

- робоча температура , С 0 – 70 ;

- максимальна частота , кГц 300 ;

- робоча напруга , В 7…42 .

Дана мікросхема керує імпульсами, які поступили на затвор VT3.

Габаритні розміри мікросхеми КА7500В зображено на рис.12.

Рисунок 12 - Габаритні розміри мікросхеми КА7500В.

Мікросхема К174КП3 зображена на рис. 13 [6]

Рисунок 13 – Зовнішній вигляд мікросхеми К147КП3.

Основні параметри мікросхеми К147КП3 :

- розмір корпуса , мм 9,15 ;

- робоча температура , С 0 – 70 ;

- максимальна частота , кГц 200 ;

- робоча напруга , В 10…35 .

Габаритні розміри мікросхеми К174КП3 зображено на рис.14

Рисунок 14 – Габаритні розміри мікросхеми К174КП3.

Дана мікросхема К174КП3 (DA2) застосовується у вузлі управління,

розроблена для застосування у виборі програм телевізорів.

Трансформатор ТПП276 - 127/220 зображено на рис.15 [7]

Рисунок 15 – Зовнішній вигляд трансформатора ТПП276-127/220.

Основні параметри трансформатора :

- номінальна робоча частота , Гц 50 ;

- напруга на вторинній обмотці , В 7-20 ;

- напруга на первинній обмотці , В 7-20 ;

- номінальна потужність , Вт 72 .

В даній схемі можна застосовувати любі трансформатори типу ТПП.[5]

Габаритні розміри трансформатора типу ТПП зображено на рис.16

Рисунок 16 – Габаритні розміри трансформатора тупу ТПП.

Конденсатори CL – 21 зображено на рис.17 [8]

Рисунок 17 – Зовнішній вигляд конденсатора СL – 21

Габаритні розміри конденсатора CL – 21 зображено на рис.18

Рисунок 18 – Габаритні розміри конденсатора CL – 21

Основні параметри конденсатора :

- допустиме відхилення від номінальної ємності , % 5 ; 10 ; 20 ;

- робоча температура , С -40 …85 ;

- діапазон номінальний ємностей , мкФ 0,1… 10 ;

- температурний коефіцієнт ємності (ТКЄ) 90 ;

- тангенс кута втрат , град 0.035 .

Конденсатор CD110 зображено на рис.19 [ 9 ].

Рисунок 19 – Зовнішній вигляд конденсатора CD110.

Габаритні розміри конденсатора зображено на рис.20

Рисунок 20 – Габаритны розміри конденсатора CD110.

Основні параметри конденсатора :

- допустиме відхилення від номінальної ємності , % 20 ;

- робоча температура , С -40 …85 ;

- діапазон номінальний ємностей , мкФ 0,1… 15000 ;

- температурний коефіцієнт ємності (ТКЄ) 90 ;

- тангенс кута втрат , град 0.035 .

Кнопковий перемикач МПК1- 4 зображено на рис.21

Рисунок 21 – Зовнішній вигляд МПК1 – 4.

В даній схемі можна використовувати любі малогабаритні кнопки.

Габаритні розміри МПК1 – 4 зображено на рис.22

Рисунок 22 – Габаритні розміри МПК1 – 4.

Основні параметри МПК1 – 4 :

- робоча температура , С - 60 … 100 ;

- потужність, Вт 15 ;

- сила струму, А 0,001 – 0,5 ;

- напруга, В 0,05 – 36 .

Перемикач ПТ 57

Зовнішній вигляд даного перемикача зображено на рис.23

Рисунок 23 - Зовнішній вигляд перемикача ПТ 57

Габаритні розміри перемикача зображено на рис.24

Рисунок 24 – Габаритні розміри ПТ 57

Основні параметри :

- робоча температура, С -60 … 85 ;

- потужність, Вт 160 ;

- сила струму, А 0,1 – 5 ;

- напруга, В 0,1 – 250 .

Стабілітрон Д814Д зображено на рис.25

Рисунок 25-Зовнішній вигляд стабілітрона Д814Д.

Основні параметри стабілітрона :

- потужність розсіювання , Вт 0,34 ;

- номінальна напруга, В 13 ;

- мінімальна напруга, В 11,5 ;

- робоча температура, С -60…125 ;

- діапазон струму, мА 3…29 .

Габаритні розміри стабілітрона зображено на рис.26

Рисунок 26 – Габаритні розміри стабілітрона Д814Д

Діод КД522Б зображено на рис.27

Рисунок 27 – Зовнішній вигляд КД522Б.

Габаритні розміри зображено на рис.28

Рисунок 28 – Габаритні розміри діода КД522Б

Основні параметри КД522Б :

- максимальний прямий струм, А 0,1 ;

- максимальна пряма напруга, В 1,1 ;

- максимальна обернена напруга, В 75 ;

- робоча температура, С -60…125 .