Ответы на контрольные вопросы лаба №1

1. Какие преимущества имеет схема двухполупериодного выпрямителя по сравнению с однополупериодной?

Во-первых, ток проходит через вторичную обмотку транзистора в течении каждого полупериода в разных направлениях.

Во-вторых, частота пульсаций вдвое больше и равна 100 Гц, так как за период напряжения сети ток в нагрузке и напряжение на ней дважды достигают максимума.

В-третьих, его выходное сопротивление вдвое меньше.

В-четвёртых, коэффициент пульсаций меньше и равен 0,67.

2. В чём преимущество мостовой схемы выпрямителя по сравнению со схемой двухполупериодного выпрямителя?

Диоды могут быть рассчитаны на вдвое меньшее обратное напряжение, так как оно равно амплитуде переменного напряжения на вторичной обмотке.

3. Начертите схему мостового выпрямителя со сглаживающим фильтром и покажите пути протекания тока.

4. Сравните свойства сглаживающих LC- и RC-фильтров.

Особенностью LC-фильтров является небольшие потери, позволяющие применить их в устройствах с относительно большим током нагрузки. В маломощных выпрямителях (ток до 10-15 мА) можно применять RC-фильтры. Их недостатком является низкий КПД.

5. Для чего диоды в выпрямителях могут соединяться последовательно?

Последовательное включение выпрямительных диодов делается тогда, когда необходимо увеличить суммарное допустимое обратное напряжение, прикладываемое к каждому из них.

6. Почему при последовательном соединении полупроводниковых диодов в выпрямителе их шунтируют резисторами?

Обратные сопротивления выпрямительных диодов имеют большой разброс (различия достигают до одного-двух порядков), поэтому обратное напряжение, приложенное к цепи последовательно соединенных диодов, распределится неравномерно, а пропорционально их обратным сопротивлениям. Наибольшее падение напряжения будет на диоде с большим обратным сопротивлением. Это может привести к электрическому, а затем тепловому пробою р-п перехода этого диода; после этого обратное напряжение распределится между оставшимися диодами. Произойдет пробой следующего диода, у которого обратное сопротивление перехода наибольшее среди оставшихся диодов. И так один за другим диоды выйдут из строя. Чтобы этого не произошло, следует уравнять падения обратных напряжений на диодах последовательной цепочки путем шунтирования их резисторами одинакового сопротивления. Сопротивление шунтирующего резистора подбирается большим, чтобы исключить большие потери мощности на нем

7. Что такое коэффициент сглаживания фильтра и как зависит его величина от ёмкости конденсаторов фильтра и тока нагрузки.

Важной характеристикой фильтров является коэффициент сглаживания - , где: - коэффициент пульсаций на входе фильтра, - коэффициент пульсаций на выходе фильтра.

При увеличении тока нагрузки амплитуда пульсаций на выходе емкостного фильтра увеличивается, а индуктивного — уменьшается. Поэтому емкостной фильтр выгодно применять при малых, а индуктивный при больших токах нагрузки. Увеличение ёмкости конденсатора уменьшает амплитуда пульсации.

8. С какой частотой пульсирует напряжение на нагрузке в случае однополупериодного выпрямителя, двухполупериодного?

В случае однополупериодного выпрямителя частота пульсации напряжения на нагрузке равна входной частоте пульсаций (50 Гц), двухполупериодного — в два раза больше (100 Гц).

9. Какую функцию выполняют конденсаторы C₁, C₂ и дроссель в сглаживающем фильтре?

Конденсаторы используются для сглаживания пульсаций напряжения, а дроссели, чтобы емкости этих конденсаторов не складывались.

10. Приведите пример схемы умножения напряжения.

Схемы с удвоением напряжения:

11. Как влияет ёмкость конденсаторов фильтра и сопротивление нагрузки на амплитуду пульсации?

При увеличении тока нагрузки амплитуда пульсаций на выходе емкостного фильтра увеличивается, а индуктивного — уменьшается. Увеличение ёмкости конденсатора уменьшает амплитуда пульсации.

12. Почему при малом токе нагрузки дроссель плохо сглаживает пульсации на выходе выпрямителя?

При возрастании тока нагрузки происходит увеличение энергии, накапливаемой в дросселе, при этом увеличивается ЭДС самоиндукции, что препятствует прохождению в нагрузку переменной составляющей тока. При этом улучшаются сглаживающие свойства фильтра.

Ответы на контрольные вопросы лаба№5

1. При каком включении транзистора входное сопротивление усилительного каскада наименьшее?

Схема с Общей Базой.

2. При каком включении транзистора усилительный каскад имеет наибольшее входное сопротивление?

Схема с Общем Коллектором.

3. Какой усилитель называют эмиттерным повторителем? Каковы его назначения, свойства?

Усилитель с ОК. Эмиттерный повторитель необходим чтоб обеспечить большое входное сопротивление усилителя.

4. Объясните назначение элементов, входящих в схему резистивно-ёмкостного усилителя на транзисторах.

Цепь R_Б1 и R_Б2 – это делитель напряжения источника постоянного тока. Нужен для подачи на базу напряжения, с помощью которого задаётся ток базы и тем самым устанавливается положение рабочей точки на статические вольтамперные характеристики транзистора.

R_К – резистор нагрузки. По постоянному току задаёт напряжение на коллекторе, которое определяет положение рабочей точки транзистора. По переменному является нагрузкой усилителя.

R_Э – это резистор температурной стабилизации положения рабочей точки транзистора

С_Э – устраняет отрицательную обратную связь по переменному току.

С_Р – разделительные конденсаторы. .

5. Как подаётся смещение на транзистор типа р-n-р при его включении по схеме с общим эмиттером?

В схеме с ОЭ режим транзистора по постоянному току создают: элементы R_Э, С_Э – цепь температурной стабилизации; R_Б1, R_Б2 – делитель, создающий напряжение смещения на базе. Смещение фиксированным напряжением даёт хорошие результаты при замене транзистора и изменении температуры. Однако он не экономичен из-за потери части энергии источника питания в делителе напряжения R_Б1, R_Б2.

6. Что такое активный режим работы транзистора?

Работая в активном режиме транзистор усиливает электрический сигнал. Получить этот режим можно включив эмиттерный переход в прямом направлении, а коллекторный в обратном.

7. Что происходит с рабочей точкой транзистора при изменении сопротивления резисторов R_Б1 и R_Б2?

При изменении сопротивления резисторов R₁ и R₂ рабочая точка смещается.

8. Как изменится усиление каскада (схема с ОЭ), если исключить из него конденсатор С_Э?

Каскад перестаёт усиливать сигнал.

9. Какие элементы схемы влияют на АЧХ усилителя в области нижних и верхних частот сигнала?

В области низких частот искажения зависят разделительной ёмкости С_Р. Спад АЧХ в области высоких частот обусловлен ёмкостью нагрузки, если она имеется.

10. Как проявляют себя нелинейные искажения при усилении синусоидальных сигналов?

Нелинейные искажения возникают из-за того, что вольтамперные характеристики транзисторов не линейны. В результате в усилителях возникают сигналы которых не было на входе усилителя, частоты этих сигналов кратны частоте входного сигнала и носят названия гармоник. Номер гармоники целочисленный и её амплитуда обычно обратно пропорциональна их номеру.

Ответы на контрольные вопросы лаба №3

1. Чем отличаются собственная и примесная электропроводности полупроводников?

Собственная проводимость возникает в результате перехода электронов с верхних уровней валентной зоны в зону проводимости.

Примесная проводимость возникает, если некоторые атомы данного полупроводника заменить в узлах кристаллической решётки атомами, валентность которых отличается на единицу от валентности основных атомов. В отличие от случая, рассмотренного выше, образование свободного электрона не сопровождается нарушением ковалентных связей, т. е. образованием дырки.

2. Опишите возникновение и свойства p-n перехода.

p-n переход это тонкий слой на границе между двумя областями одного и того же кристалла. Чтоб изготовить такой переход берут, например, монокристалл из очень чистого германия с электронным механизмом проводимости. В вырезанную из кристалла тонкую пластинку вплавляют с одной стороны кусочек индия. Во время этой операции, которая осуществляется в вакууме или в атмосфере инертного газа, атомы индия диффундируют в германий на некоторую глубину. В той области, в которую проникают атомы индия, проводимость германия становится дырочной. На границе этой области возникает p-n переход. Существуют и другие способы получения p-n переходов.

3. Опишите устройство и принцип действия биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером.

Транзистор, или полупроводниковый триод, являясь управляемым элементом, нашел широкое применение в схемах усиления, а также в импульсных схемах. Отсутствие накала, малые габариты и стоимость, высокая надежность.

Биполярный транзистор представляет собой трехслойную полупроводниковую структуру с чередующимися типом электропроводности слоев и содержит два p-n перехода. И конечно же существуют транзисторы типов p-n-p и n-p-n . В качестве исходного материала для получения трехслойной структуры используют германий и кремний.

4. Начертите и поясните вид входных и выходных характеристик транзистора при включении его по схеме с общим эмиттером.

А) Семейство входных характеристик () при   При  входная ВАХ имеет вид прямой ветви ВАХ электронно-дырочного перехода, поскольку эмиттерный переход (ЭП) и коллекторный переход (КП) при этом смещены в прямом направлении и соединены параллельно друг другу ( и внутреннее сопротивление этой эдс равно нулю. При  входная ВАХ смещена вправо вследствие дополнительного падения напряжения на ЭП от протекающего по транзистору коллекторного тока. Это падение напряжения существует даже при отсутствии тока базы и соответствует участку «о-а»

Б) Семейство выходных характеристик () при  изображено на рис. 14.2, б. При  выходная ВАХ имеет вид обратной ветви ВАХ электронно-дырочного перехода, увеличенной в () раз (где  – коэффициент передачи тока), поскольку КП при этом смещен в обратном направлении. При увеличении тока базы выходные ВАХ смещаются вверх на величину .

 

5. Какие ещё имеются схемы включения биполярного транзистора? Перечислите их основные свойства.

У схемы с ОК, самое большое входное сопротивление и самое маленькое выходное сопротивление по сравнению с другими схемами включения транзистора. Усилитель на данной схеме не усиливает по напряжению.

У схемы с ОБ, самое маленькое входное сопротивление и самое большое выходное сопротивление по сравнению с другими схемами включения транзистора.

6. Перечислите и поясните физический смысл h-параметров транзистора. Как их определить из статических характеристик?

входное сопротивление, при коротком замыкании выходной цепи ;

коэффициент обратной связи по напряжению, при холостом ходе во входной цепи. Характеризует внутреннюю обратную связь между входной и выходной цепями транзистора;

коэффициент передачи тока, при котором замыкании выходной цепи;

выходная проводимость, при холостом ходе во входной цепи

7. Как изменяется коэффициент h_21э при изменении h_21б?

Чем ближе h_21б к единице, тем больше h_21э.

8. Почему транзистор, включённый по схеме с общим эмиттером, может обеспечить усиление по току?

Величина является основным параметром, определяющим усилительные свойства биполярного транзистора. , так как , то транзистор включённый по схеме с ОЭ усиливает сигнал.

9. Почему входное сопротивление транзистора в схеме с общим эмиттером больше, чем в схеме с общей базой?

В отличии от схемы с ОЭ, в схеме с ОБ входной сигнал поступает на эмиттерный переход, который включён в прямом направлении и не препятствует протеканию тока.

10. Почему значение h_21э превышает 1?

Потому что .

11. Какие электрические параметры характеризуют положение рабочей точки на статических характеристиках транзистора?

12. Каковы особенности активного режима работы транзистора? Какие ещё режимы работы транзистора вам известны?

Работая в активном режиме транзистор усиливает электрический сигнал.

Насыщения – можно получить включив оба p-n перехода в прямом направлении.

Отсечки – можно получить включив оба p-n перехода в обратном направлении.

Вывод: Я исследовал статические характеристики биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером и определение его основных параметров. В упражнение 1 при

U_КЭ, В=0 график в конце отклонился вверх от других значений.

Контрольные вопросы №1-Ц

1. Дайте определение основных логических операций и, или, не.

Дизъюнкция(ИЛИ) - это сложное логическое выражение, которое истинно, если хотя бы одно из простых логических выражений истинно и ложно тогда и только тогда, когда оба простых логических вырожения ложны.

Обозначение: F = A + B.

Конъюнкция(И) - это сложное логическое выражение, которое считается истинным в том и только том случае, когда оба простых выражения являются истинными, во всех остальных случаях данное сложеное выражение ложно.

Обозначение: F = A & B.

Инверсия(НЕ,Орицание) - это сложное логическое выражение, если исходное логическое выражение истинно, то результат отрицания будет ложным, и наоборот, если исходное логическое выражение ложно, то результат отрицания будет истинным. Другими простыми слова, данная операция означает, что к исходному логическому выражению добавляется частица НЕ или слова НЕВЕРНО, ЧТО

2. На каких элементах могут быть реализованы основные логические функции?

С помощью только одних элементов ИЛИ - НЕ или только элементов И - НЕ, путем различных включений их друг с другом можно выполнить любую логическую функцию.

3. Разработайте схемы электромеханических аналогов устройств для реализации логических функций И. ИЛИ, НЕ, 2И-НЕ, 2ИЛИ-НЕ.

4. В чем состоят достоинства интегральных логических схем?

Преимущества ИС является высокая надежность, малые размеры и масса.

Микросхемы экономичны и уменьшают расход электроэнергии и массу ИП

Интегральные схемы безынерционны.

5. Нарисуйте интегральную схему базового элемента ТТЛ и поясните его работу.

Основой транзисторно-транзисторной логики является базовый элемент на основе многоэмиттерного транзистора Т1 который легко реализуется в едином технологическом цикле с транзистором Т2. В ТТЛ-логике многоэмиттерный транзистор осуществляет в положительной логике операцию И, а на транзисторе Т2 собран инвертор. Таким образом, по данной схеме реализован базис И–НЕ.

В случае подачи на все входы схемы высокого потенциала, все переходы эмиттер–база транзистора Т1 окажутся запертыми так как потенциал в точке A примерно равен входным сигналам. В то же время, переход база–коллектор будет открытым, поэтому по цепи Eп – R1 – база Т1 – коллектор Т1 – база Т2 – эмиттер Т2 – корпус течет ток Iб нас, который открывает транзистор Т2 и вводит его в насыщение. Потенциал на выходе схемы оказывается близким к нулю (на уровне ≈ 0,1 В). Сопротивление R1 подобрано таким, чтобы, за счет падения напряжения на нем от тока Iб нас транзистора Т2, потенциал в точке A был бы ниже, чем потенциал входов, и эмиттеры Т1 оставались бы запертыми.

При подаче низкого потенциала логического нуля хотя бы на один из входов открывается этот переход эмиттер–база транзистора Т1, появляется значительный ток Iэ и потенциал в точке A, равный , приближается к нулевому. Разность потенциалов между базой и эмиттером Т2 также становится равной нулю, ток Iб транзистора Т2 прекращается, и он закрывается (переходит в режим отсечки). В результате выходное напряжение приобретает значение, равное напряжению питания (логической единицы).

Входные диоды Д1, … , ДN предназначены для демпфирования (отсечки) отрицательных колебаний, которые могут присутствовать во входных сигналах за счет паразитных элементов предыдущих каскадов.

Существенным недостатком рассмотренной схемы элемента И–НЕ являются низкие нагрузочная способность и экономичность ее инвертора, поэтому в практических схемах используют более сложный инвертор