- •Экзаменационный билет №1
- •Экзаменационный билет №2
- •Экзаменационный билет №3
- •Экзаменационный билет №4
- •Экзаменационный билет №5
- •Экзаменационный билет №6
- •Экзаменационный билет №7
- •Экзаменационный билет №9
- •Экзаменационный билет №10
- •Экзаменационный билет №11
- •Экзаменационный билет №12
- •Экзаменационный билет №13
- •Экзаменационный билет №14
- •Экзаменационный билет №15
- •Экзаменационный билет №16
- •Экзаменационный билет №17
- •Экзаменационный билет №18
- •Экзаменационный билет №19
- •Экзаменационный билет №20
- •Экзаменационный билет №21
- •Экзаменационный билет №22
- •Экзаменационный билет №23
- •Экзаменационный билет №24
- •Экзаменационный билет №25
ГБОУ ВПО «АЛЬМЕТЬЕВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НЕФТЯНОЙ ИНСТИТУТ»
-
Факультет: ФЭА
Кафедра: АИТ
Дисциплина: Физические основы микроэлектроники
Учебный год: 2014/2015
Специальность: 220700
Семестр: 3
Экзаменационный билет №1
1. |
ФОМ. Электроника. Нано-технология. МЭ подложка. |
2. |
Стабилитроны и ограничители напряжения. Диоды СВЧ. Смесительные и детекторные диоды. |
|
|
Экзаменатор: Горшкова К.Л. Зав. кафедрой: Ахметзянов Р.Р.
Дата утверждения: 21.11.2014г.
ГБОУ ВПО «АЛЬМЕТЬЕВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НЕФТЯНОЙ ИНСТИТУТ»
-
Факультет: ФЭА
Кафедра: АИТ
Дисциплина: Физические основы микроэлектроники
Учебный год: 2014/2015
Специальность: 220700
Семестр: 3
Экзаменационный билет №2
1. |
Электропроводность полупроводников. Ток дрейфа. |
2. |
Диоды выпрямительные, высокочастотные и импульсные. Основные характеристики электрические и эксплуатационные. |
Экзаменатор: Горшкова К.Л. Зав. кафедрой: Ахметзянов Р.Р.
Дата утверждения: 21.11.2014г.
ГБОУ ВПО «АЛЬМЕТЬЕВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НЕФТЯНОЙ ИНСТИТУТ»
-
Факультет: ФЭА
Кафедра: АИТ
Дисциплина: Физические основы микроэлектроники
Учебный год: 2014/2015
Специальность: 220700
Семестр: 3
Экзаменационный билет №3
1. |
Варикапы. Туннельные и обращенные диоды. |
2. |
Основные положения теории электропроводности. |
Экзаменатор: Горшкова К.Л. Зав. кафедрой: Ахметзянов Р.Р.
Дата утверждения: 21.11.2014г.
ГБОУ ВПО «АЛЬМЕТЬЕВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НЕФТЯНОЙ ИНСТИТУТ»
-
Факультет: ФЭА
Кафедра: АИТ
Дисциплина: Физические основы микроэлектроники
Учебный год: 2014/2015
Специальность: 220700
Семестр: 3
Экзаменационный билет №4
1. |
Основные свойства и характеристики полупроводников. Уровень Ферми. Значение потенциалов Ферми. |
2. |
Классификация диодов по функциональному назначению. Графическое изображение полупроводниковых диодов. |
Экзаменатор: Горшкова К.Л. Зав. кафедрой: Ахметзянов Р.Р.
Дата утверждения: 21.11.2014г.
ГБОУ ВПО «АЛЬМЕТЬЕВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НЕФТЯНОЙ ИНСТИТУТ»
-
Факультет: ФЭА
Кафедра: АИТ
Дисциплина: Физические основы микроэлектроники
Учебный год: 2014/2015
Специальность: 220700
Семестр: 3