- •1. Принцип действия транзистора. Основные схемы включения и их параметры (Коэффициент усиления, входное и выходное сопротивление.)
- •2.Дифференциальная транзисторная схема усиления – основа оу. Расчетные параметры.
- •3. Операционный усилитель (инвертирующий, неинвертирующий с обратной связью).
- •4. Функциональные схемы на оу (интегратор, дифференциатор, сумматор).
- •5. Каскады усиления мощности.
- •6. Идеальный операционный усилитель
- •7. Дифференциальные схемы с оу
- •8.Алгебра логики. Основные понятия и тождества.
- •10. Комбинационные схемы (мультиплексоры, сумматоры, дешифраторы, шифраторы).
- •11.Последовательносьные схемы. Примеры. (асинхронный rs - триггер. Синхронные триггеры).
- •12. Счётчики.Классиф.Параметры.Бинарные счетчики.
- •13.Регистры. Общие сведения. Микросхемы регистров хранения, сдвига.
1. Принцип действия транзистора. Основные схемы включения и их параметры (Коэффициент усиления, входное и выходное сопротивление.)
Транзистором называется полупроводниковый прибор с двумя электронно-дырочными переходами, предназначенный для усиления и генерирования электрических сигналов. В транзисторе используются оба типа носителей – основные и неосновные, поэтому его называют биполярным.
Биполярный транзистор состоит из монокристаллического полупроводника с разным типом проводимости: эмиттера, базы и коллектора. РИСУНОК (Диаграммы, поясняющие работу биполярных транзисторов: (а) смещение на переходах отсутствует; (б) эмиттерный переход смещен в прямом направлении, коллекторный в обратном. Т.е и из эмиттера в базу инжектируются дырки (в pnp транзисторе) или электроны (в npn транзисторе), )
Э - эмиттер, Б - база, К - коллектор, ЭП - эмиттерный переход, КП - коллекторный переход, W - толщина базы. Каждый из переходов транзистора можно включить либо в прямом, либо в обратном направлении. В зависимости от этого различают три режима работы транзистора:
Режим отсечки – оба p-n перехода закрыты, при этом через транзистор обычно идет сравнительно небольшой ток
Режим насыщения – оба p-n перехода открыты
Активный режим – один из p-n переходов открыт, а другой закрыт
Различают схему включения с общей базой, общим эмиттером, общим коллектором. Схемы для p-n-p транзистора показаны на рисунках а, б, в: об оэ ок
В схеме с общей базой (рис. а) электрод база является общим для входной и выходной цепи, в схеме с общим эмиттером (рис. б) общим является эмиттер, в схеме с общим коллектором (рис. в) общим является коллектор.
На рисунке показаны: Е1 – питание входной цепи, Е2 – питание выходной цепи, Uвх – источник усиливаемого сигнала.
Любая схема включения транзистора характеризуется двумя основными показателями: коэффициент усиления по току Iвых/Iвх, входное сопротивление Rвхб=Uвх/Iвх=Uбэ/Iэ.
2.Дифференциальная транзисторная схема усиления – основа оу. Расчетные параметры.
Дифференциальный усилительный каскад имеет два входа и усиливает разность напряжений, приложенных к ним. Если на оба входа подать одинаковое (синфазное) напряжение, то усиление будет чрезвычайно мало. Дифференциальный усилительный каскад не усиливает синфазный сигнал.
Дифференциальный каскад состоит из двух транзисторов эмиттеры которых соединены и подключены к общему резистор RЭ. Для сигнала Uвх 1 транзистор VT1 включен по схеме с ОЭ а транзистор VT2— по схеме с ОБ. Для сигнала Uвх 2 транзистор VT1 включен по схеме с ОБ, а транзистор VT2—по схеме с ОЭ.
Базовая схема 1 схема включения
Коэффициент усиления по напряжению дифференциального каскада при холостом ходе определяется как отношение разности выходных напряжений к разности входных:
Выходное сопротивление каскада, если пренебречь сопротивлением коллекторного перехода, в два раза выше, чем у каскада с ОЭ (при Rк<<rк диф): Rвых≈2Rк.
Входное сопротивление для разностного сигнала (дифференциального входное сопротивление каскада) также в 2 раза больше, чем у каскада с ОЭ: