Вопросы к коллоквиуму по ФОЭТ и ППП №1

Вопросы к коллоквиуму по «ФОЭТ и ППП» №1

Всего на коллоквиуме будет 10 билетов по 5 вопросов в каждом (итого 50 вопросов).

Ответ на каждый вопрос оценивается в 0-3 балла (итого за билет 0-15 баллов).

При ответе на вопрос нужно отвечать только на него (не нужно выдавать мне ВСЮ информацию, которую Вы можете вспомнить). Ответ должен быть кратким, но достаточным. На рисунках ВАХ и схем не забывайте обозначать оси, напряжения и токи.

Ответы пишутся на листах бумаги, сверху каждого из них в строчку пишется номер по списку, фамилия, группа и порядковый номер листа (в правом верхнем углу).

Время написания коллоквиума – 40 минут.

В данном списке номер вопроса состоит из двух цифр, первая из которых – номер лекции (пункты с одинарной нумерацией – это не вопросы, а номер и тема лекции).

1. Вводная

2. Краткие сведения, модель атома, постулаты Бора.

   1. Постулаты Бора.

3. Зоны, генерация и рекомбинация.

   1. Что в теории полупроводников принято называть дыркой?

   2. Зонная теория.

   3. Что такое генерация? Объясните принцип.

   4. Объясните механизм образования электронной и дырочной составляющих тока в собственном полупроводнике.

   5. Что такое n-полупроводник и как его получают?

   6. Что такое p-полупроводник и как его получают?

   7. Как образуется дрейфовый ток в полупроводнике?

4. Типы рекомбинации, устройство р-n перехода.

   1. Изобразите примерные ВАХ германиевого и кремниевого p-n-переходов при прямом включении.

   2. Объясните сущность процессов инжекции и экстракции неосновных носителей заряда в р-n переходе.

   3. Объясните в чем сущность динамического равновесия в p-n-переходе при отсутствии внешнего напряжения.

   4. Что такое рекомбинация? Типы рекомбинации.

   5. Что такое электронно-дырочный переход?

   6. Какое включение p-n-перехода называют прямым? Что представляет собой прямой ток через p-n-переход?

   7. Изобразите и объясните энергетическую диаграмму p-n-перехода без внешнего напряжения.

   8. Какое включение p-n-перехода называют обратным? Что представляет собой обратный ток через p-n-переход?

   9. Как и почему изменяется потенциальный барьер при прямом и обратном включениях р-n перехода.

   10. Что такое потенциальный барьер? Как он возникает?

   11. Что такое диффузионный ток? Отчего он зависит?

5. Пробой, импульсные свойства перехода.

   1. Типы пробоев. Какие из них являются обратимыми.

   2. В чем сущность лавинного пробоя p-n перехода?

   3. В чем сущность туннельного пробоя перехода?

   4. Что такое барьерная емкость и как она изменяется в зависимости от приложенного к p-n-переходу напряжения?

   5. Изобразите ВАХ p-n-перехода (реального) при обратном включении.

   6. Что такое диффузионная емкость и как она изменяется в зависимости от приложенного к p-n-переходу напряжения?

   7. Что такое стабилитрон?

   8. Нарисуйте форму напряжения на диоде при скачкообразной подаче на диод прямого тока (для режима с высоким уровнем инжекции).

   9. Нарисуйте форму тока через диод при скачкообразной подаче на него обратного напряжения после протекания прямого тока.

   10. Нарисуйте, какое соединение диодов применяют, если выпрямляемое напряжение больше, чем допустимое обратное напряжение диода.

   11. Как по ВАХ диода найти его статическое сопротивление?

   12. Как по ВАХ диода найти его дифференциальное сопротивление?

6. Линия нагрузки, Транзистор.

   1. Определите ток и напряжение на диоде в цепи последовательного соединения диода и нагрузочного резистора (нарисуйте ВАХ и линию нагрузки).

   2. В каком направлении смещены переходы транзистора в активном режиме?

   3. В каком направлении смещены переходы транзистора в режиме насыщения?

   4. В каком направлении смещены переходы транзистора в режиме отсечки?

   5. В каком направлении смещены переходы транзистора в инверсном режиме?

7. Схемы включения транзистора.

   1. Нарисуйте схему включения транзистора с ОБ в активном режиме. Усиливает ли данная схема по току, по напряжению, по мощности?

   2. Нарисуйте схему включения транзистора с ОЭ в активном режиме. Усиливает ли данная схема по току, по напряжению, по мощности?

   3. Нарисуйте схему включения транзистора с ОК в активном режиме. Усиливает ли данная схема по току, по напряжению, по мощности?

   4. Что такое входные и выходные характеристики (зависимость чего от чего и при каком условии)

   5. Приведите входную статическую характеристику транзистора включенного по схеме с ОБ.

   6. Приведите выходную статическую характеристику транзистора включенного по схеме с ОБ.

   7. Приведите входную статическую характеристику транзистора включенного по схеме с ОЭ.

   8. Приведите выходную статическую характеристику транзистора включенного по схеме с ОЭ.

   9. Объясните, как по характеристикам транзистора определить β (h_21Э)

8. Усиление, влияние температуры, схемы замещения транзистора.

   1. Объясните влияние температуры на входные характеристики транзистора в схеме с ОБ.

   2. Объясните влияние температуры на выходные характеристики транзистора в схеме с ОЭ.

   3. Нарисуйте Т-образную эквивалентную схему замещения транзистора с управляемым генератором тока при включении с ОБ.

   4. Нарисуйте Т-образную эквивалентную схему замещения транзистора с управляемым генератором тока при включении с ОЭ.

9. Четырехполюсники, система статических парамеров

   1. Нарисуйте четырехполюсник и обозначьте токи и напряжения