Министерство науки и образования РФ

Федеральное государственное высшее образовательное учреждение

ТОЛЬЯТТИНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ

Лабораторная работа №2,3 по праву интеллектуальной собственности

На тему: «Разработка модифицированного объекта исследования на основе патентно-информационного поиска», «Пакет заявочных документов для регистрации в ФИПСЕ для получения патента на полезную модель».

Группа: ЭЭТп – 1401

Выполнил: Назаров М.А.

Преподаватель: Чертакова Е.М.

Тольятти 2014 г.

Регламент патентно-информационного поиска

1.Объектом исследования будет являться транзисторный усилитель сигнала. Усилитель звука – устройство, которое предназначено для усиления входного сигнала до определенного уровня, который соответствует слышимому человком диапазону звуковых частот (от 20 до 20 000 Гц).

На рисунке ниже представлена простейшая схема транзисторного усилителя, включающая: 1,2 – конденсаторы, 3 – источник питания, 4 – диоды, 5,6,7 – транзисторы, 8 – резистор.

Основными недостатками данного устройства являются:

— термозависимость. Усилителю необходимо постоянное охлаждение, т.к. при повышении температуры кристалла транзистора выше 25 градусов по Цельсию мощность усилителя падает до нуля; — нелинейность входной характеристики. Действительно, входная характеристика транзисторного усилителя имеет резкий излом, поэтому использование транзистора в качестве усилителя напряжения заведомо ограничивает получение сигнала высокого качества; — транзисторные усилители слабые по качеству сигнала

2. Регламент патентно-информационного поиска.

2.1. Транзисторный усилитель сигнала относится к устройствам и содержит такие основные детали конструкции как: конденсаторы, диоды, транзисторы, резисторы

2.2. Для проведения патентно-информационного поиска выбираем техническую систему - объект в целом.

Проводим первичный информационный поиск. (Таблица 1).

Название объекта	Источники информации	Сущность технических решений
Транзисторный усилитель	Сайт компании NXPhttp://www.ru.nxp.com/products/amplifiers/	Производство высококачественных компонентов, в число которых входят лучшие в своем классе транзисторы большой мощности, конденсаторы высокой емкости, а также диоды с высоким током пробоя.
	International Rectifier http://www.irf.ru/	Изделия для систем электропитания: силовые транзисторы, импульсные стабилизаторы, микросхемы управления импульсными преобразователями, электродвигателями, люминесцентными лампами
	Сайт американской корпорации IBM http://www.ibm.net	Разработка микроустройств, защищающих от электропробоя, короткого замыкания, возникновения вихревых магнитных микрополей.
	Сайт российскогоинститута НИИЭТ http://www.NIIET.ru	Создание технологий изготовления наносборки при помощи комьютеризированных систем автоматической сборки и ипытаний работоспособности.
	Сайт японской компании «Sitronics» http://www.Sitronics.ru	Использование электротехнических материалов для улучшения работоспособности и мощности выходного сигнала.
	Сайт российского института НИИСИ РАН http://www.«NIISI RAN».RU	Разработка электротехнических материалов, способных выдерживать резкие перебои напряжения и тока в сети, и отключение участка цепи в случае перебоя.

2.3. На основании Таблицы 1 и 4 части ГК РФ глубина патентно-информационного поиска по заданному объекту составит 15 лет, т. к. из Таблицы 1 видно, что развитие технологий транзисторов идёт в весьма быстрых темпах.

2.4. В соответствие с информационным поиском, к странам, где ведется активная разработка транзисторных усилителей, относятся:

1) Российская Федерация

2) Япония

3) США

4) Канада

2.5 УДК объекта исследования: 621.375.4

МПК обьекта исследования: H05K10/00

H– Электричество

H05 - Специальные области электротехники, не отнесенные к другим классам

H05K– Печатные схемы; корпусы или детали электрических приборов; изготовление блоков элементов электрической аппаратуры (детали или свойства приборов или аналогичные характеристики других устройств, не рассматриваемые в других классах

H05K10/00 - Способы и устройства для повышения эксплуатационной надежности электронного оборудования, например с помощью однородных резервных блоков для замены

2.6 Таблица регламента патентно-информационного поиска

Название объекта	Страны патентно-информационного поиска	Ретрос-пектива	Источники информации	УДК	МПК
Биполярные транзисторы	Российская Федерация, США, Япония, Канада	15лет	1. Открытые базы ФГУ ФИПС 2.Базы ЕС патента 3. Сайты производителей биполярных транзисторов сети интернет.	621.382.33	H01L29/737