Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

Электроника. Вариант 1

.pdf
Скачиваний:
34
Добавлен:
01.01.2018
Размер:
82.15 Кб
Скачать

Вариант № 1

Вопрос №1

Диффузионный ток через p-n переход обусловлен:

приложенным внешним электрическим полем

разностью концентраций основных носителей заряда в p и n областях

влиянием температуры отсутствием внешнего электрического поля

Вопрос №2

Режим отсечки для p-n-p транзистора, подключенного по схеме с общим эмиттером, осуществляется при смешении коллекторного и базового переходов в следующих направлениях:

Uбэ в прямом, Uкэ в прямом

Uбэ в обратном, Uкэ в прямом

Uбэ в обратном, Uкэ в обратном Uбэ в прямом, Uкэ в обратном

Вопрос №3

Область полупроводника, расположенная вблизи металлургической границы между p и n слоями называется:

p-n переход

валентный слой

зона контакта фазовый переход

Вопрос №4

При подключении к полупроводнику прямого напряжения зона p-n перехода:

расширяется

сужается

не изменяется

расширяется со стороны p-слоя

Вопрос №5

В усилителях постоянного тока нельзя связывать источник и приемник сигнала через трансформаторы и конденсаторы, потому что:

это экономически не оправданно они не пропускают постоянную составляющую тока

они являются линейными элементами конденсаторы и трансформаторы сильно искажают сигнал

Вопрос №6

Зона вблизи границы p и n областей, обедненная подвижными основными носителями заряда называется:

эмиттерный переход

валентный слой

запирающий слой зона проводимости

Вопрос №7

ВАХ транзистора, подключенного по схеме с общей базой, описывается функцией Iэ = f(Uбэ) при условии, что:

Uкэ = const

Uкб > 0

Uэб < 0 Uкб = const

Вопрос №8

Режим насыщения для p-n-p транзистора, подключенного по схеме с общим эмиттером, осуществляется при смешении коллекторного и базового переходов в следующих направлениях:

Uбэ в обратном, Uкэ в прямом

Uбэ в прямом, Uкэ в прямом

Uбэ в обратном, Uкэ в обратном Uбэ в прямом, Uкэ в обратном

Вопрос №9

Передаточной характеристикой усилительного каскада называют зависимость:

Iб = f(Uвх)

Uвых = f(Iб)

Uвых = f(Uвх) Iб = f(Iк)

Вопрос №10

При подключении к полупроводнику обратного напряжения зона p-n перехода:

сужается

расширяется

не изменяется

p-n переход имеет постоянную ширину

Проверить тестирование