Схемотехника (курсовая)
.pdfВыбираем R4 = 2.7 кОм.
Тогда ток делителя:
Д2 = 4З = 27001 = 2.5 10−4 = 0.37мА
Сопротивление резистора:
3 = ( 0 − З) = 24.3 кОм
Д2
Всоответствии с номинальным рядом выбираем: R3 = 24 кОм.
3.1.3Расчет по постоянному току каскадов на биполярных
транзисторах V3, V4
Биполярный транзистор КТ342Б имеет следующие параметры:
-транзистор биполярный кремниевый;
-UБЭ = 0.7 В;
-коэффициент усиления по току минимальный h21min = 200;
-коэффициент усиления по току максимальный h21max = 500;
-частота единичного усиления fТ = 300 МГц;
-максимальный постоянный ток коллектора Iк max = 50 мА;
- максимальное напряжение коллектор-эмиттер Uкэ max = 25 В;
-постоянная времени цепи обратной связи τк = 300 пс;
-ёмкость коллекторного перехода Cк = 8 пФ;
-допустимая мощность рассеиваемая на коллекторе Pк = 250 мВт.
Рисунок 5. Принципиальная схема каскадов на биполярных транзисторах по постоянному току
Для расчёта сопротивлений резисторов R7, R8, R9, R10, R11 необходимо выбрать режимы работы транзисторов V3 и V4 (рис. 5).
11
Ток покоя транзистора V4 должен быть К4 ≤ 6 мА. Выбираем К4 = 6 мА. Учитывая, что переменный коллекторный ток транзистора V3 меньше, чем переменный ток коллектора V4, можно выбрать постоянный коллекторный ток К3 ≤ К4. Выбираем К3 = 5 мА.
Напряжение коллектора-эмиттера V4:
0 10кэ,4 = 2 = 2 = 5 В
Напряжение на эмиттере V4:
Э4 = 0.1 0 = 0.1 ∙ 10 = 1 В
Определяем напряжение:
Б4 = Э3 = Э4 + БЭ = 1 + 0.7 = 1.7 В
Напряжение на базе V3:
Б3 = Э3 + БЭ = 1.7 + 0.7 = 2.4 В
Напряжение на коллекторе V4:
К4 = Э4 + КЭ,4 = 1 + 5 = 6 В
Для вычисления токов базы Б3 |
и Б4 и дальнейших коэффициентов |
|||||||||||||||
передачи по току h21,3 |
|
и h21,4 |
определим с учётом их крайних значений |
|||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||
h21 = √h21min ∙ h21max = √200 ∙ 500 = 316.228 |
||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
5 10−3 |
|
|
|
||||
|
|
= |
|
К3 |
= |
|
|
|
|
= 0.01581 мА |
||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||
Б3 |
|
|
|
21 |
|
|
316.23 |
|
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
6 10−3 |
|
|
|
||||
|
|
= |
|
К4 |
= |
|
|
|
|
= 0.01897 мА |
||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||
Б4 |
|
|
|
21 |
|
|
316.23 |
|
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
Тогда |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Э3 = К3 + Б3 = 5.016 мА |
||||||||||||
|
|
|
|
Э4 = К4 + Б4 = 6.019 мА |
||||||||||||
При больших h21 |
принимают равными Э3 ≈ К3, Э4 ≈ К4. |
|||||||||||||||
Теперь вычислим сопротивление R9, R10 и R11: |
||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
1.7 |
|
|
|
|
|||||
R9 = |
|
Э3 |
= |
|
= 338.9 Ом |
|||||||||||
|
|
5.0158 10−3 |
||||||||||||||
|
|
|
|
Э3 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
12 |
|
|
|
|
|
R10 = |
( 0 − К4) |
= |
(10 − 6) |
= 666.67 Ом |
||||
|
|
|
||||||
|
|
К4 |
|
|
6 |
|
|
|
|
|
|
|
|
1 |
|
|
|
R11 = |
Э4 |
= |
|
= 166.14 Ом |
||||
|
6.019 10−3 |
|||||||
|
|
Э4 |
|
|
|
|
|
Для вычисления сопротивлений R7 и R8 нужно определить ток делителяД3. Обычно его выбирают Д3 ≥ 10 Б3. Следовательно,
Д3 ≥ 10 ∙ 0.0158 = 0.158 мА
Тогда:
7 = |
( 0 − Б3) |
= |
|
|
(10 − 2.5) |
= |
7.5 |
|
= 43.7 кОм |
||
|
(0.158 + 0.0158 ) |
0.1738 |
|||||||||
|
( Д3 + Б3) |
|
|
||||||||
|
R8 = |
|
Б3 |
= |
2.4 |
= 15.18 кОм |
|
||||
|
|
|
|
|
|||||||
|
|
|
|
0.158 |
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
Д3 |
|
|
|
|
|
|
|
В соответствии с номинальным рядом получаем:
R7 = 43 кОм , R8 = 15 кОм , R9 = 330 Ом , R10 = 680 Ом , R11 = 160 Ом.
3.1.4 Расчёт по постоянному току в схеме на ОУ
Этот расчёт сводится к определению номинальных значений резисторов R12 и R13. С одной стороны они должны обеспечить «среднюю
точку» напряжения питания 0 на ОУ и потому R12 = R13, с другой стороны
2
их параллельное соединение на переменном токе не должно сильно шунтировать нагрузку транзистора V4. Вследствие этого:
12 = 13 = 5 ∙ 10 = 5 ∙ 680 = 3400 Ом.
По шкале номинальных значений получаем: R12= R13= 3.3 кОм.
3.1.5 Проверка расчета по постоянному току с помощью компьютера
Правильность расчетов сопротивлений можно проверить с помощью компьютера. Для этого принципиальную схему каскадов на транзисторах V3 и V4 (рис. 5) необходимо преобразовать в эквивалентную схему по
13
постоянному току, |
заменяя |
биполярные |
транзисторы |
активными |
четырехполюсниками |
типа |
ИТУТ (рис.6, |
б), где 11 − |
входное |
сопротивление биполярного транзистора на постоянном токе. |
|
Рисунок 6. Определение входного сопротивления (а) и эквивалентная схема биполярного транзистора (б) по постоянному току
Далее составляем эквивалентную схему усилителя на биполярных транзисторах (рис.7) и с помощью программы Fastmean произведем расчет. При расчете используются сопротивления резисторов, выбранные по номинальному ряду. Сопротивления R6 и R12 не являются резисторами, они отражают эквиваленты входных сопротивлений переходов база-эмиттер
транзисторов V3 и V4 H11,3 и H11,4 по постоянному току (рис. 6). Их величины равны:
БЭ6 = 11,3 = Б3 = 44.3 кОм.
БЭ12 = 11,4 = Б4 = 36.9 кОм.
Рисунок 7. Эквивалентная схема усилительного каскада на V3, V4 по постоянному току
14
С помощью команды «Анализ по постоянному току» в схеме рис. 7 вычислим токи в резисторах и напряжения в узлах. В табл. 6 вносим все результаты без учёта знака.
|
|
|
|
|
|
|
|
Таблица 6 |
|
Параметр |
|
|
V3 |
|
|
V4 |
|
|
|
Токи и напряжения |
Б3, В |
Э3, В |
|
Д2, мА |
Э3, мА |
Э4, В |
К4, В |
|
К4, мА |
Расчёт предварительный |
2.4 |
1.7 |
|
0.1442 |
5.016 |
1 |
6 |
|
6 |
Компьютерный |
2.406 |
1.689 |
|
0.1604 |
5.118 |
0.978 |
5.856 |
|
6.113 |
4. Расчет по сигналу
Этот расчет также проведем при помощи программы Fastmean. Чтобы определить свойства усилителя по сигналу, необходимо составить эквивалентную схему усилителя для переменного тока.
Учитывая, что сопротивление источника питания 0 переменному току равно нулю, на эквивалентной схеме его выводы можно замкнуть накоротко, а сам источник удалить. После этой операции верхние выводы резисторов R2, R3, R5, R7, R10 (рис.1) оказываются на переменном токе соединенными с общим проводом. Коллектор транзистора V3 также соединяется с общим проводом. Далее нужно элементы схемы V1, V2, V3, V4 и AD1 заменить их эквивалентными моделями на переменном токе. Источником сигнала является фототок Im1 диода V1. Сопротивление фотодиода на переменном токе определяется касательной к вольтамперной характеристике в точке А. Вследствие того, что приращение напряжения измеряется в вольтах, а приращение тока в долях микроампера, сопротивление фотодиода переменному току Д = ∆ /∆ оказывается значительно больше, чем сопротивление постоянному току Д , и Д достигает 80…100 МОм. Это дает право рассматривать источник сигнала как генератор тока. Чрезвычайно большое сопротивление Д учитывать в эквивалентной схеме необходимости нет, остается учесть лишь ёмкость фотодиода Д (рис.8, а). На рис.8,б изображена эквивалентная схема фотодиода по переменному току с учетом его цепей питания.
15
Рисунок 8. Модель фотодиода на переменном токе (а) и эквивалентная схема входной цепи (б)
На эквивалентной схеме полевой транзистор заменяем активным четырехполюсником типа ИТУН - источник тока, управляемый напряжением (рис.9,а). Это значит, что выходной ток (ток стока ic) управляется входным напряжением (затвор-исток UЗИ ), т.е.
= − ∙ ЗИ = −9 10−3 ∙ (−1) = 9 мА
В данной модели СЗИ − емкость затвор-исток транзистора, пФ, СЗС − проходная емкость, емкость перехода затвор-сток, пФ. Величина этих ёмкостей дается в справочниках по транзисторам. S – крутизна в точке покоя, мА/В. Сопротивление перехода затвор-исток ЗИ очень велико.
Рисунок 9. Эквивалентная модель транзисторов по сигналу: а) полевого – V2 (ИТУН);
б) биполярного – V3 (ИТУТ)
Биполярные транзисторы V3 и V4 заменяем каждый активным
четырехполюсником типа ИТУТ (источник тока, управляемый током, |
рис. |
|||||
9, б). |
|
|
|
|
|
|
В этой модели б’б − объёмное |
сопротивление базового слоя, Ом. |
|||||
Находим его из выражения |
= |
к |
. С |
к |
− ёмкость коллекторного перехода, |
|
|
||||||
б’б |
|
Ск |
|
|
пФ, приводится в справочниках.
кб’б = Ск = 37.5 Ом = 16 = 18
Сопротивление перехода база-эмиттера это б’э, Ом, вычисляется так:
|
= (1 + |
|
) ∙ |
25 10−3 |
, |
21 |
|
||||
б’э |
|
|
к |
||
|
|
|
|
16
где 21 − коэффициент усиления по току транзистора, включённого по схеме с общим эмиттером (ОЭ).
б’э,3 = (1 + 21) ∙ |
25 10−3 |
|
|
= 1586 Ом = 17 |
|
|
||
|
к |
|
б’э,4 = (1 + 21) ∙ |
25 10−3 |
|
|
= 1322 Ом = 19 |
|
|
||
|
к |
Ёмкость перехода база-эмиттер б’э, пФ, вычисляется по выражению:
21
б’э = 2 Т б’э ,
где Т – частота единичного усиления из справочника.
21
б’э3 = 2 б’э,3 = 105.8 пФ
21
б’э4 = 2 б’э,4 = 126.9 пФ
Рисунок 10. Схема для определения частотных характеристик ОУ без ОС
АЧХ (без ОС)
17
ФЧХ (без ОС)
R1 |
R2 |
|
R3 |
|
R4 |
|
R5 |
|
|
R6 |
|
R7 |
|
|
R8 |
|
|
R9 |
|
R10 |
R11 |
|||||||||
МОм |
МОм |
|
кОм |
|
кОм |
|
Ом |
|
|
Ом |
|
кОм |
|
|
кОм |
|
|
Ом |
|
Ом |
Ом |
|||||||||
1 |
2 |
|
36 |
|
3.9 |
|
820 |
|
|
560 |
|
43 |
|
|
15 |
|
|
330 |
|
680 |
160 |
|||||||||
R12 |
R13 |
|
R14 |
|
R15 |
|
R16 |
|
|
R17 |
|
R18 |
|
|
R19 |
|
R20 |
|
R21 |
R22 |
||||||||||
кОм |
кОм |
|
кОм |
|
кОм |
|
Ом |
|
|
кОм |
|
Ом |
|
|
кОм |
|
кОм |
|
кОм |
кОм |
||||||||||
3.3 |
3.3 |
|
5.1 |
|
1.8 |
|
37.5 |
|
|
1.59 |
|
37.5 |
|
|
1.32 |
|
|
1 |
|
1 |
3 |
|||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
C1 |
|
C2 |
|
C3 |
|
C4 |
|
|
C5 |
|
C6 |
|
|
C7 |
|
|
C8 |
|
С9 |
|
|||||||||
|
мкФ |
|
мкФ |
|
мкФ |
мкФ |
|
|
мкФ |
мкФ |
мкФ |
|
мкФ |
|
пФ |
|
||||||||||||||
|
5 |
|
5 |
|
5 |
|
5 |
|
|
|
5 |
|
5 |
|
|
5 |
|
|
5 |
|
1 |
|
||||||||
|
|
|
C10 |
|
C11 |
|
C12 |
|
C13 |
|
C14 |
|
C15 |
|
C16 |
|
|
C17 |
|
|
|
|||||||||
|
|
|
пФ |
|
пФ |
|
пФ |
|
пФ |
|
|
пФ |
|
пФ |
|
нФ |
|
|
пФ |
|
|
|
||||||||
|
|
|
5 |
|
1.5 |
|
105.8 |
|
8 |
|
126.9 |
|
8 |
|
0.236 |
|
0.398 |
|
|
Соединив модели активных элементов согласно принципиальной схеме (рис.1), получаем эквивалентную схему усилителя по сигналу для всех диапазонов частот (рис. 10). Номера внешних резисторов R1-R15 и конденсаторов C1-C8 этой схеме соответствуют номерам резисторов и конденсаторов принципиальной схемы (рис. 1).
18
Рисунок. 11. Полная эквивалентная схема усилителя
19
Остаются неизвестными значения резисторов R14 и R15, поскольку не определён коэффициент усиления каскада на ОУ = 21/ 13. Напряжение21 = 2 , задано в табл. 3. Напряжение 13 определяем, активировав клавишу « переходный процесс», установив предварительно в источнике сигнала ток m1 = 1 мкА и среднюю частоту заданного диапазона f = 100 кГц.
Искомый коэффициент усиления будет:
К = 1.41 ∙ |
2 |
= 1.41 ∙ |
2.5 |
= 1.34 |
|
|
|||
|
13 |
2.63 |
||
|
Отсюда:
15 1.7 10314 = К − 1 = 1.34 − 1 = 4.996 кОм,
где 15 = 12/2 = 1.7 кОм.
В соответствии с номинальным рядом получаем:
R14 = 1.8 кОм, R15 = 5.1 кОм
Теперь можно определить частотные свойства всего усилителя с помощью Fastmean. Придав элементам схемы рис. 10 соответствующие значения можно определить зависимость сопротивления передачи от частоты( ) = ВЫХ/ 1. Для этого в диалоговом окне набираем (21)/ 1. В связи с тем, что исследуемая функция не безразмерная, представлять её в децибелах, как коэффициент усиления, нельзя. Шкалы по X и Y устанавливаем логарифмическими.
20