Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Фкс лаба 5.docx
Скачиваний:
55
Добавлен:
08.02.2019
Размер:
88.79 Кб
Скачать

МИНОБРНАУКИ РОССИИ

Санкт-Петербургский государственный

электротехнический университет

«ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина)

Кафедра КЭОП

отчет

по лабораторной работе №1

по дисциплине «Физика конденсированного состояния»

Тема: ИССЛЕДОВАНИЕ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ И СТРУКТУР НА ИХ ОСНОВЕ

Студент гр. 5209

Хабибулин А.Р.

Дерий И.

Преподаватель

Гульков В.Н.

Санкт-Петербург

2018

Описание установки

Вольт-амперные и световые характеристики исследуют с помощью схемы, приведенной на рис. 5.2, где G2 – регулируемый источник постоянного напряжения, PV – вольтметр для измерения напряжения на фоторезисторе; РА2 – микроамперметр для измерения фототока. Световой поток, падающий на фоторезистор, определяется током, протекающим через светодиод и измеряемым миллиамперметром РА1. Регулировка тока через светодиод осуществляется с помощью потенциометра источника тока G1. Зависимость светового потока, падающего на фоторезистор, от тока светодиода приведена на рис. 5.3.

Рис.1. Схема для исследования вольт-амперных и световых

характеристик фоторезистора

Рис. 2. Зависимость излучаемого светового потока от значения

тока через светодиод

Измерение постоянных времени фронтов нарастания н и спада сп фототока производится с помощью схемы, приведенной на рис. 5.4. Подавая на светодиод импульс тока с генератора G3 (Г5-26), мы получаем модулированное оптическое излучение, воздействующее на фоторезистор. Импульс фототока фоторезистора с сопротивления R1, которое по своему значению много меньше сопротивления освещенного фоторезистора, поступает на один из входов двухканального осциллографа. На другой вход осциллографа подается импульс напряжения с генератора G3.

Рис. 3. Схема для измерения времени нарастания н и времени

спада сп импульса фототока исследуемого фоторезистора

Схемы для исследования вольт-амперных, световых и нагрузочных характеристик фотодиодов, а также для измерения их параметров, характеризующих инерционность фотоотклика, аналогичны схемам для исследования соответствующих характеристик фоторезистора. Отличие заключается лишь в том, что в цепи фотодиода вместо сопротивления R1 включен магазин сопротивлений нагрузки Rн.

Обработка результатов эксперимента.

  1. Вольт-амперные и световая характеристики фоторезистора.

Imax=

Таблица 1

U,В

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

I,мкА

0

0,1

0,3

0,5

0,7

1,2

1,6

2

2,5

2,8

3,3

Imax=

80мА

Таблица 2

U,В

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

I,мкА

0

16,8

90

210

330

460

610

750

940

1100

1250

Imax=

20мА

Таблица 3

U,В

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

I,мкА

0

20

50

90

140

210

260

310

380

450

510

Рис. 4. Вольта-амперные характеристики фоторезистора

Таблица 4

Icв,мА

0

10

20

30

40

50

60

70

80

90

Iф,мА

0

0,27

0,48

0,65

0,81

0,92

1,05

1,15

1,3

1,37

Ф,мВт

0

0,3

0,45

0,8

1

1,2

1,45

1,62

1,85

2,2

Рис. 5. Световая характеристика светодиода при постоянном напряжении U=10 B

  1. Расчет кратности изменения сопротивления фоторезистора при 10 в.

N = Rт/Rосв = Iосв/Iт=1250/3,3=379

  1. Определение параметров а и X фоторезистора:

При линейной аппроксимации Iф = Аx получились значения X=1 A=0.8.

  1. Построение вольт-амперных, световой и нагрузочной характеристик фотодиода.

Таблица 5

Imax=

U,В

I,мА

-10

-0,2

-9

-0,2

-8

-0,2

-7

-0,2

-6

-0,2

-5

-0,2

-4

-0,2

-3

-0,2

-2

-0,2

-1

-0,2

0

0

0,1

0

0,2

0

0,3

0

0,4

0,31

0,5

1

0,6

1,8

0,7

3,12

0,8

4,04

0,9

5,4

1

6,9

Таблица 6

Imax= 80мА

U,В

I,мА

-10

-2,37

-9

-2,36

-8

-2,35

-7

-2,34

-6

-2,33

-5

-2,31

-4

-2,29

-3

-2,28

-2

-2,25

-1

-2,22

0

-2,12

0,1

-1,59

0,2

0,07

0,4

0,12

0,5

1

0,6

2,43

0,7

3,45

0,8

6,08

0,9

7,72

1

10,48

Таблица 7

Imax=

40мА

U,В

I,мА

-10

-1,26

-9

-1,26

-8

-1,25

-7

-1,24

-6

-1,23

-5

-1,22

-4

-1,21

-3

-1,21

-2

-1,2

-1

-1,18

0

-1,16

0,1

-1,14

0,2

-1,14

0,3

-1,14

0,4

-1,14

0,5

1,05

0,6

2,47

0,7

3,98

0,8

5,55

0,9

7,71

1

10,9

Рис. 6. Вольт-амперные характеристики фотодиода

Rн=

10кОм

Таблица 8

U=

Iсд,мА

0

10

20

30

40

50

60

70

80

90

Iф,мА

0

-0,26

-0,55

-0,86

-1,11

-1,31

-1,43

-1,51

-1,58

-1,62

Ф,мВт

0

0,3

0,45

0,8

1

1,2

1,45

1,62

1,85

2,2

S

 

-0,87

-1,22

-1,08

-1,11

-1,09

-0,99

-0,93

-0,85

-0,74

U=-10В

Таблица 9

Iсд,мА

0

10

20

30

40

50

60

70

80

90

Iф,мА

0

-0,28

-0,58

-0,86

-0,96

-0,96

-0,96

-0,96

-0,96

-0,97

Ф,мВт

0

0,3

0,45

0,8

1

1,2

1,45

1,62

1,85

2,2

S

 

-0,93

-1,29

-1,08

-0,96

-0,80

-0,66

-0,59

-0,52

-0,44


Рис. 7. Световая характеристика фотодиода.

Imax=

80мА

Таблица10

R,кОм

0

0,075

3

10

20

I,мА

-2,2

-1,71

-0,1

-0,02

0

U,В

-0,0022

-0,12825

-0,3

-0,2

0

P,мВт

0,00

0,22

0,03

0,00

0,00

Рис. 8. Нагрузочная характеристика фотодиода

Соседние файлы в предмете Физика конденсированного состояния