Скачиваний:
33
Добавлен:
08.02.2019
Размер:
510.17 Кб
Скачать

МИНОБРНАУКИ РОССИИ

Санкт-Петербургский государственный

электротехнический университет

«ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина)

Кафедра микро- и наноэлектроники

отчет

по лабораторной работе №2

по дисциплине «ФХОТ изделий электроники и наноэлектроники»

Тема: Моделирование диаграмм состояния с ограниченной растворимостью компонентов(полупроводник-примесь)

Студенты гр. 4209

__________________ Хабибулин А.Р.

Перякин И.В.

Преподаватель

Максимов А.И.

Санкт-Петербург

2016

Цель работы.

Изучение фазовых равновесий в бинарной системе полупроводник

(Si, Ge)-примесь методом компьютерного моделирования; расчет параметров межатомного взаимодействия; выбор моделей растворов, адекватно описывающих экспериментальные Т-х-диаграммы состояния; расчет спинодалей и определение областей устойчивого и метастабильного состояний твердых растворов в заданной системе.

Экспериментальные результаты и исходные данные:

Таблица 1. Координаты точек линий ликвидуса для системы Si-Al для построения Т-х проекции фазовой диаграммы состояния

T, К

XlB, мол. доли

1598

0,15

1473

0,35

1348

0,5

1223

0,62

1098

0,72

973

0,8

Температуры плавления:

Энтальпии плавления:

Точка эвтектики:

Tэвт = 850 К

Xbэвт = 0,88

Период решетки:

a = 0,5428 нм

Рис. 1. Полученные диаграммы состояния и подобранные значения оптимальных параметров взаимодействия в твёрдом и жидком растворах.системы Si-Al

Wlопт = -12126 Дж/моль

Wsопт = 35504 Дж/моль

Обработка результатов эксперимента:

  1. Приведены T-x-проекции (в обычном и полулогарифмическом масштабах) исследованной диаграммы состояния на рисунках 1, 2 соответственно. Указаны подобранные оптимальные параметры межатомного взаимодействия в твёрдом и жидком растворах.

Рис. 2. Линия солидуса для системы Si-Al в обычном масштабе

Wlопт = -12126 Дж/моль

Wsопт = 35504 Дж/моль

Рис. 3. Линия солидуса для системы Si-Al в логарифмическом масштабе

  1. Сравнение линии ликвидуса, построенные в рамках моделей идеальных, регулярных и квазирегулярных растворов, с экспериментальной, приведенной на T-x-проекции.

T, К

1697

1603

1468

1338

1210

1095

985

850

Xbl, мол.

0

0,168

0,413

0,608

0,757

0,857

0,923

0,971

Рис. 4. Диаграмма состояния для линий ликвидуса, полученных через различные модели.

Исходя из графика, видно, что для наиболее точного описания экспериментально полученной линии ликвидуса, подходят две модели растворов: регулярный и квазирегулярный. Идеальный отличается от экспериментальной линии ликвидуса, т.к. не учитывает межатомных взаимодействий в растворе.

  1. Рассчитаем и построим концентрационные зависимости коэффициентов активностей компонентов в твердом растворе при Т=( Тпл(А) + Тэвт)/2 в пределах области растворимости, а также жидком растворе во всем диапозоне составов от х=0 до 1 при Т=Тпл(А). На тех же рисунках построены зависимости, соответствующие модели идеального раствора.

    1. Коэффициенты активности компонентов в твердом растворе при

Т=(Тпл(А)эвт)/2 в пределах области растворимости представлены в таблице1. Т=( Тпл(А) + Тэвт)/2=1267,5 K

Lnγi=W(1-xi)2/(RT), где Wsopt= 35504 Дж/моль

На рисунках 5 и 6 представлены концентрационные зависмости коэффициентов активностей компонентов в твердом растворе в пределах области растворимости.

Рис. 5. Концентрационные зависимости коэффициентов активностей компонентов в твердом растворе в пределах области растворимости.

Рис. 6. Концентрационные зависимости коэффициентов активностей компонентов в твердом растворе в пределах области растворимости.

На рисунках 7, 8 представлены концентрационные зависимости активностей компонентов В и А в твердом растворе в пределах области растворимости соответственно.

Рис. 7. Концентрационная зависимость активности компонента Si в твердом растворе в пределах области растворимости.

Рис. 8. Концентрационная зависимость активности компонента Al в твердом растворе в пределах области растворимости.

    1. . Коэффициенты активностей компонентов в жидком растворе во всем диапозоне составов от х=0 до 1 при Т=Тпл(А)=1685 К

Lnγi=W(1-xi)2/(RT), где Wlopt=-12126 Дж/моль

Таблица 2

x

yB

aB

0

0,347359

0

0,1

0,42465

0,042464984

0,2

0,508275

0,101654952

0,3

0,595637

0,178691112

0,4

0,683409

0,273363434

0,5

0,767706

0,383852831

0,6

0,844354

0,506612482

0,7

0,909222

0,636455652

0,8

0,958586

0,766868936

0,9

0,989482

0,890533578

1

1

1

Таблица 3

x

yA

aA

0

1

1

0,1

0,989482

0,890534

0,2

0,958586

0,766869

0,3

0,909222

0,636456

0,4

0,844354

0,506612

0,5

0,767706

0,383853

0,6

0,683409

0,273363

0,7

0,595637

0,178691

0,8

0,508275

0,101655

0,9

0,42465

0,042465

1

0,347359

0

Рис. 9. Концентрационные зависимости коэффициентов активностей компонентов в жидком растворе во всем диапозоне составов от х=0 до 1

Рис. 10. Концентрационные зависимости активностей компонентов в жидком растворе во всем диапозоне составов от х=0 до 1

  1. Расчёт равновесного коэффициента распределения компонента В (примесь) при Т=( Тпл(А) + Тэвт)/2:

Используя Т-х проекцию диаграммы состояния, при данной температуре определим состав:

Т=( Тпл(А) + Тэвт)/2=1267,5 K

Используя Т-х проекцию диаграммы состояния, при данной температуре определим состав:

lg(Хbs )= -2

Хbl =0.55

Хbs =0.01

  1. Построим спинодали при температурах от Ткомн до Тпл(А).

Таблица 3

T, K

298

300

400

500

600

700

800

900

1000

1100

1200

1685

Xc1

1,09

1,09

1,12

1,15

1,17

1,20

1,22

1,25

1,27

1,29

1,31

1,41

Xc2

0,04

0,04

0,05

0,06

0,08

0,09

0,10

0,12

0,14

0,15

0,17

0,27

Рис. 11. Линии спинодалей в диапазоне темпертатур от до .

Рис. 11. Линии спинодалей в диапазоне темпертатур от до .

Вывод: в ходе работы были проанализированы диаграммы состояния и подобранны значения оптимальных параметров взаимодействия в твёрдом и жидком растворах, произведен расчет линии ликвидуса для модели идеального раствора и ее сравнения с экспериментальной. Можно сделать вывод, что для описания линии ликвидуса подходят модели квазирегулярного и регулярного раствора. Также расчёт и построение концентрационных зависимостей активностей и коэффициентов активностей компонентов в твёрдом растворе при /2 в пределах области растворимости и в жидком растворе во всём диапазоне составов от х=0 до 1 при .

Соседние файлы в предмете Физико-химические основы технологии материалов электронной техники
  • #
    08.02.20192.23 Mб351.docx
  • #
    08.02.2019254.05 Кб1111.xmcd
  • #
    08.02.201987.57 Кб17123.xlsx
  • #
    08.02.201998.04 Кб151234.docx
  • #
    08.02.201928.01 Кб212 (Автосохраненный).xlsx
  • #
    08.02.2019510.17 Кб332.docx
  • #
    08.02.201931.88 Кб412.xlsx
  • #
    08.02.201915.19 Кб252_Sa.xlsx
  • #
    08.02.201942.02 Кб28.xlsx
  • #
    08.02.20191.46 Mб14fkhot_2.docx
  • #
    08.02.201915.5 Кб8Gm.xlsx