Вопросы по ФОЭ / Вопросы к экзамену по курсу ФОЭ

Вопросы к экзамену по курсу

«Физические основы электроника»

(для специальностей ЭМ и ЭЛА)

1. Этапы развития электроники.

2. Полупроводники и полупроводниковые приборы. Общие сведения.

3. Физические процессы в полупроводнике.

4. Концентрация основных и неосновных носителей в собственных полупроводниках.

5. Метод расчета концентраций носителей заряда. Распределения Ферми-Дирака

и Максвелла-Больцмана.

6. Условие электрической нейтральности. Концентрация основных и неосновных носителей в примесных полупроводниках.

7. Неравновесная и избыточная концентрация носителей заряда.

8. Плотность тока в полупроводнике.

9. Электрические переходы. Структура и образование р-п-перехода.

10. Энергетическая диаграмма p-n-перехода в состоянии равновесия. Формула для контактной разности потенциалов.

11. Потенциальный барьер, толщина и энергетические диаграммы

р-п-перехода.

12. Вольт-амперная характеристика идеализированного р-п-перехода.

13. Вольт-амперная характеристика реального р-п-перехода.

14. Лавинный и туннельный пробой р-п-перехода.

15. Поверхностный пробой (ток утечки) и тепловой пробой р-п-перехода.

16. Параметры и модель р-п-перехода в динамическом режиме.

17. Барьерная емкость р-п-перехода.

18. Диффузная емкость р-п-перехода.

19. Переходные процессы в p-n-переходе при скачкообразном изменении полярности напряжения.

20. Контакты межу полупроводниками одного типа проводимости. Омические контакты.

21. Контакт между собственным и примесным полупроводником. PIN-детекторы.

22. Контакты между полупроводниками разных типов проводимости.

23. Контакт металл-полупроводник. Гетеропереходы.

24. Классификация диодов. Выпрямительные диоды.

25. Стабилитроны и стабисторы. Варикапы.

26. Универсальные и импульсные диоды.

27. Туннельные и обращенные диоды.

28. Светодиоды. Фотодиоды.

29. Биполярные транзисторы. Общие сведения, структура, режимы работы, схемы включения.

30. Физические процессы в бездрейфовом транзисторе.

31. Влияние режимов работы биполярного транзистора на токи электродов в бездрейфовом транзисторе.

32. Электрическая модель биполярного транзистора в статическом режиме (модель Эберса-Молла)

33. Статические характеристики биполярных транзисторов для схемы с общей базой.

34. Статические характеристики биполярных транзисторов для схемы с общим эмиттером.

35. Влияние температуры на статические характеристики биполярного транзистора.

36. Дифференциальные параметры биполярного транзистора в статическом режиме.

37. Графоаналитическое рассмотрение биполярного транзистора в усилительном каскаде при большом сигнале.

38. Модели биполярного транзистора.

39. Работа биполярного транзистора в ключевом режиме.

40. Повышение быстродействия ключевых схем. Транзистор Шоттки.

41. Ненасыщенные ключи.

42. Полевые транзисторы. Общие сведения.

4З. Полевой транзистор с управляющим р-п-переходом. Устройство и принцип действия.

44. МДП-транзистор. Устройство и принцип действия.

45. Статические характеристики полевого транзистора с изолированным затвором.

46. Параметры МДП-транзисторов.

47. Тиристоры. Принцип действия и область применения.

48. Вольт-амперная характеристика динистора.

49. Тринистор и симистор.

50. МНОП транзисторы. Транзисторы с плавающим затвором.

51. IGBT транзисторы.

52. Принцип электростатического управления электронным током. Вакуумный диод.

53. Развитие электронных ламп, их классификация и особенности.

54. Характеристики электронных ламп. Диод и триод

55. Особенности тетродов и пентодов. Общие сведения, область применения.

56. Электронно-лучевые приборы. Классификация. Основные типы ЭЛТ.

57. Электросветовые приборы.

58. Оптоэлектронные индикаторы. Классификация. Активные и пассивные индикаторы.

59. Фотоэлектрические приборы. Электровакуумные и полупроводниковые фотоэлектрические приборы.

60. Лавинно-пролетные диоды. Общие сведения, параметры и область применения.

61. Диоды Ганна. Общие сведения, параметры и область применения.

62. Функциональная электроника. Элементы функциональной электроники на поверхностных акустических волнах. Общие сведения и принцип действия.

63. Элементы функциональной электроники на приборах с зарядовой связью. Общие сведения и принцип действия.

64. Эффект Холла. Приборы на основе эффекта Холла.

65. Интегральные микросхемы. Общие сведения. Классификация.

66. Аналоговые интегральные схемы. Операционные усилители.

67. Цифровые интегральные схемы. Различные технологии ЦИС.

68. Гибридные интегральные схемы. Технология изготовления элементов.

69. Микропроцессоры. Основные сведения. Перспективы развития.

70. Транзисторы. Классификация. Технология изготовления.

71. Основные свойства полупроводников. Зонная теория.

72. Влияние температуры на свойства полупроводника и р-п перехода.

73. Подвижность носителей заряда в полупроводниках.

74. Развитие технологии изготовления полупроводниковых приборов.

75. Базовые элементы логических микросхем разных типов.

76. Устройства отображения информации на жидких кристаллах

77. Газоразрядные индикаторы. Плазменные дисплеи.