книги / Микрополосковые излучающие и резонансные устройства
..pdfнии питания смещены относительно центров щелей для получения требуемых амплитудных распределений в АР. Свободные концы линий нагружены на согласующие нагрузки.
Двухслойная конструкция АР на основе одной протяженной щели 1 показана на рис. 15, ж. АР синфазно возбуждается зигзаго образной ПЛ 2. Такие антенны можно объединять для получения двухмерных АР.
|
|
|
|
п |
а |
|
|
||
|
|
д |
|
|
|
|
|
|
|
D |
О |
□ |
□ |
|
|
|
|
|
|
|
|
ж |
|
s# |
=g s= |
f l = |
p |
a^ |
|
Рис. |
16. Печатные полосковые и микрополосковые АР: |
|
|
||||||
а — полосковая |
резонаторная антенна («сандвич»); |
б —* узкий |
печатный ЭИ; |
в — пе |
|||||
чатный ЭИ круговой |
поляризации; г — широкий |
печатный |
ЭИ с |
линией |
питания |
||||
и согласующим |
односекцнонным трансформатором; |
д — з — АР |
с электромагнит |
||||||
|
|
|
ной связью |
|
|
|
|
|
|
Печатные резонаторные АР обычно представляют собой двух слойные конструкции, в которых ЭИ расположены на расстоянии Я/4 от экрана (рис. 16, а). Объединение таких АР в двухмерные обес печивает ДН с уровнем боковых лепестков — 25 дБ в полосе частот 40 % [271. Изменяя форму и амплитуду изгибов ЭИ (синусоидаль ная, трапециевидная, прямоугольная и др.), можно оптимизировать распределение тока и получать АР с уровнем боковых лепесткоь меньшим — 35 дБ [88].
Микрополосковые АР можно получить из любого ЭИ (см. рис. 3h 13, 14). По способу объединения ЭИ АР бывают с электромагнит ной и гальванической связями между ЭИ и линиями возбуждения.
При этом схема питания может быть последовательной или парал лельной. АР можно строить на основе узких или широких ЭИ. На
рис. |
16, б — |
г показаны |
конструкции таких ЭИ. Узкий |
печатный |
|
ЭИ |
с длиной |
плеча I = |
пХ/2, п = 1, 2, ...» |
показан на рис. 16, б. |
|
При толщине d = Я./80 он обладает полосой |
пропускания |
не более |
1 %. Из таких ЭИ можно составить АР с круговой поляризацией из лучения (рис. 16, в). Полоса пропускания широкого ЭИ пропорци ональна его ширине w и толщине подложки d. АР из четырех ЭИ (рис. 16, г) при толщине подложки Я/30 имеет уровень боковых ле пестков — 11 дБ и полосу частот 1,5 % по КСВН ^ 2 [6].
Линейная АР из идентичных ЭИ с' последовательным питанием от общей МПЛ 1 и электромагнитной (негальванической) связью ЭИ и МПЛ показана на рис. 16, д. АР -с ветвящейся схемой питания (см. рис. 15, а) имеет дополнительные потери в металле и диэлектри ке, а также связанные с паразитным излучением с изгибов, сочле нений, взаимной связью между ЛП и ЭИ и т. д. Эти недостатки ве дут к снижению КПД и КНД АР, а также к росту кроссполяризационного излучения. Преимуществами АР с электромагнитной связью являются увеличенная полоса частот и простота изготовле ния [781.
Связь ПА и ЭИ может быть переменной по длине излучателя (рис. 16, е) или по длине антенны (рис. 16, ж) [6; 65]. В АР на рис. 16, енаправление вектора поляризации зависит от угла наклона ЭИ к оси МПЛ. Если излучатели расположить попарно на расстоя нии Х/4 в МПЛ и перпендикулярно друг к другу, то можно получить круговую поляризацию излучения [61. Линию питания (МПЛ или 1ДЛ) можно проложить под подложкой, на которой расположены ЭИ (рис. 16, з) [60]. При этом излучение происходит с краев каж дого ЭИ, которые можно рассматривать как пары синфазных щелей. Фазы токов в АР можно регулировать, меняя местоположение ЭИ,
а |
амплитуды — изменяя ширину ЭИ |
(в |
пределах, |
не выходящих |
||
за |
полосу пропускания). |
|
|
|
|
|
|
Характеристики АР с электромагнитной связью |
|
||||
|
Частота, ГГц , |
|
10,8 |
|
8,55 |
5,83 |
|
П оляри зац и я ................ |
Линейная |
Линейная |
Круговая |
||
|
Ширина полосы частот, |
60(0,56 |
%) |
1400 |
350 (6 %) |
|
|
МГц (по критерию |
КСВН) |
||||
|
Коэффициент усиления дБ |
14 |
|
(16,4 %) |
3 |
|
|
|
9 |
||||
|
Ширина луча, ° |
. . . . |
13x90 |
|
60X60 |
100 |
|
Уровень боковых |
лепестков, |
— 15 |
|
—26 |
—15 |
|
д Б ........................ |
|
|
|||
|
Число излучателей |
1X7 |
|
5X3 |
2X2 |
|
|
Диэлектрическая проницае |
6 |
|
2,23 |
2,23 |
|
|
мость подложки . |
|
|
|||
|
Толщина подложки, мм |
1,27 |
|
1,57 |
1,57 |
|
|
Площадь, мм2 . . . . |
15x120 |
30X30 |
40x55 |
Расширить полосу пропускания ПА можно различными спосо бами. ПА на основе спиральной излучающей структуры имеет по лосу 40 % при КПД около 50 %. Многорезонаторные ПА имеют по лосу частот 18 % при КПД 80 %, но толщина плоской антенны при этом увеличивается более чем в 2 раза [601.
В ПА, изображенной на рис. 16, з, размеры ЭИ и расстояния между ними изменяются по логопериодическому закону. На опреде ленной частоте возбуждаются и излучают только несколько ЭИ, находящиеся в активной зоне АР. При изменении частоты активная
зона |
перемещается |
вдоль |
антенны (ср. ЭИ, показанный на рис. 14, |
а, в |
нем активная |
зона |
с уменьшением частоты захватывает зсе |
Рис. 17. АР с гальванической связью:
а •—односторонняя решетка излучателей; 6 — двусторонняя решетка излучателей; в —• чередующаяся решетка полосковых излучателей и линий питания; г — связь через наклоненное линии питания; д— легопгриоднческая АР
большее число полосок, «самонастраиваясь» на требуемую частоту). Логопериодическая 9-элементная АР обеспечивает К& >■ 6,5 дБ, КПД > 70 % при КСВН < 2,2. Полоса пропускания при этом составляет 30 %. Логопериодические излучающие структуры име ют большие возможности для получения широкой полосы пропуска ния. Ширина полосы частот у таких ПА зависит от однородности толщины подложки и точности изготовления ЭИ.
Несмотря на явные преимущества АР с последовательной элект ромагнитной связью, на практике широко применяют структуры с гальванической связью (рис. 17). Различают три вида связи в ли нейных АР: непосредственное соединение ЭИ с линией возбуждения (рис. 17, а, б), чередование ЭИ и отрезков ПЛ друг с другом (рис. 17, в) и подключение излучателей к ПЛ с помощью четверть волновых отрезков (рис. 17, а, б) [6; 38; 55; 65].
АР с гальванической связью ЭИ с ПЛ имеют большое число мо дификаций и вариантов, например «змейковые» структуры (по типу антенны «сандвич» — рис. 16, а), в которых используются разные формы «змеек»: синусоидальная, трапециевидная, прямоугольная и т. п. Изменяя амплитуду изгиба, можно регулировать распреде ление тока на антенне и оптимизировать ее характеристики. Так,
АР, рассмотренная в работе [88], имеет низкий уровень боковых лепестков (< —35 дБ). Значительное расширение полосы пропус кания можно получить в логопериодической АР (рис. 17, д). Коэф фициент перекрытия рабочего диапазона такой АР ^ 2. Следует отметить, что он меньше, чем у АР с электромагнитной связью (рис. 16, з).
Из линейных АР, показанных на рис. 17, составляют двухмер ные. На рис. 18, а изображена АР, построенная по принципу чере дования ЭИ и полуволновых отрезков ЛП и реализующая двух частотный режим работы. Такая АР из 4 X 4 элементов на частоте 9 ГГЦ имеет КУ « 17 дБ и ширину луча 18° по уровню половинной мощности, а на частоте 40 ГГц АР из 24 X 24 элементов имеет ши рину луча в Н-плоскости 3,5°, в Е-плоскости 26° и полосу частот
2 % по критерию КСВН < |
2 [6; 38; 641. |
|
построены |
для |
||||
Самые большие АР микрополоскового типа |
||||||||
РЛС с синтезированной апертурой в диапазоне |
1,275 ГГц |
[59]. |
||||||
Площадь первой антенны 10,74 X 2,16 м2, КУ « |
34,9 дБ, |
площадь |
||||||
второй антенны |
9,4 X 2,16 м2, К У « |
33,8 дБ. |
Антенны имеют |
|||||
1024 и 896 элементов соответственно. |
|
|
|
|
||||
|
|
|
Характеристики больших АР, |
|
|
|
||
|
|
|
работающих на частоте 1,275 ГГц |
|
|
|
||
Число элементов ....................................... |
|
1024 |
89G |
|
|
|||
Ширина |
полосы частот, |
МГц (по крите |
dbl 1 |
± 4 |
%) |
|
||
рию К С В Н )........................ |
|
|
(1,73 %) |
(0.63 |
|
|||
Коэффициент усиления, дБ , |
34,9 |
33,85 |
|
|
||||
К С В Н |
....................................... |
|
: |
|
1,5 |
1,5 |
|
|
Ширина луча, |
|
|
|
|
|
|||
в Е-плоскости |
, |
1,7 |
1,99 |
|
|
|||
в Н-плоскости .................... |
|
6,2 |
6,03 |
|
|
|||
Уровень кроссполяризационного |
—25,7 |
—31 |
|
|
||||
излучения, |
дБ |
................................ |
|
|
|
|||
Уровень |
боковых лепестков, дБ: |
—12,8 |
—18,4 |
|
|
|||
в Е-плоскости |
|
|
|
|||||
в Н-плоскости _ |
|
-17,1 |
-1 7 ,5 |
|
|
|||
Пиковая мощность,' кВт |
|
3 |
0,95 |
|
|
|||
Масса, кг |
, « « • « . |
|
103 |
184 |
|
|
На основе объединения линейных АР шлейфового типа (рис. 17, а) построена двухмерная синфазная АР из девяти подрешеток с девятью шлейфами каждая [64]. На частоте 17,2 ГГц антенна имеет КУ « 20 дБ, а уровень боковых лепестков в Е- и Н-плоскостях —
20дБ.
ВАР, показанной на рис, 18, б [10], расположение ЭИ эконом но по отношению к длине МПЛ и обеспечивает его компактное раз
мещение. При этом спадающее амплитудное распределение электро магнитного поля реализуется автоматически, поскольку питание подается в центр АР (отмечено жирной точкой на рис. 18, б). Дру гой отличительной характеристикой этой АР является большая гиб
кость в управлении шириной луча и уровнем боковых лепестков за счет изменения наклона питающих ПЛ.
|
|
|
Характеристики АН (рис. 18, б) |
|
||
Частота, ГГц . |
|
9,3 |
10,45 |
12.7 |
13,05 |
|
Ширина полосы |
|
|
|
|
|
|
частот, МГц (по кри- |
180 |
250 |
200 |
200 |
||
териюКСВН) . . |
|
(1,94 %) |
(2,39 %) |
(1.57 %) |
(1.53 %)’ |
|
Коэффициент уси |
|
|
|
|
|
|
ления, дБ . . . |
, |
25 |
16 |
22,5 |
15 |
|
Ширина луча, |
° |
|
9x9 |
28X16 |
8,5 x 9 ,5 |
30X26 |
Уровень боковых |
|
—27; |
—15 |
—23 |
—18; |
|
лепестков, дБ |
|
|
—19 |
—15 |
||
К С В Н ................... |
1,35 |
1,5 |
1.5 |
1.6 |
||
КГ1Д, % ................ |
80 |
90 |
50 |
80 |
||
Число элементов |
, |
16X16 |
6X4 |
24X24 |
4X4 |
|
Толщина, мм |
, |
1,59 |
1,59 |
1.4 |
1.4 |
|
Площадь, сма |
, |
, |
26,1x26,3 |
5,3X8,9 |
24.1X24,1 |
4 ,1X4.6 |
Недостаток АР с последовательным питанием ЭИ — узкополосность. От него можно избавиться (ценой снижения коэффициента использования поверхности раскрыва антенны вследствие громозд кости вспомогательных ПЛ и делителей мощности), если использо вать АР с параллельным равноплечным соединением ЭИ (рис. 18, в).
\
Рис. 18. Схема двухмернои АР;
а — двухчг.стотная из квадратных ЭИ; б — компактная; б — о параллель* ныи соединением ЭИ
АР состоит из двух линейных АР, сдвинутых друг относительно дру га на расстояние Х/4. ЭИ обеих решеток имеют длину X. Питание подводится с противоположных сторон, входы объединены [61.
Плоские микрополосковые АР можно составлять из щелевых ЭИ (рис. 3, м, 11, а, в и др.). Для квадратной щелевой АР с длиной стороны I и расстоянием между ЭИ У2 (в обоих направлениях) необ ходимо количество элементов N — (2/А,)2, а КУ = N КУ0.щ (без учета потерь); /СУ0.Щ— коэффициент усиления одиночной щели.
Ранее отмечалось, что увеличение размеров АР первоначально при водит к росту КУ, однако, достигнув некоторого максимума, он затем уменьшается. АР из 320 щелевых ЭИ, расположенных на рас стоянии V2 друг от друга, имеет КУ = 28 дБ. Дольфчебышевская решетка из 52 элементов с расстоянием между ними А/2 в обоих на
правлениях с уровнем боковых лепестков — 26 |
дБ |
имеет следующие |
||
параметры: КУ = 21 дБ, КПД = 45 %, |
КСВН < |
2,5 в 6%-й |
го |
|
лосе частот [59]. |
АР |
с неподвижной |
1; |
|
Рассмотрим частотно-избирательные |
ДН |
[10; 23; 43; 81]. Эти структуры, выполненные по печатной техноло гии, применяют в зеркальных антеннах в качестве частотно-изби рательных поверхностей (например, в обращенных антеннах Кассе грена для поворота плоскости поляризации поля и т. д.). Периоди ческие дифракционные структуры подробно исследованы в работах ПО; 23]. Различные ленточные и концентрические кольцевые струк туры, а также двухмерные образования из квадратных, дисковых, кольцевых, крестообразных и других элементов рассмотрены в ли тературе [43; 81]. Кроме перечисленных в антенной технике исполь зуют так называемые перфорированные экраны-системы, состоя щие из щелей разной формы (рис. 19). Известно, что в диапазоне углов падения 50° поверхность из квадратных рамок (рис. 19, б) в [режиме отражения имеет полосу частот 27 % и отношение частот передачи и отражения 3 : 1 [59]. Кольцевые решетки (рис. 19, г) •обладают приблизительно тем же отношением частот передачи и от ражения, что и квадратные, и имеют линейную поляризацию (ср. •с крестообразными вибраторами, в случае которых это непросто (43]). Правильно спроектированная решетка из крестообразных ЭИ обладает линейной и круговой поляризациями, имеет полосу
частот 4,3 % по критерию КСВН |
< 2,3 и сектор |
сканирования |
± 45° (коэффициент эллиптичности |
не хуже — 3 дБ; |
при секторе |
сканирования ± 27° коэффициент эллиптичности не хуже — 1 дБ). Уровень кроссполяризационного излучения — 25 дБ [43; 64].
Располагая такие структуры (рис. 19) на различном расстоянии друг от друга, можно создавать многочастотные избирательные системы с различными свойствами. Именно такие многослойные структуры (например, фильтры для пространственно-временной обработки СВЧ-сигнала) можно реализовать на объемных ИС.
В РЭА широко применяют сканирующие МП АР. В последние годы интенсивно развиваются электронные методы сканирования для гибкого управления ДН в пространстве. Например, с помощью 'фазирования антенных решеток (ФАР) можно создавать одновре менно большое число лучей с независимым управлением каждого из них. При этом существенно увеличивается скорость сканирова ния (по сравнению с механическими и электромеханическими систе мами), улучшается отношение сигнал/шум и др. В ПАР применяют методы фазового и частотного сканирования.
Рис. 19. Виды частот»о-избирательных поверхностей:
а — лук1очная решетка; б — ия квадратных рамок; в — концентрическая; г — из коль цевых рамок; д — из крестообразных элементов
Рис, 20. ФАР и диаграммообразующие устройства:
алинейная ФАР; б — ДОМ Пейджа; a — реалнаоция ДОМ Пейджа на ОИС
СВЧ; з -т ДОМ Боттлера; д — МП линза
Схема фазового сканирования ДИ в одномерной ФАР показана на рис. 20, а. ФАР имеет N каналов и индивидуальные фазовраща тели Ф£, где i = 1,2, N. Положение луча антенны, характери зуемое углом отклонения 0 от вертикального направления, является функцией фазового сдвига токов возбуждения на соседних ЭИ АР. Линейная решетка с эквидистантным расположением ЭИ и диффе
ренциальным фазовым сдвигом (5 между |
ними обеспечивает |
0 = |
= arcsin фк0/2лр), где р — расстояние |
между соседними |
ЭИ; |
Я0 — длина волны в свободном пространстве. Расстояние р опреде ляет положение боковых лепестков ДН и максимальный угол от клонения луча. При р >■ Х0/2 и больших отклонениях ДН могут возникать побочные дифракционные максимумы, сравнимые с ос новным лучом.
Первые МП ФАР возникли, по-видимому, в середине 80-х годов [6; 27; 38; 72]. Первая ФАР состояла из 4 X 4 элементов и работала на частоте 5 ГГц с линейной поляризацией излучения и дискретом
45° по фазе. Для 0 тах = |
60° применяли |
полуволновые ЭИ |
с d = |
|
= 0,54Я0; КУ составлял |
12—14 дБ |
[76; 82]. |
обзо |
|
Большой интерес представляют |
ФАР |
с полусферическим |
ром [59; 72]. ФАР, работающая на частоте 7,5 ГГц, имеет КУ « л? 20 дБ. Для управления ДН используют трехразрядные цифровые фазовращатели на p-i-n-диодах. Круговая поляризация излучения достигается применением дисковых ЭИ с квадратурным возбужде нием. Решетка состоит из 8 X 8 элементов.
Сдвиг фаз между ЭИ можно изменять, изменяя частоту возбуж дения. ПА с частотным сканированием легко реализуемы, посколь ку в качестве фазовращающих устройств при этом можно использо вать отрезки МПЛ. Этот способ сканирования наиболее удобен в одномерных АР. Однако он хорошо сочетается с фазовым способом сканирования в ортогональной плоскости. На основе частотного сканирования реализована АР на частоте 9,6 ГГц с шириной луча 0 = 10° [48]. АР состоит из 19 элементов и имеет угловой сектор сканирования ± 30° при изменении частоты в пределах ± 300 МГц.
В антенных устройствах широко применяют диаграммообразую щие матрицы (ДОМ), позволяющие по наперед заданному или не прерывно вырабатываемому системой закону, алгоритму (напри мер, в зависимости от электромагнитной обстановки) формировать многолучевые ДН, например, система провалов или нулей в ДН в «опасных» направлениях, что снижает уровень помех до необхо димых закритичных значений. Наибольшее распространение полу чили матрицы Баттлера, Бласса, Пейджа и др. [2; 44; 72; 77]. Схема ДОМ Пейджа показана на рис. 20, б. В ней формирование декретного набора фаз сигнала 0 — л на элементах АР реализу ется пересекающимися соединениями четырех синфазно-противо фазных гибридных мостов. Для нормального функционирования схемы необходимо выдерживать жесткие требования по разбалансу
-фаз (менее 5°) и амплитуд {не хуже ± 0,2 дБ). Перекрестная связь в коммутирующих переключателях должна быть не менее 30 дБ. До появления объемных ИС СВЧ реализовать ДОМ с такими пара метрами можно было только на закрытых волноведущих структу рах, но они имели низкие массогабаритные показатели.
ДОМ СВЧ — это сложные устройства, содержащие большое количество пересекающихся (без электрического контакта) ПЛ. Число ЭИ в АР может быть несколько тысяч. Коммутация такого количества элементов требует огромного числа пересекающихся линий передач, которое выполняется с помощью навесных перемы чек, отрезков соединительных кабелей, а также полосковых уст ройств, реализующих функции пересечения в ИС. Это увеличивает массу и габаритные размеры антенны, снижает надежность системы н ограничивает рабочую частоту [2; 71. Появление ОИС СВЧ позво лило в значительной мере разрешить эти проблемы. Применяя объемные ИС в схеме Пейджа, можно получить в сантиметровом диапазоне волн в полосе частот до 40 % потери менее 0,5 дБ, раз вязку каналов свыше 35 дБ и разбаланс фаз менее 2°. Объем и мас са ДОМ снизились в 80—120 раз [2]. Схема ДОМ Пейджа на ОИС показана на рис. 20, в. Имеются и многослойные ДОМ, например Баттлера. Для увеличения числа независимых каналов системы достаточно выполнить простую композицию ячеек в плоскости или пространстве *.
При этом ДОМ можно наращивать каналами обработки сигна лов: входными полосовыми фильтрами, усилителями и т. д., что позволяет осуществить переход к единому антенному модулю. На рис. 20, г, д, показаны две схемы ДОМ Баттлера и так называемой МП линзы, предназначенной для формирования нескольких лучей. В частности, для диапазона 8—12 ГГц (8, 10, 12 ГГц) сконструиро вана МП линза на подложке с размерами 20 X 25 см2 (в = 10,5). Для формирования каждого луча (при сканировании в пределах
± 30°) используется пара соседних входов. Общие потери составля ют от 2,6 до 5 дБ (в зависимости от частоты и номера входа). Уро вень боковых лепестков 20 дБ [6; 81; 82].
Основные преимущества полосковых АР с электрическим управ лением ДН:
возможность получения требуемых апертурных распределений поля при электрическом управлении амплитудой и фазой возбужде ния каждого ЭИ в отдельности;
* Поскольку ДОМ представляет собой структуру в несколькими входами и выходами, коммутируемыми по заданной программе, то в объемном интегральном исполнении такая структура может выполнять функции ячейки, предназначенной для обработки информации на СВЧ. Достоинство — отсутствие вертикальных гальванических проводников, являющихся «бичом» нескольких поколений ЦЭВМ
[2; 7], '
достаточно простая реализация электрического сканирования луча, что позволяет достичь высокой разрешающей способности по угловым координатам;
многофункциональный режим работы: одновременное формиро вание нескольких лучей в пространстве и независимое управление ими, что при большой скорости обзора позволяет получать и обра батывать (с принятием решения) данные в реальном времени;
работа на высоких пиковых и средних мощностях; простое и надежное сопряжение с ЦЭВМ и АЭВМ для управле
ния ДН и отдельными лучами по заданному алгоритму с учетом ре альной обстановки, обнаружения и исправления (или сигнализации) повреждений и т. д.
К недостаткам АР с электрическим управлением ДН относятся: влияние на функционирование АР параметров ЭИ и относящих ся к ним фильтров, делителей мощности, фазовращателей и т. д.; ограничения на углы сканирования и неполное перекрытие про
странства; это связано с «ослеплением» АР вследствие взаимных свя зей между ЭИ и искажениями амплитудно-фазовых распределений на раскрыве при сканировании [23];
зависимость апертурных распределений от окружающих усло вий;
высокая стоимость вследствие большого числа ЭИ и сложность в эксплуатации и ремонте.
Объемные антенные модули. Сочетание в одном узле разнотип ных ЛП дает большие возможности проектировщику для создания оптимальной конструкции функционального БЭ (например, по электродинамическим, технологическим, массогабаритным, радиа ционным и другим параметрам).
Поэтому естественным представляется переход в конструирова нии и проектировании резонансных устройств (РУ) и, в частности,. ФАР в виде антенного модуля, содержащего собственно антенну, ДОМ, фильтры, делители и ответвители каналов, фазовращатели и т. п.
ч- В антеннах давно начали применять узлы, совмещающие раз личные функции, например, в ФАР часто совмещаются ЭИ и фазо вращатель. Имеются и более сложные композиционные структуры.
Например, подрешетка, рассмотренная в работе |
[72], состоит из |
2 X 16 элементов. Такая конструкция называется |
многоканальной, |
или многоэтажной. Антенна предназначена для работы на частоте 960 МГц. ЭИ расположены на расстоянии Я/2 друг от друга. Пита ние равноамплитудное с помощью 16-канального полоскового делиделя мощности. Сканирование в секторе ± 60° обеспечивается че тырехразрядными фазовращателями (КУ& 16 дБ, уровень боко вых лепестков — 13 дБ).
Объединение в одном модуле различных элементов (полосковых, волноводных, резонансных и т. п.) приводит к удобной и легкой ,кон-‘