книги / Транзисторы

Транзисторы германиевые р-п-р

сплавные низкочастотные МП42—МП42Б

А. Общие и конструктивные данные

/. О сн овн ое н а з н а ч е н и е

Применение в переключающих схемах радиотехнической аппа­ ратуры и аппаратуры связи широкого применения.

2. Г а б а р и т н ы й ч ер т еж

Эмиттер

Вывод базы электрически соединен с корпусом транзистора.

		3 . К о н с т р у к т и в н ы е д а н н ы е
Еес транзистора		(макс.)		2 г
Высота	корпуса	(макс.)	5.6м м
Диаметр	корпуса	(макс.)	12	»
Длина выводов		(мин.)	40	»
Диаметр	выводов (мин.)		0,5	*

Транзистор заключен в металлический герметичный корпус с гибкими выводами.

4. У к а з а н и я по э к с п л у а т а ц и и

Категорически запрещается эксплуатация транзисторов даже при кратковременном превышении предельно допустимых значении мощности, напряжений, токов, температуры.

5 .	У ст ой ч и вост ь п р о т и в в н е ш н и х
Диапазон	температур		окружающей	среды
Атмосферное		давление
Относительная		влажность при температуре
+40±2°С
Термоциклирование в			диапазоне	температур
Постоянные ускорения			(макс.)
Многократные		удары	(макс.) .
Вибрация	в диапазоне		5-5-2000 гц	(макс.)

в о зд е й с т в и й

—60 -4- +70° С от 2,7-103 доЗ-104 н/м 2

9 5 - 4 - 3 9 6

—60 -г- +70° С 150^ 150^

12*

6. К л а с с и ф и к а ц и о н н ы е п а р а м е т р ы

Наименование параметра

Время включения

Коэффициент передачи тока в схеме с об­ щим эмиттером

Обозна­	Един.	Величина для транзисторов
чение	изм.	МП42	МП42А	МП42Б
^вкл	мксек 12.51		f l 5 j	1 . 0 1
^219		20-4-35	СО О + сл о	45-е-ЮО

	7. Т еп л о в ы е п а р а м е т р ы
	Определение		Обозна­	Един.	Величина
			чение	изм.
Наибольшая	температура	перехода	^макс	°с	|+ 8 5 |
Наименьшая	температура	окружаю­		°с	| - 6 0 |
щей среды			^мин
Тепловое сопротивление		переход —		°С/мвт	0,2
окружающая среда			^пс
То же, при давлении окружающей				°С/мвт
среды менее 50 мм рт. ст.			^пс		0.3

Б. Электрические параметры и данные

ТРАН ЗИ СТО Р М П42

/. М а к с и м а л ь н о д о п ус т и м ы е д а н н ы е

при температуре окружающей среды Тс=° —60 -г- + 70е С

1. МОЩНОСТИ (мет) И ТОКИ (ма)

Определение

Мощность, рассеиваемая транзистором при Тс = +45° С

Постоянный ток коллектора в режиме пе­ реключения при насыщении или в им­ пульсном режиме

Обозначение Величина

Ртп 12001

^кн

I 150 |

При 7'с свыше +45° С и нормальном давлении мощность рас-* считывается по формуле

Рт *= 5 (85 — Г°), мет.

При давлении менее 50 мм рт. ст. мощность рассчитывается по формуле

Рт — 3,3 (85 — Тс), мет.

2.	НАПРЯЖЕНИЯ (в)
Определение	Обозначение Величина

Напряжение	коллектор — база при хх	в
цепи эмиттера		^кбо
Напряжение	коллектор — эмиттер при	кз
в цени эмиттер — база		^кэо

ГЩ

пи

		II. Н а ч а л ь н ы е т оки (м к а )
		при температуре окружающей среды			Т°с = + 2 0 ± 5 ° С
		Определение		Обозначе-		Величина
				мне		мин.	макс.
Ток	коллекторного		перехода	запер­
того		транзистора	(импульсный)
при £/к= 12 в				Л < Э З		2	14001
Ток	коллекторного		перехода	запер­
того		транзистора	(статический)			—	25 |
при		1^ = 15 в и Г ^ + 7 0 0		^КЭЭ

	III. У с и л и т е л ь н ы е п а р а м е т р ы
	1. ПАРАМЕТРЫ МАЛОГО СИГНАЛА
	при	Г° =20±5° С, UH=5 а,			/ 0 = 1 ма
	Определение			Обозна­ Един.		Величина
				чение	изм.	мин.	макс.
Граничная	частота	коэффициента			Мгц	1 .01
передачи тока				/ * 21б			_
Предельная	частота	коэффициента			Мгц	0,8
передачи тока				/т			—
	2. ПАРАМЕТРЫ БОЛЬШОГО СИГНАЛА
		при	Т°с =20±5° С, UK= 1 в
	Определение			Обозна­		Величина
				чение		мин.	макс.
Коэффициент	передачи		тока	при		и з
/,( = 10 ма				Ь2\Ъ			И З
Коэффициент	передачи		тока	при			20
/ к = 150 ма				/221Э		5
	8. НАПРЯЖЕНИЯ НАСЫЩЕНИЯ (в)
				Величина		Режим
						измерения
Определение			Обозна­
			чение	мин.	макс.	'к	и
						ма	ма
Напряжение	коллек­			0.01	10.151	пз	1
тор — эмиттер			^кэн
Напряжение	коллек­			0,15	0.5	150	40
тор — эмиттер			^кэн
Напряжение	эмиттер —			0.2	0.3	10	1
база			^эбн
Напряжение	эмиттер —			0,6	1.5	150	40
база			^эбп

ТРАНЗИСТОР МП42А

	ПАРАМЕТРЫ
при	7^ = +20 ±5° С и		/ = 270 гц
			Величина		Режим
Определение	Обо-	Един.			измерений
	значе­	изм.	мим. макс.	и*	'к
	ние
				в	ма ма

Коэффициент передачи тока

Коэффициент передачи тока

Напряжение	коллек­
тор — эмиттер	в	ре­
жиме насыщения
Напряжение	коллек­
тор — эмиттер	в	ре­

жиме насыщения

Напряжение эмиттер —

^219		й	1501	ш N
Ь2\э	—	7	25	1	150	—
Uкэи	в	0,01	0,15		10	1
Uкэн	в	0,15	0.6	_	150	40

база в	режиме	насы­		в	0,2	0,3	—
щения			^эбн
Напряжение эмиттер —
база в	режиме	насы­		в	0.6	1,6
щения			^эбн
Время	включения		в
схеме	с общим	эмит­					гпп
тером	(генератор		то­	мксек		|1 .5 |
ка на	входе)		^вкл

Остальные данные и параметры не отличаются от параметров МП42.

ТРАНЗИСТОР МП42Б

10 1

150 40

N

данных и

		ПАРАМЕТРЫ
	при	7°= + 20 ±5° С и		/=270	гц
				Величина			Режим
		Обо­	Един.			измерений
Определение
		значе­	изм.		макс.	U в	/ ма	Iма
		ние
Коэффициент	передачи							_
тока		h2\s		145 |	|100|	ш	|ю |
Коэффициент	передачи		—		30		150.
тока		h*i9		10		1		- 1 "^1

Определение
Напряжение	коллек­
тор — эмиттер	в	ре­
жиме насыщения
Напряжение	коллек­
тор — эмиттер	в	ре­

жиме насыщения

Напряжение эмиттер — база в режиме насы­ щения

Напряжение эмиттер — база в режиме насы­ щения

Время включения в схеме с общим эмит­ тером (генератор то­ ка на входе)

Граничная частота ко­ эффициента передачи тока

Предельная частота ко­ эффициента передачи тока в схеме с об­ щим эмиттером

				Продолжение
		Величина			Режим
Обо-	Един.				измерений
значе­	изм.			UK,e V ма и - ма
ние		мин.	макс.
Uкэн	в	0.01	0.2		10	1
^кэн	в	0.2	0.7	_	150	40
^кбн	в	0,25	0.4	_	10	1
^эбн	в	0.6	1.7	_	150	40
^в;	мсек		1.0	15	10
/Л21б	Мгц	2.0	_	5	—	1
/ т	Мгц	1.67	—	5	—	1

Остальные данные и параметры не отличаются от данных и параметров МП42.

1ц| ма

Типовые входные характеристики транзисторов МГ142—МП42Б для схемы с общей базой

Типовые входные характеристики транзисторов МП42—МП42Б для схемы с общим эмиттером

и „э

Типовые выходные характеристики транзисторов МП42—МП42Б для схемы с общей базой

1б,ма

11эб.е

Типовая зависимость коэффициента усиления по току транзисторов МП42—МГ142Б от тока коллектора

Типовые выходные харак­ теристики транзисторов МП42 для схемы с общим эмиттером

1И'ма

Типовые выходные характеристики транзисторов МП42А для схемы с общим эмиттером

1к,ма

Выходные характеристики транзисторов МП42Б для схемы с оощим эмиттером