Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги / Физика тонких пленок. Современное состояние исследований и технические применения. Т. 6

.pdf
Скачиваний:
23
Добавлен:
13.11.2023
Размер:
23.3 Mб
Скачать

имя, чем в металлоподобных соединениях: низкие значения энергии активации зафиксированы для соответствующих суль­ фидов и селенидов [61]. Низкие энергии активации, характерные для продольной диффузии, обусловлены, по-видимому, преиму­ щественным ионным характером образующихся соединений, а не наличием «легких» диффузионных путей. Тем не менее опыты на массивных материалах показывают, что в случае образова­ ния Си2Те определенное влияние на диффузионный процесс оказывает наличие механических напряжений в образцах.

V.ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Всистемах с промежуточными фазами определенные экспе­ риментально энергии активации обычно оказываются слишком высокими для того, чтобы их можно было приписать диффузии по границам зерен. В системах типа Ag—А1, для которых отча­ сти возможно провести сравнение данных для пленочных и мас­ сивных образцов, наблюдается удовлетворительная корреляция этих результатов. Электронно-микроскопические исследования системы Си—Те не обнаруживают существенной роли диффу­ зии по границам зерен, даже несмотря на аномально низкие значения энергии активации по сравнению с большинством ме­ таллических систем. При переходе от поликристаллических к монокристаллическим пленкам значения энергий активации практически не изменяются. Принято считать, что энергии ак­ тивации в общем относятся к константам скорости, а не к основ­ ным коэффициентам диффузии и поэтому, к сожалению, в боль­ шинстве случаев имеющиеся данные непригодны для определе­ ния коэффициентов диффузии по константам скоростей. Резуль­ таты расчетов, проведенных для системы Ag—А1, показывают, что различия между энергиями активации константы скоростей

икоэффициентов диффузии невероятно велики.

Вто же время все эксперименты на системах с неограничен­ ной растворимостью фактически обнаруживают диффузию по границам зерен или по крайней мере высокие скорости диффу­

зии, если исключить из рассмотрения эксперименты Дюмонда и Яутца, использовавших объекты с периодическими измене­ ниями концентрации при величине периода, малой по сравнению с расстоянием между границами зерен. Однако даже и в этом последнем случае имеются указания на высокие скорости на­ чальной диффузии, тогда как диффузия на последних стадиях протекает точно так же, как и диффузии в массивных материа­ лах. Высокие начальные скорости диффузии сами по себе легко могут быть объяснены наличием избыточной концентрации ва­ кансий, которая безусловно типична для свеженанесенных пленок. Эти представления с успехом использовались для интерпрета­ ции аномалий начальной диффузии в системе Ag—А1. При этом

считалось, что вакансии конденсируются на частицах выпадаю­ щей фазы, как только последние начинают появляться.

В системах, не образующих соединений и, следовательно, частиц новой фазы, избыточные вакансии мигрируют к дисло­ кациям или другим стокам вакансий. В этой ситуации время жизни вакансий должно быть большим, а начальная диффузия с повышенной скоростью — более резко выраженной. Однако для некоторых систем с неограниченной растворимостью доста­ точно надежно было установлено, что энергия активации про­ цесса для диффузии в тонких пленках значительно ниже, чем для диффузии в массивных материалах. Это расхождение объ­ яснялось наличием диффузии по межзеренным границам. Все отмеченные эффекты в соответствии с представленными дан­ ными присущи системам с неограниченной растворимостью. Означает ли это, что сравнительно быстрая диффузия в интер­ металлических соединениях при высоких градиентах активности является обычной диффузией, а не поверхностной миграцией или диффузией по границам зерен? Данный вопрос можно сформу­ лировать и в несколько ином виде: сколь «трудно» атомам металла мигрировать по поверхности интерметаллических соеди­ нений, не подвергаясь захвату и внедрению в решетку соедине­ ния? Это, по-видимому, зависит от силы взаимодействия ком­ понентов АВ. Классические примеры диффузии по границам

зерен в массивных образцах наблюдались или в системах с не­ ограниченной растворимостью, или в разбавленных сплавах. В этих случаях также имели место эффекты, отмеченные выше. Однако данные, которыми мы располагаем, не позволяют пока сделать каких-либо однозначных заключений на этот счет.

Совершенно очевидно, что тонкопленочным методам иссле­ дования диффузии наряду с особыми преимуществами присущи также определенные ограничения и недостатки. Последние, в частности, обусловлены трудностями определения профиля рас­ пределения или градиента концентрации, и поэтому в подобных исследованиях все чаще используются методы радиоактивных индикаторов, позволяющие избежать практически невозможного секционирования пленочных объектов. При этом в тонкопленоч­ ных системах можно пренебрегать поглощением радиации. До­ полнительные затруднения возникают также в связи с ограни­ чением по максимально допустимой температуре отжига. Пре­ небрежение этим ограничением может вызывать нежелательные структурные изменения, например образование агрегатов.

Основное достоинство тонкопленочной методики состоит в возможности проведения диффузии на очень малые расстояния. Диффузия на малые расстояния означает, что можно использо­ вать очень малые времена отжига или проводить отжиг при бо­ лее низких температурах, чем при диффузии в массивных образ­

цах. Наиболее ярко это преимущество проявляется при исполь­ зовании методики Дюмонда и Яутца, легко обнаруживающей эффекты градиентной энергии и когерентности в системах с не­ ограниченной растворимостью. Ряд диффузионных эффектов, о которых говорилось выше, удается наблюдать только тонкопле­ ночными методами. Это относится, например, к быстрой началь­ ной диффузии при образовании соединения Ag2Al и к последо­

вательности формирования Аи2А1 и АиАЬ. Для систем с проме­ жуточными фазами типично преимущественное образование определенной фазы вместо одновременного образования всех возможных фаз. Если такая ситуация возникает при взаимной диффузии двух чистых металлов, то наиболее вероятным пред­ ставляется такой случай, когда градиент химической активно­ сти почти целиком приходится на область вновь образующейся фазы, обеспечивая основную движущую силу диффузии. Это должно иметь место даже тогда, когда данная фаза существует в очень узкой области концентраций. На примере системы Аи—А1 это можно объяснить большим различием скоростей об­ разования АигА1 и АиАЬ, существующим несмотря на близость энергий активации формирования соответствующих фаз. При образовании Аи2А1 почти все изменение активности, приходя­ щееся иа область, простирающуюся от границы с чистым алю­ минием (концентрация золота равна нулю) до границы с чистым золотом, заключено в пределах этой фазы. Однако при форми­ ровании АиА1г изменение активности в пределах данной фазы отвечает изменению активности в области чистый алюминий — Аи2А1. Активность последнего соединения значительно ниже активности чистого золота. К сожалению, приведенные данные, по-видимому, непригодны для расчетов.

В будущем следует уделять гораздо больше внимания влия­ нию химической активности на диффузию. Для систем с неогра­ ниченной растворимостью и/или разбавленных растворов это было показано в оригинальной работе Даркена [62], а также в работе Бирченалла и Мела [63]. Настоящее утверждение явля­ лось лейтмотивом обзоров Леклера [64], который ввел член хи­ мической активности в классические уравнения диффузии с целью коррекции отклонений от «идеального» раствора. Роль химической активности в системах с промежуточными фазами намного значительней, так что корректирующий член такого типа становится основным фактором. Это нетрудно показать, переписав уравнение Даркена для коэффициента взаимной диф­ фузии D

D = (NADB + N&DA)( 1 + д lg у/d lg NA)

в терминах активности а:

N . da

D^ N AD'B + NBVA) - ^ - - ^

ирассмотрев систему, в которой образуется единственное ин­ терметаллическое соединение АВ с сильной А—В-связыо. При

этих условиях соединение существует в очень узком интервале составов, а наличием конечных растворов можно пренебречь в соответствии с правилом Юм-Розери. В даной ситуации полное изменение химической активности почти от нуля до почти еди­ ницы приходится на слой интерметаллического соединения, за­ ключенный между двумя чистыми металлами. Если множитель N A / CI ~ 1, то множитель da/dNA должен быть на несколько по­

рядков больше единицы, поскольку приближенно он опреде­ ляется изменением активности Да ~ 1 в слое соединения, отне­ сенным к области существования (ANa ), которая весьма узка (<С1). Большая величина D еще не означает, что соединение

растет очень быстро. Действительно, применяя упрощенное ре­ шение Гиббса для аналогичного случая, имеем

 

ха +

хв — [ с\ _ с 2 +

 

 

Здесь С2—С3 соответствует ДNA. Заменяя

таким образом

(С2—C3)D,

получаем

 

 

 

 

Г

1

1 1

2t N . Да

NBDA) »

(*л + х в ? =

[ с, -

С2 +

Сз С4J

а W A DB +

~ [ сДсГ + c ^ c d 21 (N* D'° + N ° m

-

Для соединения АВ с узкой областью существования С2£»С3«

» '/г и, следовательно, учитывая, что

С\

1 и С4 « 0, имеем

(ХА + x Bf / t ~ 8 (N AD 'D +

N B D'A).

То есть скорость роста зависит непосредственно от коэффициен­ тов самодиффузии и только косвенно — от ДNA, причем послед­ ний эффект является эффектом второго порядка. Величина D

обычно высока при выражении коэффициента диффузии из ура­ внений Фика, когда градиент концентрации очень мал и хими­ ческая активность является основной движущей силой диффу­ зии. В подобных случаях лучше всего отказаться от уравнений Фика и переформулировать задачу в терминах градиента хими­ ческой активности, хотя этим определяется коэффициент диф­ фузии иного типа. Это дает определенные преимущества, по­ скольку экспериментально, по-видимому, легче измерять изме­ нения химической активности Да по слою соединения с узкой областью гомогенности, чем определять пределы растворимости.

 

 

 

 

ЛИТЕРАТУРА

 

 

 

1. B o l t z m a n n

L., Wied. Ann., 53,

959 (1894).

 

 

 

2.

M a t a n o C . ,

Jap. J. Phys., 8, 109

(1933).

 

 

 

3.

D a r k e n L. S., Trans. A1ME, 175,

184 (1948).

 

 

 

4.

J o s t

W.,

Diffusion in Solids,

Liquids, Gases, Acad.

Press,

New York,

 

I960.

 

 

 

 

 

 

 

 

5.

S e i t h

W., Diffusion in Metallen, Springer, Berlin,

1955;

русский перевод:

 

В. 3 а й т, Диффузия в металлах, ИЛ, М., 1958.

 

 

 

6. B a r r e r R. М., Diffusion in

and

Through Solids, Cambridge Univ. Press,

 

London

and

New York, 1941;

русский перевод: P.

Б эр pep,

Диффузия

в твердых телах, ИЛ, М., 1948.

7.C r a n k J., The Mathematics of Diffusion, Oxford Univ. Press (Clarendon), London and New York, 1956.

8.

К i d s о n G. V., /. Nucl. Mater., 3, 21

(1961).

 

 

 

 

 

 

 

9.

G i b b s G. B., /. Nucl. Mater., 20, 303

(1966).

 

 

 

 

 

 

 

10.

W e a v e С., H i 11

R. M., Advan. Phys., 8, 375 (1959).

 

 

 

 

 

11.

M i c h e l

P.,

Ann.

 

Phys. (Paris)

[13], 1, 719

(1956).

 

466

(1931).

 

12.

E i s e n h u t t

0.,

 

K a u p p

E.,

Z.

Elektrochem.,

37,

 

13.

D u M o n d J , Y o u t z J .

P., /. Appl. Phys.,

11, 357

(1940).

 

 

 

 

14.

J o s t

W.,

Z.Phys. Chem., Abt. B,

16, 123 (1932).

 

 

 

 

 

 

 

15.

J o s t

W.,

Z.Phys. Chem., Abt. B, 21,158 (1933).

 

Trans. Amer. Soc. Me­

16.

B u r r

A.

A.,

 

C o l e m a n

H.

S.,

D a v e y

W. B.,

17.

tals, 33, 73 (1944).

 

 

 

 

 

 

 

 

(1950).

 

 

 

 

В о e 11 c h e

r A., Z. Angew. Phys., 2,193, 249, 340

 

 

 

 

18.

B e l s e r

R. B.,

Rep.

7,

Proj. Ns 163-176,

US

Army

Signal

Corps

19.

Contr. DA-36-039-SC-42453, 1954.

 

 

(1950).

 

 

 

 

 

 

 

H e a v e n s

O. S.,

 

J. Phys. Rad., 11, 355

 

 

 

 

 

 

 

20.

B e n j a m i n

 

P.,

W e a v e r

C.,

Proc. Roy. Soc., A254, 163 (1960).

 

21.

B e n j a m i n

 

P.,

W e a v e r

C.,

Proc. Roy. Soc., A274, 267 (1963).

 

22. W e a v e г С., H i 11 R. M., Phil. Mag. [8], 3,

1402

(1958).

 

 

 

 

23.

G a y l e r

M. L., J. Inst. Metals,

60, 249 (1937).

 

 

Soc.

Metals,

31, 105

24.

C o l e m a n

H.

S., Y e a g l e y

H.

L.,

Trans. Amer.

25.

(1943).

 

 

 

C , Y e a g l e y H . L., Phys. Rev., 65, 56

(1944).

 

 

 

C o l e m a n H .

 

 

 

26.

S e i t h W., E t z о 1d K., Z. Elektrochem.,

14, 122

(1935).

 

 

 

 

27.

M e h l

R. F.,

Trans. AIME, 122,

11 (1936).

 

 

 

 

 

 

 

 

28.

S ch о p p e г H., Z. Phys.,

143, 93 (1955).

 

 

 

 

 

 

 

 

 

29.

W e a v e r

C.,

B r o w n

L. C., Phil. Mag. [8], 7, 1 (1962).

 

11,

205

(1968).

30.

T a k e i W.

J.,

F r a n c o m b e

M. H., Solid-State

Electron,

31.

P a r k i n s o n

 

D., неопубликованные данные, 1963.

W. J., Thin

Solid

Films,

32.

F r a n c o m be

M.

H.,

N o r e i k a

A.

J., T a k a i

 

 

1, 353 (1967).

 

 

 

 

L. C., Phil. Mag. [8], 8, 1379

 

 

 

 

 

 

33.

W e a v e r

C.,

B r o w n

(1963).

 

 

 

 

34.

W e a v e r

C.,

B r o w n

L. C„ Phil. Mag. [8],

17, 881

(1968).

 

 

 

 

35.B u c k l e H., Metallforschung, 1, 175 (1946).

36.W e a v e r C . , Advan. Phys., 11, 83 (1962).

37.

A n d e r s o n

J. S., Proc. Roy. ISoc., A185, 69

(1946).

38.

R e e s A. L.

G., Chemistry of the Defect

Solid State, Methuen, London,

 

1954.

 

 

39.W e a v e r C . , S i n с I a i г G., в печати.

40.T u г n e г P. A., T h e u г e г H. С., T a i K. L., /. Vac. Set. Technol., 6, 650 (1969).

41.

С о о k H. E., H i 11 i a г d J. E., /.

Appl. Phys., 40, 2191 (1969).

(1969).

42.

P h i l o f s k y

E. M.,

H i l l i a r d

J. E., J. Appl. Phys., 40, 2198

43.

M a t t h e w s

J. W.,

C r a w f o r d

J. L., Phil. Mag. [8], 11, 977

(1965).

44.

A 1 e s s a n d г i n i E.

I., К u p t s i 3J. DM/. VQ,C. Set. T e c h n o l6, 647 (1969),

45.

Е 11 i о 11

R. P„ Constitution

 

of

Binary

Alloys,

1st

suppl.,

MeGraw-Hill,

 

New York, 1965.

 

 

 

 

 

J

Vac. ScL

Technol.,

6,

 

 

 

46.

R i c h a r d s

J.

L.,

M c C a n n

 

W,

H.,

/.

644

(1969).

47. M o n c h

G. C.,

Wiss. Z. Martin-Luther-Univ., Halle-Wittenberg,

Math.-Na-

 

turwiss. Reihe, 2, 599 (1962).

 

 

12,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

48.

M o h r T., Ann. Phys. ( Leipzig) [6],

175 (1953).

 

 

 

 

 

 

 

 

49.

M o h r

T.,

 

Wiss,

Z. Martin-Luther-Univ.,

Halle-Wittenberg, Math-Natur-

50.

wiss. Reihe, 2, 601

(1952).

 

 

[6], 14, 367 (1954).

 

 

 

 

 

 

 

 

M o h r T„ Ann. Phys. (Leipzig)

 

 

 

 

 

 

 

 

51.

Mo h r T . ,

Ann. Phys. (Leipzig)

[6], 14, 377 (1954).

 

 

 

 

 

 

 

 

52.

Z o r l l

U.,

Ann. Phys. (Leipzig)

[6], 14, 385 (1954).

 

 

 

 

 

 

 

 

53.

J o h n s o n

 

D.

B.,

B r o w n

L.

C., /.

Appl.

Phys.,

40,

1711 (1969).

 

 

54.

K i e n e l G.,

Ann. Phys. (Leipzig) [6], 6, 1

(1955).

 

 

 

 

 

 

 

 

55.

Z o r l l

U., Ann. Phys. (Leipzig) [6], 16, 7

(1955).

 

 

 

 

 

 

 

 

56.

P i n e s

В. Y a,

G r e b e n n i k

I. В.,

В a z у u г a

R.

I.,

Z о z u 1 у n

G.

V.,

57.

Phys. Status Solidi, 20, 213 (1967).

 

Appl.

Phys.,

40,

149

(1969).

 

 

J o h n s o n

D.

B.f

B r o w n

L. C., /.

 

1589

58.

B r o w n L. C.,

S a n d e r s o n

 

С. C., J o h n

C. St.,

Trans. AIME, 231,

59.

(1966).

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

P a r k i n s o n D., неопубликованные данные, 1963.

 

 

 

 

 

 

 

 

60.

Z o r l l

U.,

Wiss.

Z. Martin-Luther-Univ.,

Halle-Wittenberg,

Math.-Natur-

 

wiss. Reihe, 4, 283 (1955).

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

61. CM. [6].

 

L. S.,

Trans. AIME,

150,

157

(1942).

 

 

 

 

 

 

 

 

62.

D a r k e n

 

143

(1947).

 

 

 

63.

B i r c h e n a l l C . E., Me h

1 R. F.,

Trans. AfME, 171,

 

 

 

64.

L e C l a i r e

A. D.,

Progr.

Metal Phys., 1 , 306 (1949);

4, 265

(1953).

 

 

 

УКАЗАТЕЛЬ АВТОРОВ

 

 

А б е л е с Ф.

A b e l e s F., Faculte des

Sciences

et Institut

 

d’Optique, Paris, France

 

 

Д е ль* 0 к а С. Док:.

D e 1 Г О с a C. J., University

of British

Columbia,

 

Vancouver, Canada

 

 

Яе л о н А.

Ла р с о н Д . /С-

П у л ф р и Д. Л.

Уи в е р К.

Ян г Л.

Y e 1 о n

A., Yale

University, New Haven, Connec­

ticut

 

 

L a r s o n

D. C.,

Drexel University, Philadelphia,

Pennsylvania

P u 1 f г e у D. L., University of British Columbia, Vancouver, Canada

W e a v e r C., Department of Applied Physics, Uni­ versity of Strathclyde, Glasgow, Scotland

Y o u n g L., University of Britsh Columbia, Van­ couver, Canada

Предисловие к английскому изданию

 

 

 

 

 

 

5

!■ Анодные окисные пленки. С. Д ж. Д е л ь’О к а, Д. Л. П у л ф р и,

7

Л. Я н г (перевод А,

С. Даревского) .

 

 

 

.

.

I. В в ед ен и е .....................................................................

 

 

 

 

. .

 

7

И. Обзор некоторых основных характеристик анодирования

 

8

1. Поле перенапряжения

 

 

 

 

 

 

8

2. П одл ож к и .......................................................................

 

 

 

 

 

 

 

II

3. Методы получения: анодирование при постоянном токе

4. Мгновенные

значения ионной проводимости: нестационар­

 

ные п р о ц ессы .......................................................

 

напряжении . .

 

. . .

16

5. Анодирование при постоянном

 

18

6. Термическая

рекристаллизация

пленок пятиокисн тантала

20

и ниобия..................................

 

 

 

 

 

 

 

7. Фотостимулированный рост .

 

 

 

 

 

20

III. Теории ионной проводимости

 

 

 

 

 

21

1. В в е д е н и е ............................................................

 

 

 

 

 

 

 

 

2. Классические работы................................................................

 

 

 

 

. . .

23

3. Аномалия наклона Тафеля и теория Дюальда

4. Нестационарные процессы: генерация дефектов

по

Френ­

 

келю электрическим полем .......................................................

 

 

 

 

 

24

5. Эффективное

поле Дигнама. Теория медленной поляриза­

25

ции при нестационарных процессах впостоянном поле

6. Модель с двухзначной длинойактивации................................

 

 

пара­

28

7. Аморфные окислы: изменчивость и

распределение

 

метров узлов......................................................................

l g / от Е

 

 

 

 

2

8. Нелинейная

зависимость

lg /

от Е .

 

 

9. Объяснение

нелинейной

зависимости

 

 

31

10. Доказательства подвижности двух сортов

ионов .

 

24

11. Эллипсометрические доказательства

двухслойности . .

38-

12.Теории подвижности при переносе ионов двух сортов . . 41

13.Новая интерпретация экспериментальных данных по ионной

 

проводимости на основе двухслойной модели .

. . . .

42

14. Основные данные по ионной проводимости .

45

15.

Границы применимости классической модели и

необходи­

46

16.

мость рассмотрения нормальных мод колебаний .

 

Влияние электронов на ионную проводимость .

 

48

IV. Газовое анодирование

 

48

1.В в е д е н и е ................................................................

2.Методы получения плазмы .................................................

3. Обсуждение экспериментальной методики

56

4.

Результаты . .

 

5.

Возможные механизмы роста окисных пленок

62

V. Диэлектрические свойства

65

1.

Введение . . . . .

65

2.

Процессы поляризации.....................

67

3.

Электронный перенос на постоянном токе

79

4.

Диэлектрический пробои

82

2 -

Размерные эффекты в электропроводности тонких металлических

97

 

пленок

и проволок. Д. К. Л а р с о н (перевод Э. М. Эпштейна) .

 

I. В в еден и е...............................................................

 

97

 

II. Теория классических размерныхэффектов

98

 

 

1. Объемная проводимость

98

 

 

2. Тонкие пленки

. • • .

100

 

 

3.

Тонкие проволоки

103

 

 

4.

Параметр зеркальности .

105

 

 

5. Анизотропия монокристалла

107

 

 

6. Температурная зависимость

110

 

III.

7. Измерения на одном образце .

117

 

Экспериментальные измерения

118

 

 

1.

Приготовление образцов . . . .

118

 

 

2.

Эксперименты с тонкими пленками .

121

 

 

3.

Эксперименты с тонкими проволоками

137

 

 

4.

Температурная зав и си м ость .........................

144

 

 

5.

Обсуждение экспериментальных результатов

152

 

IV.

Квантовые размерные эффекты .

158

 

 

1.

Теория..............................................

измерения

158

 

 

2.

Экспериментальные

161

Оптические свойства металлических пленок. Ф. А б е л е с (Перевод

171

 

Э.

М. Эпштейна)

 

 

I.

В ведение...........................................

м еталл ов

171

 

II.

Оптические свойства

172

III.Формулы для тонких однородных и изотропных металлических

 

п л ен о к ..............................................

 

 

175

 

I.

Определения и обозначения

 

175

 

2

Формулы

 

 

176

 

3. Примеры.................

 

 

178

IV.

Очень тонкие пленки . . . .

 

191

 

1. Отражение и пропускание...............................................................

 

191

 

2. Эллиптическая поляризация света при отражении и пропу­

 

V.

 

скании ..........................

 

. 1 9 7

Анизотропные пленки .

 

197

 

1. Общие выражения

 

197

 

2.

Интенсивности .

 

199

 

3.

Ф а з ы .....................

.

 

200

 

4. Полное отраж ение..............................

 

200

VI.

5. Очень тонкие анизотропные пленки ......................................

 

201

Измерение оптических параметров металлических пленок

203

 

1.

Фотометрические измерения .

 

203

 

2. Поляриметрические измерения . .

 

207

 

3.

Интерферометрические измерения

 

208

VII.

4. Комбинированные м е т о д ы ....................................................................

 

208

Специфические

оптические свойства

тонких металлических

 

п л ен ок ..............................

.

 

210.

 

1. Вводные за м еч а н и я ...........................................

 

210

 

2.

Аномальный

скин-эффект в тонких пленках . . .

211

 

3.

Оптические плазменные резонансы в тонких пленках .

217

 

4. Оптические

свойства, связанные со

структурой пленки .

221

Взаимодействия в многослойных пленочных магнитных структурах.

А.

И е л о и (п е р е в о д Н . Я. К и р ю х и н а )

 

 

.

228

I.

Введение...................

 

.

.

 

 

 

228

II.

Типы взаимодействия .

 

 

 

231

 

1. Прямое обменное взаимодействие............................................

связь (обменная

ани­

231

 

2. Ферромагнитно-антиферромагнитная

237

 

зотропия) .......................................

 

связь пленок

.

 

 

 

3. Магнитостатическая

 

 

249

 

4. Магнитостатическая

связь доменныхстенок

 

253

 

5. Дырочная и косвенная связи.......................................

 

 

 

268

III.

6. Разделение эффектов связи. Комбинацияэффектов .

 

275

Эффекты связи ...............................................................

 

 

 

. . .

278

 

1. Квазистатическое перемагничивание (намагниченность в ка­

279

 

ждом слое постоянна)...........................................

 

Намагниченность

.

 

2. Квазистатическое перемагничивание

не­

290

 

постоянна по толщине слоя .

 

 

 

 

3. Импульсное перемагничивание

 

 

 

300

 

4. Резонансные

явления . .

....................................

. .

303

 

5. Доменная структура взаимодействующих пленок

306

IV.

6. Анизотропия высших порядков и спиральная анизотропия .

310

Применения многослойных пленок........................

 

.

. .

322

 

1. Системы памяти со считыванием с разрушением информации

323

 

2. Системы памяти со считыванием без разрушения информации

324

V.

3. Некоторые другие применения

.

 

 

326

Заключение .

.

 

 

 

 

 

326

5 - Диффузия в металлических пленках, К. У и в е р (п е р е в о д Л, С. Д а -

334

р е в с к о г о )

 

 

 

 

 

 

I.

Введение

системы

 

 

334

 

334

II.

Металлические

 

 

.

 

 

1. Системы с неограниченной

растворимостью .

 

334

 

2. Системы с ограниченной растворимостью

.

 

337

III.

3. Системы с интерметаллическими соединениями

 

338

Экспериментальные методы

 

 

350

 

343

IV.

Экспериментальные результаты

 

 

350

 

1. Системы с интерметаллическими соединениями

 

 

2. Системы с неограниченной растворимостью

 

373

V.

3. Продольная диффузия

 

 

 

 

377

Заключение

 

 

 

 

 

 

383

Указатель авторов

 

 

 

 

 

 

389

 

Ф И ЗИ К А Т О Н К И Х П Л Е Н О К . Т. VI

 

 

 

 

 

Редактор В , С. Х А Н Г У Л О В А

 

 

 

Переплет художника Я. А. У с а ч е ва

Художественный редактор Ю . С . У р м а н ч е е в

 

Технический редактор Я. А . И о в л е в а

Корректор Я. Я. Б а р а н о в а

 

 

Сдано в набор 27/Х 1972 г. Подписано к печати 20/Ш 1973 г.

Бумага № I 60X90*/,12,25

 

бум. л. 24,50 печ. л.

Уч.*изд,

л. 25,03

 

 

 

Изд. JV» 20/6827. Цена 2 р. 12 к. Зак. 395

 

 

ИЗДАТЕЛЬСТВО „МИР“ Москва. 1-й Рижский пер., 2

Ордена Трудового Красного Знамени Ленинградская типография № 2 имени Евгении Соколовой «Союзполиграфпрома» при Государственном комитете

Совета Министров

СССР по делам издательств, полиграфии и книжной торговли.

гд

Ленинград, Л-52, Измайловский проспект, 29