книги / Физика тонких пленок. Современное состояние исследований и технические применения. Т. 6
.pdfимя, чем в металлоподобных соединениях: низкие значения энергии активации зафиксированы для соответствующих суль фидов и селенидов [61]. Низкие энергии активации, характерные для продольной диффузии, обусловлены, по-видимому, преиму щественным ионным характером образующихся соединений, а не наличием «легких» диффузионных путей. Тем не менее опыты на массивных материалах показывают, что в случае образова ния Си2Те определенное влияние на диффузионный процесс оказывает наличие механических напряжений в образцах.
V.ЗАКЛЮЧЕНИЕ
Всистемах с промежуточными фазами определенные экспе риментально энергии активации обычно оказываются слишком высокими для того, чтобы их можно было приписать диффузии по границам зерен. В системах типа Ag—А1, для которых отча сти возможно провести сравнение данных для пленочных и мас сивных образцов, наблюдается удовлетворительная корреляция этих результатов. Электронно-микроскопические исследования системы Си—Те не обнаруживают существенной роли диффу зии по границам зерен, даже несмотря на аномально низкие значения энергии активации по сравнению с большинством ме таллических систем. При переходе от поликристаллических к монокристаллическим пленкам значения энергий активации практически не изменяются. Принято считать, что энергии ак тивации в общем относятся к константам скорости, а не к основ ным коэффициентам диффузии и поэтому, к сожалению, в боль шинстве случаев имеющиеся данные непригодны для определе ния коэффициентов диффузии по константам скоростей. Резуль таты расчетов, проведенных для системы Ag—А1, показывают, что различия между энергиями активации константы скоростей
икоэффициентов диффузии невероятно велики.
Вто же время все эксперименты на системах с неограничен ной растворимостью фактически обнаруживают диффузию по границам зерен или по крайней мере высокие скорости диффу
зии, если исключить из рассмотрения эксперименты Дюмонда и Яутца, использовавших объекты с периодическими измене ниями концентрации при величине периода, малой по сравнению с расстоянием между границами зерен. Однако даже и в этом последнем случае имеются указания на высокие скорости на чальной диффузии, тогда как диффузия на последних стадиях протекает точно так же, как и диффузии в массивных материа лах. Высокие начальные скорости диффузии сами по себе легко могут быть объяснены наличием избыточной концентрации ва кансий, которая безусловно типична для свеженанесенных пленок. Эти представления с успехом использовались для интерпрета ции аномалий начальной диффузии в системе Ag—А1. При этом
считалось, что вакансии конденсируются на частицах выпадаю щей фазы, как только последние начинают появляться.
В системах, не образующих соединений и, следовательно, частиц новой фазы, избыточные вакансии мигрируют к дисло кациям или другим стокам вакансий. В этой ситуации время жизни вакансий должно быть большим, а начальная диффузия с повышенной скоростью — более резко выраженной. Однако для некоторых систем с неограниченной растворимостью доста точно надежно было установлено, что энергия активации про цесса для диффузии в тонких пленках значительно ниже, чем для диффузии в массивных материалах. Это расхождение объ яснялось наличием диффузии по межзеренным границам. Все отмеченные эффекты в соответствии с представленными дан ными присущи системам с неограниченной растворимостью. Означает ли это, что сравнительно быстрая диффузия в интер металлических соединениях при высоких градиентах активности является обычной диффузией, а не поверхностной миграцией или диффузией по границам зерен? Данный вопрос можно сформу лировать и в несколько ином виде: сколь «трудно» атомам металла мигрировать по поверхности интерметаллических соеди нений, не подвергаясь захвату и внедрению в решетку соедине ния? Это, по-видимому, зависит от силы взаимодействия ком понентов А—В. Классические примеры диффузии по границам
зерен в массивных образцах наблюдались или в системах с не ограниченной растворимостью, или в разбавленных сплавах. В этих случаях также имели место эффекты, отмеченные выше. Однако данные, которыми мы располагаем, не позволяют пока сделать каких-либо однозначных заключений на этот счет.
Совершенно очевидно, что тонкопленочным методам иссле дования диффузии наряду с особыми преимуществами присущи также определенные ограничения и недостатки. Последние, в частности, обусловлены трудностями определения профиля рас пределения или градиента концентрации, и поэтому в подобных исследованиях все чаще используются методы радиоактивных индикаторов, позволяющие избежать практически невозможного секционирования пленочных объектов. При этом в тонкопленоч ных системах можно пренебрегать поглощением радиации. До полнительные затруднения возникают также в связи с ограни чением по максимально допустимой температуре отжига. Пре небрежение этим ограничением может вызывать нежелательные структурные изменения, например образование агрегатов.
Основное достоинство тонкопленочной методики состоит в возможности проведения диффузии на очень малые расстояния. Диффузия на малые расстояния означает, что можно использо вать очень малые времена отжига или проводить отжиг при бо лее низких температурах, чем при диффузии в массивных образ
цах. Наиболее ярко это преимущество проявляется при исполь зовании методики Дюмонда и Яутца, легко обнаруживающей эффекты градиентной энергии и когерентности в системах с не ограниченной растворимостью. Ряд диффузионных эффектов, о которых говорилось выше, удается наблюдать только тонкопле ночными методами. Это относится, например, к быстрой началь ной диффузии при образовании соединения Ag2Al и к последо
вательности формирования Аи2А1 и АиАЬ. Для систем с проме жуточными фазами типично преимущественное образование определенной фазы вместо одновременного образования всех возможных фаз. Если такая ситуация возникает при взаимной диффузии двух чистых металлов, то наиболее вероятным пред ставляется такой случай, когда градиент химической активно сти почти целиком приходится на область вновь образующейся фазы, обеспечивая основную движущую силу диффузии. Это должно иметь место даже тогда, когда данная фаза существует в очень узкой области концентраций. На примере системы Аи—А1 это можно объяснить большим различием скоростей об разования АигА1 и АиАЬ, существующим несмотря на близость энергий активации формирования соответствующих фаз. При образовании Аи2А1 почти все изменение активности, приходя щееся иа область, простирающуюся от границы с чистым алю минием (концентрация золота равна нулю) до границы с чистым золотом, заключено в пределах этой фазы. Однако при форми ровании АиА1г изменение активности в пределах данной фазы отвечает изменению активности в области чистый алюминий — Аи2А1. Активность последнего соединения значительно ниже активности чистого золота. К сожалению, приведенные данные, по-видимому, непригодны для расчетов.
В будущем следует уделять гораздо больше внимания влия нию химической активности на диффузию. Для систем с неогра ниченной растворимостью и/или разбавленных растворов это было показано в оригинальной работе Даркена [62], а также в работе Бирченалла и Мела [63]. Настоящее утверждение явля лось лейтмотивом обзоров Леклера [64], который ввел член хи мической активности в классические уравнения диффузии с целью коррекции отклонений от «идеального» раствора. Роль химической активности в системах с промежуточными фазами намного значительней, так что корректирующий член такого типа становится основным фактором. Это нетрудно показать, переписав уравнение Даркена для коэффициента взаимной диф фузии D
D = (NADB + N&DA)( 1 + д lg у/d lg NA)
в терминах активности а:
N . da
D^ N AD'B + NBVA) - ^ - - ^
ирассмотрев систему, в которой образуется единственное ин терметаллическое соединение АВ с сильной А—В-связыо. При
этих условиях соединение существует в очень узком интервале составов, а наличием конечных растворов можно пренебречь в соответствии с правилом Юм-Розери. В даной ситуации полное изменение химической активности почти от нуля до почти еди ницы приходится на слой интерметаллического соединения, за ключенный между двумя чистыми металлами. Если множитель N A / CI ~ 1, то множитель da/dNA должен быть на несколько по
рядков больше единицы, поскольку приближенно он опреде ляется изменением активности Да ~ 1 в слое соединения, отне сенным к области существования (ANa ), которая весьма узка (<С1). Большая величина D еще не означает, что соединение
растет очень быстро. Действительно, применяя упрощенное ре шение Гиббса для аналогичного случая, имеем
|
ха + |
хв — [ с\ _ с 2 + |
|
|
|
Здесь С2—С3 соответствует ДNA. Заменяя |
таким образом |
||||
(С2—C3)D, |
получаем |
|
|
|
|
|
Г |
1 |
1 1 |
2t N . Да |
NBDA) » |
(*л + х в ? = |
[ с, - |
С2 + |
Сз — С4J |
а W A DB + |
|
~ [ сДсГ + c ^ c d 21 (N* D'° + N ° m |
- |
Для соединения АВ с узкой областью существования С2£»С3«
» '/г и, следовательно, учитывая, что |
С\ |
1 и С4 « 0, имеем |
(ХА + x Bf / t ~ 8 (N AD 'D + |
N B D'A). |
То есть скорость роста зависит непосредственно от коэффициен тов самодиффузии и только косвенно — от ДNA, причем послед ний эффект является эффектом второго порядка. Величина D
обычно высока при выражении коэффициента диффузии из ура внений Фика, когда градиент концентрации очень мал и хими ческая активность является основной движущей силой диффу зии. В подобных случаях лучше всего отказаться от уравнений Фика и переформулировать задачу в терминах градиента хими ческой активности, хотя этим определяется коэффициент диф фузии иного типа. Это дает определенные преимущества, по скольку экспериментально, по-видимому, легче измерять изме нения химической активности Да по слою соединения с узкой областью гомогенности, чем определять пределы растворимости.
|
|
|
|
ЛИТЕРАТУРА |
|
|
|
||
1. B o l t z m a n n |
L., Wied. Ann., 53, |
959 (1894). |
|
|
|
||||
2. |
M a t a n o C . , |
Jap. J. Phys., 8, 109 |
(1933). |
|
|
|
|||
3. |
D a r k e n L. S., Trans. A1ME, 175, |
184 (1948). |
|
|
|
||||
4. |
J o s t |
W., |
Diffusion in Solids, |
Liquids, Gases, Acad. |
Press, |
New York, |
|||
|
I960. |
|
|
|
|
|
|
|
|
5. |
S e i t h |
W., Diffusion in Metallen, Springer, Berlin, |
1955; |
русский перевод: |
|||||
|
В. 3 а й т, Диффузия в металлах, ИЛ, М., 1958. |
|
|
|
|||||
6. B a r r e r R. М., Diffusion in |
and |
Through Solids, Cambridge Univ. Press, |
|||||||
|
London |
and |
New York, 1941; |
русский перевод: P. |
Б эр pep, |
Диффузия |
в твердых телах, ИЛ, М., 1948.
7.C r a n k J., The Mathematics of Diffusion, Oxford Univ. Press (Clarendon), London and New York, 1956.
8. |
К i d s о n G. V., /. Nucl. Mater., 3, 21 |
(1961). |
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||
9. |
G i b b s G. B., /. Nucl. Mater., 20, 303 |
(1966). |
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||
10. |
W e a v e С., H i 11 |
R. M., Advan. Phys., 8, 375 (1959). |
|
|
|
|
|
||||||||||||||||
11. |
M i c h e l |
P., |
Ann. |
|
Phys. (Paris) |
[13], 1, 719 |
(1956). |
|
466 |
(1931). |
|
||||||||||||
12. |
E i s e n h u t t |
0., |
|
K a u p p |
E., |
Z. |
Elektrochem., |
37, |
|
||||||||||||||
13. |
D u M o n d J , Y o u t z J . |
P., /. Appl. Phys., |
11, 357 |
(1940). |
|
|
|
|
|||||||||||||||
14. |
J o s t |
W., |
Z.Phys. Chem., Abt. B, |
16, 123 (1932). |
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||
15. |
J o s t |
W., |
Z.Phys. Chem., Abt. B, 21,158 (1933). |
|
Trans. Amer. Soc. Me |
||||||||||||||||||
16. |
B u r r |
A. |
A., |
|
C o l e m a n |
H. |
S., |
D a v e y |
W. B., |
||||||||||||||
17. |
tals, 33, 73 (1944). |
|
|
|
|
|
|
|
|
(1950). |
|
|
|
|
|||||||||
В о e 11 c h e |
r A., Z. Angew. Phys., 2,193, 249, 340 |
|
|
|
|
||||||||||||||||||
18. |
B e l s e r |
R. B., |
Rep. |
№ |
7, |
Proj. Ns 163-176, |
US |
Army |
Signal |
Corps |
|||||||||||||
19. |
Contr. DA-36-039-SC-42453, 1954. |
|
|
(1950). |
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||
H e a v e n s |
O. S., |
|
J. Phys. Rad., 11, 355 |
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||
20. |
B e n j a m i n |
|
P., |
W e a v e r |
C., |
Proc. Roy. Soc., A254, 163 (1960). |
|
||||||||||||||||
21. |
B e n j a m i n |
|
P., |
W e a v e r |
C., |
Proc. Roy. Soc., A274, 267 (1963). |
|
||||||||||||||||
22. W e a v e г С., H i 11 R. M., Phil. Mag. [8], 3, |
1402 |
(1958). |
|
|
|
|
|||||||||||||||||
23. |
G a y l e r |
M. L., J. Inst. Metals, |
60, 249 (1937). |
|
|
Soc. |
Metals, |
31, 105 |
|||||||||||||||
24. |
C o l e m a n |
H. |
S., Y e a g l e y |
H. |
L., |
Trans. Amer. |
|||||||||||||||||
25. |
(1943). |
|
|
|
C , Y e a g l e y H . L., Phys. Rev., 65, 56 |
(1944). |
|
|
|
||||||||||||||
C o l e m a n H . |
|
|
|
||||||||||||||||||||
26. |
S e i t h W., E t z о 1d K., Z. Elektrochem., |
14, 122 |
(1935). |
|
|
|
|
||||||||||||||||
27. |
M e h l |
R. F., |
Trans. AIME, 122, |
11 (1936). |
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||
28. |
S ch о p p e г H., Z. Phys., |
143, 93 (1955). |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||
29. |
W e a v e r |
C., |
B r o w n |
L. C., Phil. Mag. [8], 7, 1 (1962). |
|
11, |
205 |
(1968). |
|||||||||||||||
30. |
T a k e i W. |
J., |
F r a n c o m b e |
M. H., Solid-State |
Electron, |
||||||||||||||||||
31. |
P a r k i n s o n |
|
D., неопубликованные данные, 1963. |
W. J., Thin |
Solid |
Films, |
|||||||||||||||||
32. |
F r a n c o m be |
M. |
H., |
N o r e i k a |
A. |
J., T a k a i |
|
||||||||||||||||
|
1, 353 (1967). |
|
|
|
|
L. C., Phil. Mag. [8], 8, 1379 |
|
|
|
|
|
|
|||||||||||
33. |
W e a v e r |
C., |
B r o w n |
(1963). |
|
|
|
|
|||||||||||||||
34. |
W e a v e r |
C., |
B r o w n |
L. C„ Phil. Mag. [8], |
17, 881 |
(1968). |
|
|
|
|
35.B u c k l e H., Metallforschung, 1, 175 (1946).
36.W e a v e r C . , Advan. Phys., 11, 83 (1962).
37. |
A n d e r s o n |
J. S., Proc. Roy. ISoc., A185, 69 |
(1946). |
38. |
R e e s A. L. |
G., Chemistry of the Defect |
Solid State, Methuen, London, |
|
1954. |
|
|
39.W e a v e r C . , S i n с I a i г G., в печати.
40.T u г n e г P. A., T h e u г e г H. С., T a i K. L., /. Vac. Set. Technol., 6, 650 (1969).
41. |
С о о k H. E., H i 11 i a г d J. E., /. |
Appl. Phys., 40, 2191 (1969). |
(1969). |
||
42. |
P h i l o f s k y |
E. M., |
H i l l i a r d |
J. E., J. Appl. Phys., 40, 2198 |
|
43. |
M a t t h e w s |
J. W., |
C r a w f o r d |
J. L., Phil. Mag. [8], 11, 977 |
(1965). |
44. |
A 1 e s s a n d г i n i E. |
I., К u p t s i 3J. DM/. VQ,C. Set. T e c h n o l6, 647 (1969), |
45. |
Е 11 i о 11 |
R. P„ Constitution |
|
of |
Binary |
Alloys, |
1st |
suppl., |
MeGraw-Hill, |
||||||||||||
|
New York, 1965. |
|
|
|
|
|
J |
Vac. ScL |
Technol., |
6, |
|
|
|
||||||||
46. |
R i c h a r d s |
J. |
L., |
M c C a n n |
|
W, |
H., |
/. |
644 |
(1969). |
|||||||||||
47. M o n c h |
G. C., |
Wiss. Z. Martin-Luther-Univ., Halle-Wittenberg, |
Math.-Na- |
||||||||||||||||||
|
turwiss. Reihe, 2, 599 (1962). |
|
|
12, |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||
48. |
M o h r T., Ann. Phys. ( Leipzig) [6], |
175 (1953). |
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||
49. |
M o h r |
T., |
|
Wiss, |
Z. Martin-Luther-Univ., |
Halle-Wittenberg, Math-Natur- |
|||||||||||||||
50. |
wiss. Reihe, 2, 601 |
(1952). |
|
|
[6], 14, 367 (1954). |
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||
M o h r T„ Ann. Phys. (Leipzig) |
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||
51. |
Mo h r T . , |
Ann. Phys. (Leipzig) |
[6], 14, 377 (1954). |
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||
52. |
Z o r l l |
U., |
Ann. Phys. (Leipzig) |
[6], 14, 385 (1954). |
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||
53. |
J o h n s o n |
|
D. |
B., |
B r o w n |
L. |
C., /. |
Appl. |
Phys., |
40, |
1711 (1969). |
|
|
||||||||
54. |
K i e n e l G., |
Ann. Phys. (Leipzig) [6], 6, 1 |
(1955). |
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||
55. |
Z o r l l |
U., Ann. Phys. (Leipzig) [6], 16, 7 |
(1955). |
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||
56. |
P i n e s |
В. Y a, |
G r e b e n n i k |
I. В., |
В a z у u г a |
R. |
I., |
Z о z u 1 у n |
G. |
V., |
|||||||||||
57. |
Phys. Status Solidi, 20, 213 (1967). |
|
Appl. |
Phys., |
40, |
149 |
(1969). |
|
|
||||||||||||
J o h n s o n |
D. |
B.f |
B r o w n |
L. C., /. |
|
1589 |
|||||||||||||||
58. |
B r o w n L. C., |
S a n d e r s o n |
|
С. C., J o h n |
C. St., |
Trans. AIME, 231, |
|||||||||||||||
59. |
(1966). |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
P a r k i n s o n D., неопубликованные данные, 1963. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||
60. |
Z o r l l |
U., |
Wiss. |
Z. Martin-Luther-Univ., |
Halle-Wittenberg, |
Math.-Natur- |
|||||||||||||||
|
wiss. Reihe, 4, 283 (1955). |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
61. CM. [6]. |
|
L. S., |
Trans. AIME, |
150, |
157 |
(1942). |
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||
62. |
D a r k e n |
|
143 |
(1947). |
|
|
|
||||||||||||||
63. |
B i r c h e n a l l C . E., Me h |
1 R. F., |
Trans. AfME, 171, |
|
|
|
|||||||||||||||
64. |
L e C l a i r e |
A. D., |
Progr. |
Metal Phys., 1 , 306 (1949); |
4, 265 |
(1953). |
|
|
|
УКАЗАТЕЛЬ АВТОРОВ |
|
|
А б е л е с Ф. |
A b e l e s F., Faculte des |
Sciences |
et Institut |
|
d’Optique, Paris, France |
|
|
Д е ль* 0 к а С. Док:. |
D e 1 Г О с a C. J., University |
of British |
Columbia, |
|
Vancouver, Canada |
|
|
Яе л о н А.
Ла р с о н Д . /С-
П у л ф р и Д. Л.
Уи в е р К.
Ян г Л.
Y e 1 о n |
A., Yale |
University, New Haven, Connec |
ticut |
|
|
L a r s o n |
D. C., |
Drexel University, Philadelphia, |
Pennsylvania
P u 1 f г e у D. L., University of British Columbia, Vancouver, Canada
W e a v e r C., Department of Applied Physics, Uni versity of Strathclyde, Glasgow, Scotland
Y o u n g L., University of Britsh Columbia, Van couver, Canada
Предисловие к английскому изданию |
|
|
|
|
|
|
5 |
|
!■ Анодные окисные пленки. С. Д ж. Д е л ь’О к а, Д. Л. П у л ф р и, |
7 |
|||||||
Л. Я н г (перевод А, |
С. Даревского) . |
|
|
|
. |
. |
||
I. В в ед ен и е ..................................................................... |
|
|
|
|
. . |
|
7 |
|
И. Обзор некоторых основных характеристик анодирования |
|
8 |
||||||
1. Поле перенапряжения |
|
|
|
|
|
|
8 |
|
2. П одл ож к и ....................................................................... |
|
|
|
|
|
|
|
II |
3. Методы получения: анодирование при постоянном токе |
||||||||
4. Мгновенные |
значения ионной проводимости: нестационар |
|
||||||
ные п р о ц ессы ....................................................... |
|
напряжении . . |
|
. . . |
16 |
|||
5. Анодирование при постоянном |
|
18 |
||||||
6. Термическая |
рекристаллизация |
пленок пятиокисн тантала |
20 |
|||||
и ниобия.................................. |
|
|
|
|
|
|
|
|
7. Фотостимулированный рост . |
|
|
|
|
|
20 |
||
III. Теории ионной проводимости |
|
|
|
|
|
21 |
||
1. В в е д е н и е ............................................................ |
|
|
|
|
|
|
|
|
2. Классические работы................................................................ |
|
|
|
|
. . . |
23 |
||
3. Аномалия наклона Тафеля и теория Дюальда |
||||||||
4. Нестационарные процессы: генерация дефектов |
по |
Френ |
|
|||||
келю электрическим полем ....................................................... |
|
|
|
|
|
24 |
||
5. Эффективное |
поле Дигнама. Теория медленной поляриза |
25 |
||||||
ции при нестационарных процессах впостоянном поле |
||||||||
6. Модель с двухзначной длинойактивации................................ |
|
|
пара |
28 |
||||
7. Аморфные окислы: изменчивость и |
распределение |
|
||||||
метров узлов...................................................................... |
l g / от Е |
|
|
|
|
2 |
||
8. Нелинейная |
зависимость |
lg / |
от Е . |
|
|
|||
9. Объяснение |
нелинейной |
зависимости |
|
|
31 |
|||
10. Доказательства подвижности двух сортов |
ионов . |
|
24 |
|||||
11. Эллипсометрические доказательства |
двухслойности . . |
38- |
12.Теории подвижности при переносе ионов двух сортов . . 41
13.Новая интерпретация экспериментальных данных по ионной
|
проводимости на основе двухслойной модели . |
. . . . |
42 |
14. Основные данные по ионной проводимости . |
45 |
||
15. |
Границы применимости классической модели и |
необходи |
46 |
16. |
мость рассмотрения нормальных мод колебаний . |
|
|
Влияние электронов на ионную проводимость . |
|
48 |
|
IV. Газовое анодирование |
|
48 |
1.В в е д е н и е ................................................................
2.Методы получения плазмы .................................................
3. Обсуждение экспериментальной методики |
56 |
|
4. |
Результаты . . |
|
5. |
Возможные механизмы роста окисных пленок |
62 |
V. Диэлектрические свойства |
65 |
|
1. |
Введение . . . . . |
65 |
2. |
Процессы поляризации..................... |
67 |
3. |
Электронный перенос на постоянном токе |
79 |
4. |
Диэлектрический пробои |
82 |
2 - |
Размерные эффекты в электропроводности тонких металлических |
97 |
|||
|
пленок |
и проволок. Д. К. Л а р с о н (перевод Э. М. Эпштейна) . |
|||
|
I. В в еден и е............................................................... |
|
97 |
||
|
II. Теория классических размерныхэффектов |
98 |
|||
|
|
1. Объемная проводимость |
98 |
||
|
|
2. Тонкие пленки |
. • • . |
100 |
|
|
|
3. |
Тонкие проволоки |
103 |
|
|
|
4. |
Параметр зеркальности . |
105 |
|
|
|
5. Анизотропия монокристалла |
107 |
||
|
|
6. Температурная зависимость |
110 |
||
|
III. |
7. Измерения на одном образце . |
117 |
||
|
Экспериментальные измерения |
118 |
|||
|
|
1. |
Приготовление образцов . . . . |
118 |
|
|
|
2. |
Эксперименты с тонкими пленками . |
121 |
|
|
|
3. |
Эксперименты с тонкими проволоками |
137 |
|
|
|
4. |
Температурная зав и си м ость ......................... |
144 |
|
|
|
5. |
Обсуждение экспериментальных результатов |
152 |
|
|
IV. |
Квантовые размерные эффекты . |
158 |
||
|
|
1. |
Теория.............................................. |
измерения |
158 |
|
|
2. |
Экспериментальные |
161 |
|
3« |
Оптические свойства металлических пленок. Ф. А б е л е с (Перевод |
171 |
|||
|
Э. |
М. Эпштейна) |
|
||
|
I. |
В ведение........................................... |
м еталл ов |
171 |
|
|
II. |
Оптические свойства |
172 |
III.Формулы для тонких однородных и изотропных металлических
|
п л ен о к .............................................. |
|
|
175 |
|
|
I. |
Определения и обозначения |
|
175 |
|
|
2 |
Формулы |
|
|
176 |
|
3. Примеры................. |
|
|
178 |
|
IV. |
Очень тонкие пленки . . . . |
|
191 |
||
|
1. Отражение и пропускание............................................................... |
|
191 |
||
|
2. Эллиптическая поляризация света при отражении и пропу |
|
|||
V. |
|
скании .......................... |
|
. 1 9 7 |
|
Анизотропные пленки . |
|
197 |
|||
|
1. Общие выражения |
|
197 |
||
|
2. |
Интенсивности . |
|
199 |
|
|
3. |
Ф а з ы ..................... |
. |
|
200 |
|
4. Полное отраж ение.............................. |
|
200 |
||
VI. |
5. Очень тонкие анизотропные пленки ...................................... |
|
201 |
||
Измерение оптических параметров металлических пленок |
203 |
||||
|
1. |
Фотометрические измерения . |
|
203 |
|
|
2. Поляриметрические измерения . . |
|
207 |
||
|
3. |
Интерферометрические измерения |
|
208 |
|
VII. |
4. Комбинированные м е т о д ы .................................................................... |
|
208 |
||
Специфические |
оптические свойства |
тонких металлических |
|||
|
п л ен ок .............................. |
. |
|
210. |
|
|
1. Вводные за м еч а н и я ........................................... |
|
210 |
||
|
2. |
Аномальный |
скин-эффект в тонких пленках . . . |
211 |
|
|
3. |
Оптические плазменные резонансы в тонких пленках . |
217 |
||
|
4. Оптические |
свойства, связанные со |
структурой пленки . |
221 |
Взаимодействия в многослойных пленочных магнитных структурах.
А. |
И е л о и (п е р е в о д Н . Я. К и р ю х и н а ) |
|
|
. |
228 |
|||
I. |
Введение................... |
|
. |
. |
|
|
|
228 |
II. |
Типы взаимодействия . |
|
|
|
231 |
|||
|
1. Прямое обменное взаимодействие............................................ |
связь (обменная |
ани |
231 |
||||
|
2. Ферромагнитно-антиферромагнитная |
237 |
||||||
|
зотропия) ....................................... |
|
связь пленок |
. |
|
|
||
|
3. Магнитостатическая |
|
|
249 |
||||
|
4. Магнитостатическая |
связь доменныхстенок |
|
253 |
||||
|
5. Дырочная и косвенная связи....................................... |
|
|
|
268 |
|||
III. |
6. Разделение эффектов связи. Комбинацияэффектов . |
|
275 |
|||||
Эффекты связи ............................................................... |
|
|
|
. . . |
278 |
|||
|
1. Квазистатическое перемагничивание (намагниченность в ка |
279 |
||||||
|
ждом слое постоянна)........................................... |
|
Намагниченность |
. |
||||
|
2. Квазистатическое перемагничивание |
не |
290 |
|||||
|
постоянна по толщине слоя . |
|
|
|
||||
|
3. Импульсное перемагничивание |
|
|
|
300 |
|||
|
4. Резонансные |
явления . . |
.................................... |
. . |
303 |
|||
|
5. Доменная структура взаимодействующих пленок |
306 |
||||||
IV. |
6. Анизотропия высших порядков и спиральная анизотропия . |
310 |
||||||
Применения многослойных пленок........................ |
|
. |
. . |
322 |
||||
|
1. Системы памяти со считыванием с разрушением информации |
323 |
||||||
|
2. Системы памяти со считыванием без разрушения информации |
324 |
||||||
V. |
3. Некоторые другие применения |
. |
|
|
326 |
|||
Заключение . |
. |
|
|
|
|
|
326 |
|
5 - Диффузия в металлических пленках, К. У и в е р (п е р е в о д Л, С. Д а - |
334 |
|||||||
р е в с к о г о ) |
|
|
|
|
|
|
||
I. |
Введение |
системы |
|
|
334 |
|
334 |
|
II. |
Металлические |
|
|
. |
|
|||
|
1. Системы с неограниченной |
растворимостью . |
|
334 |
||||
|
2. Системы с ограниченной растворимостью |
. |
|
337 |
||||
III. |
3. Системы с интерметаллическими соединениями |
|
338 |
|||||
Экспериментальные методы |
|
|
350 |
|
343 |
|||
IV. |
Экспериментальные результаты |
|
|
350 |
||||
|
1. Системы с интерметаллическими соединениями |
|
||||||
|
2. Системы с неограниченной растворимостью |
|
373 |
|||||
V. |
3. Продольная диффузия |
|
|
|
|
377 |
||
Заключение |
|
|
|
|
|
|
383 |
|
Указатель авторов |
|
|
|
|
|
|
389 |
|
|
Ф И ЗИ К А Т О Н К И Х П Л Е Н О К . Т. VI |
|
|
|
||||
|
|
Редактор В , С. Х А Н Г У Л О В А |
|
|
|
|||
Переплет художника Я. А. У с а ч е ва |
Художественный редактор Ю . С . У р м а н ч е е в |
|||||||
|
Технический редактор Я. А . И о в л е в а |
Корректор Я. Я. Б а р а н о в а |
|
|
||||
Сдано в набор 27/Х 1972 г. Подписано к печати 20/Ш 1973 г. |
Бумага № I 60X90*/,12,25 |
|||||||
|
бум. л. 24,50 печ. л. |
Уч.*изд, |
л. 25,03 |
|
|
|||
|
Изд. JV» 20/6827. Цена 2 р. 12 к. Зак. 395 |
|
|
ИЗДАТЕЛЬСТВО „МИР“ Москва. 1-й Рижский пер., 2
Ордена Трудового Красного Знамени Ленинградская типография № 2 имени Евгении Соколовой «Союзполиграфпрома» при Государственном комитете
Совета Министров |
СССР по делам издательств, полиграфии и книжной торговли. |
гд |
Ленинград, Л-52, Измайловский проспект, 29 |