- •5 Оптика. Квантовая природа излучения Глава 21 Элементы геометрической и электронной оптики § 165. Основные законы оптики. Полное отражение
- •§ 166. Тонкие линзы. Изображение предметов с помощью линз
- •§ 187. Аберрации (погрешности) оптических систем
- •§ 168. Основные фотометрические величины и их единицы
- •§ 189. Элементы электронной оптики
- •Глава 22 Интерференция света § 170. Развитие представлений о природе света
- •§ 171. Когерентность и монохроматичность световых волн
- •§ 172. Интерференция света
- •§ 173. Методы наблюдения интерференции света
- •§ 174. Интерференция света в тонких пленках
- •§ 175. Применение интерференции света
- •Глава 23 Дифракция света § 176. Принцип Гюйгенса — Френеля
- •§ 177. Метод зон Френеля. Прямолинейное распространение света
- •§ 178. Дифракция Френеля на круглом отверстии и диске
- •§ 178. Дифракция Фраунгофера на одной щели
- •§ 180. Дифракция Фраунгофера на дифракционной решетке
- •§ 181. Пространственная решетка. Рассеяние света
- •§ 182. Дифракция на пространственной решетке. Формула Вульфа — Брэггов
- •§ 183. Разрешающая способность оптических приборов
- •§ 184. Понятие о голографии
- •Глава 24 Взаимодействие электромагнитных волн с веществом § 185. Дисперсия света
- •§ 186. Электронная теория дисперсии светя
- •§ 187. Поглощение (абсорбция) света
- •§ 188. Эффект Доплера
- •§ 189. Излучение Вавилова — Черенкова
- •Глава 25 Поляризация света § 190. Естественный и поляризованный свет
- •§ 191. Поляризация света при отражении и преломлении на границе двух диэлектриков
- •§ 192. Двойное лучепреломление
- •§ 193. Поляризационные призмы и поляроиды
- •§ 194. Анализ поляризованного света
- •§ 195. Искусственная оптическая анизотропия
- •§ 196. Вращение плоскости поляризации
- •Глава 26 Квантовая природа излучения § 197. Тепловое излучение и его характеристики
- •§ 188. Закон Кирхгофа
- •§ 199. Законы Стефана — Больцмана и смещения Вина
- •§ 200. Формулы Рэлея — Джинса и Планка
- •§ 201. Оптическая пирометрия. Тепловые источники света
- •§ 202. Виды фотоэлектрического эффекта. Законы внешнего фотоэффекта
- •§ 203. Уравнение Эйнштейна для внешнего фотоэффекта. Экспериментальное подтверждение квантовых свойств света
- •§ 204. Применение фотоэффекта
- •§ 205. Масса и импульс фотона. Давление света
- •§ 206. Эффект Комптона и его элементарная теория
- •§ 207. Единство корпускулярных и волновых свойств электромагнитного излучения
- •6 Элементы квантовой физики атомов, молекул и твердых тел Глава 27 Теория атома водорода по Бору § 208. Модели атома Томсона и Резерфорда
- •§ 209. Линейчатый спектр атома водорода
- •§ 210. Постулаты Бора
- •§ 211. Опыты Франка и Герца
- •§ 212. Спектр атома водорода по Бору
- •Глава 28 Элементы квантовой механики § 213. Корпускулярно-волновой дуализм свойств вещества
- •§ 214. Некоторые свойства волн да Бройля
- •§ 215. Соотношение неопределенностей
- •§ 216. Волновая функция и ее статистический смысл
- •§ 217. Общее уравнение Шредингера. Уравнение Шредингера для стационарных состояний
- •§ 218. Принцип причинности в квинтовой механике
- •§ 219. Движение свободной частицы
- •§ 220. Частице в одномерной прямоугольной «потенциальной яме» с бесконечно высокими «стенками»
- •§ 221. Прохождение частицы сквозь потенциальный барьер. Туннельный эффект
- •§ 222. Линейный гармонический осциллятор в квантовой механике
- •Глава 29 Элементы современной физики атомов и молекул § 223. Атом водорода в квантовой механике
- •§ 225. Спин электрона. Спиновое квантовое число
- •§ 226. Принцип неразличимости тождественных частиц. Фермионы и бозоны
- •§ 227. Принцип Паули. Распределение электронов в атоме по состояниям
- •§ 228. Периодическая система элементов Менделеева
- •§ 229. Рентгеновские спектры
- •§ 230. Молекулы: химические связи, понятие об энергетических уровнях
- •§ 231. Молекулярные спектры. Комбинационное рассеяние света
- •§ 232. Поглощение. Спонтанное и вынужденное излучения
- •§ 233. Оптические квантовые генераторы (лазеры)
- •Глава 30 Элементы квантовой статистики § 234. Квантовая статистика. Фазовое пространство. Функция распределения
- •§ 235. Понятие о квантовой статистике Бозе — Эйнштейна и Ферми — Дирака
- •§ 236. Вырожденный электронный газ в металлах
- •§ 237. Понятие о квантовой теории теплоемкости. Фононы
- •§ 238. Выводы квантовой теории электропроводности металлов
- •§ 239. Сверхпроводимость. Понятие об эффекте Джозефсона
- •Глава 31 Элементы физики твердого тела § 240. Понятие о зонной теории твердых тел
- •§ 241. Металлы, диэлектрики и полупроводники по зонной теории
- •§ 242. Собственная проводимость полупроводников
- •§ 243. Примесная проводимость полупроводников
- •§ 244. Фотопроводимость полупроводников
- •§ 245. Люминесценция твердых тел
- •§ 246. Контакт двух металлов по зонной теории
- •§ 247. Термоэлектрические явления и их применение
- •§ 248. Выпрямление на контакте металл — полупроводник
- •§ 249. Контакт электронного и дырочного полупроводников (p-n-переход)
- •§ 250. Полупроводниковые диоды и триоды (транзисторы)
- •7 Элементы физики атомного ядра и элементарных частиц Глава 32 Элементы физики атомного ядра § 251. Размер, состав и заряд атомного ядра. Массовое и зарядовое числа
- •§ 252. Дефект массы и энергия связи ядра
- •§ 253. Спин ядра и его магнитный момент
- •§ 254. Ядерные силы. Модели ядра
- •§ 255. Радиоактивное излучение и его виды
- •§ 256. Закон радиоактивного распада. Правила смещения
- •§ 257. Закономерности-распада
- •§ 259. Гамма-излучение и его свойства
- •§ 260. Резонансное поглощение-излучения (эффект Мёссбауэра*)
- •§ 261. Методы наблюдения и регистрации радиоактивных излучений и частиц
- •§ 262. Ядерные реакции и их основные типы
- •§ 264. Открытие нейтрона. Ядерные реакции под действием нейтронов
- •§ 265. Реакция деления ядра
- •§ 266. Цепная реакция деления
- •§ 267. Понятие о ядерной энергетике
- •§ 268. Реакция синтеза атомных ядер. Проблема управляемых термоядерных реакций
- •Глава 33 Элементы физики элементарных частиц § 269. Космическое излучение
- •§ 270. Мюоны и их свойства
- •§ 271. Мезоны и их свойства
- •§ 272. Типы взаимодействий элементарных частиц
- •§ 273. Частицы и античастицы
- •§ 274. Гипероны. Странность и четность элементарных частиц
- •§ 275. Классификация элементарных частиц. Кварки
- •Заключение
§ 244. Фотопроводимость полупроводников
Фотопроводимость(см. § 202) полупроводников—увеличение электропроводности полупроводников под действием электромагнитного излучения —может быть связана со свойствами как основного вещества, так и содержащихся в нем примесей. В первом случае при поглощении фотонов, соответствующих собственной полосе поглощения полупроводника, т. е. когда энергия фотонов равна или больше ширины запрещенной зоны (h E),могут совершаться перебросы электронов из валентной зоны в зону проводимости (рис. 324,а), что приведет к появлению добавочных (неравновесных) электронов (в зоне проводимости) и дырок (в валентной зоне). В результате возникаетсобственная фотопроводимость, обусловленная как электронами, так и дырками.
Если полупроводник содержит примеси, то фотопроводимость может возникать и при h < E:для полупроводников с донорной примесью фотон должен обладать энергиейh ЕD, а для полупроводников с акцепторной примесью — h ЕA. При поглощении света примесными центрами происходит переход электронов с донорных уровней в зону проводимости в случае полупроводникаn-типа (рис. 324, б) или из валентной зоны на акцепторные уровни в случае полупроводникаp-типа (рис. 324, в). В результате возникает примесная фотопроводимость,являющаяся чисто электронной для полупроводниковп-типа и чисто дырочной для полупроводниковp-типа.
Таким образом, если
(244.1)
(Eп— в общем случае энергия активации примесных атомов), то в полупроводнике возбуждается фотопроводимость. Из (244.1) можно определить красную границу фотопроводимости— максимальную длину волны, при которой еще фотопроводимость возбуждается:
Учитывая значения EиEпдля конкретных полупроводников, можно показать, что красная граница фотопроводимости для собственных полупроводников приходится на видимую область спектра, для примесных же полупроводников — на инфракрасную.
На рис. 325 представлена типичная зависимость фотопроводимости jи коэффициента поглощения от длины волны падающего на полупроводник света. Из рисунка следует, что при>0фотопроводимость действительно не возбуждается. Спад фотопроводимости в коротковолновой части полосы поглощения объясняется большой скоростью рекомбинации в условиях сильного поглощения в тонком поверхностном слое толщинойх1 мкм (коэффициент поглощения106м–1).
Наряду с поглощением, приводящим к появлению фотопроводимости, может иметь место экситонный механизм поглощения. Экситоны представляют собой квазичастицы — электрически нейтральные связанные состояния электрона и дырки, образующиеся в случае возбуждения с энергией, меньшей ширины запрещенной зоны. Уровни энергии экситонов располагаются у дна зоны проводимости. Так как экситоны электрически нейтральны, то их возникновение в полупроводнике не приводит к появлению дополнительных носителей тока, вследствие чего экситонное поглощение света не сопровождается увеличением фотопроводимости.
§ 245. Люминесценция твердых тел
В природе давно известно излучение, отличное по своему характеру от всех известных видов излучения (теплового излучения, отражения, рассеяния света и т. д.). Этим излучением является люминесцентное излучение, примерами которого может служить свечение тел при облучении их видимым, ультрафиолетовым и рентгеновским излучением, -излучением и т.д. Вещества, способные под действием различного рода возбуждений светиться, получили название люминофоров.
Люминесценция— неравновесное излучение, избыточное при данной температуре над тепловым излучением тела и имеющее длительность, большую периода световых колебаний. Первая часть этого определения приводит к выводу, что люминесценция не является тепловым излучением (см. § 197), поскольку любое тело при температуре выше 0 К излучает электромагнитные волны, а такое излучение является тепловым. Вторая часть показывает, что люминесценция не является таким видом свечения, как отражение и рассеяние света, тормозное излучение заряженных частиц и т. д. Период световых колебаний составляет примерно 10–15с, поэтому длительность, по которой свечение можно отнести к люминесценции, больше—примерно 10–10с. Признак длительности свечения дает возможность отличить люминесценцию от других неравновесных процессов. Так, по этому признаку удалось установить, что излучение Вавилова — Черенкова (см. § 189) нельзя отнести к люминесценции.
В зависимости от способов возбуждения различают: фотолюминесценцию(под действием света), рентгенолюминесценцию(под действием рентгеновского излучения),катодолюминесценцию(под действием электронов), электролюминесценцию(под действием электрического поля), радиолюминесценцию(при возбуждении ядерным излучением, например-излучением, нейтронами, протонами), хемилюминесценцию(при химических превращениях), триболюминесценцию(при растирании и раскалывании некоторых кристаллов, например сахара). По длительности свечения условно различают:флуоресценцию (t10–8с) и фосфоресценцию — свечение, продолжающееся заметный промежуток времени после прекращения возбуждения.
Первое количественное исследование люминесценции проведено более ста лет назад Дж. Стоксом,* сформулировавшим в 1852 г. следующее правило: длина волны люминесцентного излучения всегда больше длины волны света, возбудившего его (рис. 326). Согласно квантовой теории, правило Стокса означает, что энергия h падающего фотона частично расходуется на какие-то неоптические процессы, т. е.
откуда люм<илилюм>что и следует из сформулированного правила.
* Дж. Стокс (1819—1903) — английский физик и математик.
Основной энергетической характеристикой люминесценции является энергетический выход,введенный С. И. Вавиловым в 1924 г., — отношение энергии, излученной люминофором при полном высвечивании, к энергии, поглощенной им. Типичная для органических люминофоров (на примере раствора флуоресцина) зависимость энергетического выходаот длины волнывозбуждающего света представлена на рис. 327. Из рисунка следует, что вначалерастет пропорционально, а затем, достигая максимального значения, быстро спадает до нуля при дальнейшем увеличении(закон Вавилова).Величина энергетического выхода для различных люминофоров колеблется в довольно широких пределах, максимальное ее значение может достигать примерно 80%.
Твердые тела, представляющие собой эффективно люминесцирующие искусственно приготовленные кристаллы с чужеродными примесями, получили название кристаллофосфоров.На примере кристаллофосфоров рассмотрим механизмы возникновения люминесценции с точки зрения зонной теории твердых тел. Между валентной зоной и зоной проводимости кристаллофосфора располагаются примесные уровни активатора (рис. 328). При поглощении атомом активатора фотона с энергией hэлектрон с примесного уровня переводится в зону проводимости, свободно перемещается по кристаллу до тех пор, пока не встретится с ионом активатора и не рекомбинирует с ним, перейдя вновь на примесный уровень. Рекомбинация сопровождается излучением кванта люминесцентного свечения. Время высвечивания люминофора определяется временем жизни возбужденного состояния атомов активатора, которое обычно не превышает миллиардных долей секунды. Поэтому свечение является кратковременным и исчезает почти вслед за прекращением облучения.
Для возникновения длительного свечения (фосфоресценции) кристаллофосфор должен содержать также центры захвата, илиловушкидля электронов, представляющие собой незаполненные локальные уровни (например, Л1и Л2), лежащие вблизи дна зоны проводимости (рис. 329). Они могут быть образованы атомами примесей, атомами в междоузлиях и т. д. Под действием света атомы активатора возбуждаются, т. е. электроны с примесного уровня переходят в зону проводимости и становятся свободными. Однако они захватываются ловушками, в результате чего теряют свою подвижность, а следовательно, и способность рекомбинировать с ионом активатора. Освобождение электрона из ловушки требует затраты определенной энергии, которую электроны могут получить, например, от тепловых колебаний решетки. Освобожденный из ловушки электрон попадает в зону проводимости и движется по кристаллу до тех пор, пока или не будет снова захвачен ловушкой, или не рекомбинирует с ионом активатора. В последнем случае возникает квант люминесцентного излучения. Длительность этого процесса определяется временем пребывания электронов в ловушках.
Явление люминесценции получило широкое применение в практике, например люминесцентный анализ— метод определения состава вещества по характерному его свечению. Этот метод, являясь весьма чувствительным (примерно 10–10г/см3), позволяет обнаруживать наличие ничтожных примесей и применяется при тончайших исследованиях в биологии, медицине, пищевой промышленности и т. д. Люминесцентная дефектоскопия позволяет обнаружить тончайшие трещины на поверхности деталей машин и других изделий (исследуемая поверхность покрывается для этого люминесцентным раствором, который после удаления остается в трещинах).
Люминофоры используются в люминесцентных лампах, являются активной средой оптических квантовых генераторов (см. § 233) и сцинтилляторов (будут рассмотрены ниже), применяются в электронно-оптических преобразователях (см. § 169), для создания аварийного и маскировочного освещения и для изготовления светящихся указателей различных приборов.