- •Курсовая работа по предмету: Вакуумная и плазменная электроника
- •Содержание
- •Расчёт электрических характеристик кремниевого интегрального n-канального мдп транзистора
- •Исходные данные. Задание
- •Задание
- •1.2 Структура и топология мдп-транзистора
- •1.3 Расчет и корректировка порогового напряжения транзистора
- •1.4 Расчёт вах в рамках идеализированной модели
- •1.5 Расчёт вах с учётом неоднородности опз под затвором
- •1.6 Малосигнальная эквивалентная схема и ее параметры
- •1.7 Факультативное задание: Расчёт и корректировка порогового напряжения с учётом эффектов короткого и узкого канала
- •1.8 Факультативное задание: Расчёт реальной вах, зависящей от Vbs
- •1.9 Факультативное задание: Расчёт параметров эквивалентной схемы Рассчитаем малосигнальные параметры эквивалентной схемы, показанной на рисунке по рис.1.6:
Национальный исследовательский университет «МИЭТ»
Курсовая работа по предмету: Вакуумная и плазменная электроника
Вариант 12
Выполнил: Муса-Аджиева Татьяна
Группа ЭКТ-44
Проверил: Красюков А.Ю.
МОСКВА
2012
Содержание
1 |
Расчёт электрических характеристик кремниевого интегрального n-канального МДП-транзистора.................................................................. |
|
1.1 |
Исходные данные. Задание....................................................................... |
|
1.2 |
Структура и топология МДП-транзистора.............................................. |
|
1.3 |
Расчет и корректировка порогового напряжения транзистора............. |
|
1.4 |
Расчёт ВАХ в рамках идеализированной модели.................................. |
|
1.5 |
Расчёт ВАХ с учётом неоднородности ОПЗ под затвором................... |
|
1.6 |
Малосигнальная эквивалентная схема и ее параметры......................... |
|
1.7 |
Факультативное задание: Расчёт и корректировка порогового напряжения с учётом эффектов короткого и узкого канала.................. |
|
1.8 |
Факультативное задание: Расчёт реальной ВАХ, зависящей от ... |
|
1.9 |
Факультативное задание: Расчёт параметров эквивалентной схемы... |
|
-
Расчёт электрических характеристик кремниевого интегрального n-канального мдп транзистора
-
Исходные данные. Задание
Исходные данные. Вариант №12
1 |
Материал затвора |
N+-Si* |
2 |
Длина канала L, мкм |
2 |
3 |
Ширина канала W, мкм |
30 |
4 |
Толщина подзатворного диэлектрика (SiO2) d, мкм |
0.04 |
5 |
Концентрация примеси в подложке , см-3 |
1016 |
6 |
Подвижность электронов в канале n, см2/В.с |
400 |
7 |
Плотность поверхностных состояний , см-2 |
31010 |
8 |
Концентрация примеси в n+- слоях, см-3 |
1020 |
9 |
Глубина залегания стока , мкм |
0.5 |
ОБЩИЕ ДАННЫЕ
e = 1.62*10-19 Кл – заряд электрона,
ε0 = 8.85*10-14 Ф/см диэлектрическая проницаемость вакуума,
ε = 11.9 – относительная проницаемость Si,
εd = 3.4 – относительная проницаемость диэлектрика,
Еs = 1.5*104 В/см – продольное электрическое поле в канале,
Vt = 1 В – пороговое напряжение.