17. Общие закономерности дефектообразования в элементарном кристалле содержащем одну примесь. Примеси в бинарных кристаллах.

Если тепловая разупорядоченность велика и концентрация примесных дефектов по сравнению с тепловыми мала,то с-ва кристаллов определяются чисто тепловым беспорядком. Они зависят от температуры. Примесь будь то донорная или акцепторная начнет влиять на св-ва лишь тогда,когда ее концентрация станет сравнима с концентрацией собственных дефектов,при этом и сама концентрация собственных дефектов станет зависеть не только от температуры,но и от содержания примеси.Введение доноров приводит к росту концентрации – заряженных вакансий и электронов, а введение акцепторов к понижению концентрации – вакансий и к росту концентрации дырок. Примеси в бинарн кр-лах. В случае бинарных кр-лов дополнительно вводится понятие изовалентных и гетеро-валентных растворов. Изовалентный- такой р-р, в котором валентность частицы примеси не отличается от валентности атомов замещаемого вещества. гетеровалентные р-ры- это р-ры в которых степень окисления ч-цы примеси отличается от степени окисления замещающей частицы. Изовалентные р-ры представляют практический интерес,т.к. при их образовании меняется ширина запрещенной зоны. В изовалентных растворах эффективный заряд частицы примеси всегда равен 0. В гетеровалентных всегда отличен от 0,тем не менее в целом гетеровалентный кристаллв равновесных условиях остается электронейтральным т.к. происходят процессы компенсирования заряда примеси,работает принцип компенсации зарядов. Если при гетеровалентном замещении частицы посторонней или собственной примеси приобретает некий эффективный заряд, то независимо от природы примесей в кристалле всегда возникают процессы приводящие к компенсации этих зарядов и кристалл в целом остается электронейтральным. В принципе возможно 2 пути компенсации:1 появление гетеровалентной примеси повлечет за собой такую разупорядоченность,что в кристалле появятся собственные дефекты с противоположным примеси зарядом. 2 Если примесей больше чем 1 и они обладают различным эффективным зарядом,то они могут компенсировать друг друга.. 1)Если образуется твердый р-р замещения то надо сравнивать валентность примеси с валентностью той частицы которую она замещает,если валентность примеси больше-она донор,если-меньше-акцептор. 2)Для тв.р-ра внедрения. Если электронная оболочка внедрившаяся в междоузлие частицы заполнена больше,чем на половину,то она акцептор, если меньше чем нак половину-донор.

18.Факторы, обуславливающие явления переноса. Хаотический и направленный перенос.

Перенос термодинамически неизбежен. Однажды появились дефекты сами превращающиеся в фактор обеспечивающий перенос вещ-ва. происходит взаимообращение причины и следствия,без дефектов нет переноса-без переноса нет дефектов. Перенос в-ва- это диффузия. 2 вида диффузии:1)Хаотическая самодиффузия-процесс самопроизвольного случайного движения частиц в кр-лах под действием тепловых флуктуаций. 2) Направленная диффузия-процесс направленного переноса ч-ц под действием неких внешних сил. Вкач-ве внешних сил могут выступать: 1)Химический потенциал 2)электрический потенциал. Например диффузия до тех пор пока внешняя сила не исчезнет,либо пока не скомпенсируется какой-то внутренней силой,когда это произойдет останется лишь хаотическая самодиффузия. Если в кр-ле преобладают дефекты нестехиометрии-диффузия называется собственной, если примесные дефекты-то не собственной.