- •1. Особенности кристаллического строения твёрдых тел. Монокристаллы.
- •2. Правило фаз Гиббса. Однокомпонентная система.
- •3. Уравнение Клайперона – Клаузиуса. Анализ уравнения.
- •7. Диаграммы плавкости бинарных систем с химическими соединениями в твердой фазе.
- •8. Кристалло- физические методы получения сверхчистых металлов.
- •12. Термоэлектрические явления в проводниках.
- •18. Поляризация диэлектрических материалов. Механизмы.
- •19. Сегнетоэлектрики. Классификация. Применение. Свойства.
- •20. Пьезоэлектрики. Пьезоэлектрический эффект. Применение.
- •Физическая химия.
- •1. Элементы точечной симметрии кристаллов.
- •2.Элементы симметрии внутреннего строения кристаллов. Простые и сложные решетки.
- •3.4. Образование металлов и диэлектриком в схеме зонной теории. 4.Образование полупроводников в схеме зонной теории. Приместные полупроводники.
- •5. Теплоемкость кристалла. Зависимость теплоемкости от температуры.
- •6. Двойное лучепреломление и поляризация света в кр-лах. Оптические св-ва кристаллов и их применение.
- •7. Дефекты по Шоттки. Температурная зависимость концентрации дефектов. Дефекты по Френкелю. Температурная зависимость концентрации дефектов
- •8. Беспорядок в кристалле обусловленный нарушениями стехиометрии. Температурная зависимость концентрации дефектов нестихеометрии.
- •9. Беспорядок в кристалле обусловленный посторонними примесями. Неизбежность присутствия примесей в кристалле.
- •10.Факторы, обуславливающие явления переноса. Хаотический и направленный перенос.
- •11.Механизмы диффузии в кристаллах. Хаотическая самодиффузия. Коэффициент хаотической самодиффузии.
- •12. Направленная диффузия. 1 и 2 законы Фика.(взято из интернета).
- •13.Электрическая проводимость кристалла. Электрохимический перенос. Электрохимический потенциал.
- •14. Особенности и стадии протекания твердофазных реакций. 15.Формальное ур-е кинетики твердофазных реакций.
- •Физ. Электроника
- •Термоэлектронная эмиФссия
- •Термоэлектронная эмиссия с поверхности полупроводников
- •Термокатоды
- •2. Фотоэлектронная эмиссия
- •3. Вторичная электронная эмиссия
- •4. Движение электронов в вакууме в режимеобъемного заряда.
- •5. Триоды
- •Многоэлектродные лампы
- •6. Электронная оптика.
- •Электронные линзы
- •Электростатические линзы
- •Магнитные линзы
- •Электронно-оптические системы электронно-лучевых приборов
- •7. Приемные электронно-лучевые трубки
- •8. Электровакуумные приборы диапазонасверхвысоких частот Особенности движения электронов в свч полях
- •9. Типы столкновения электронов с тяжелыми частицами.
- •Упругие соударения электронов с атомами и молекулами газа
- •Неупругие соударения электронов с атомами и молекулами
- •11. Понятие газового усиления.
- •12. Виды самостоятельных разрядов
- •13. Газоразрядная плазма
- •15. Механизмы пробоя n-р перехода
- •16. Биполярные транзисторы
- •17. Полевые транзисторы с изолированным затвором (мдп-транзисторы)
2. Фотоэлектронная эмиссия
Испускание электронов твёрдым телом под действием света называетсяфотоэлектронной эмиссией или внешним фотоэффектом. Условиевозникновения эмиссии
Согласно закону Эйнштейна энергия кванта света расходуется на
выбивание электрона из твёрдого тела и сообщение ему кинетической
энергии:
(1.24)
Граничная частота, соответствующая порогу возникновения
фотоэмиссии(красная граница фотоэффекта), соответствует условию hо=. Фототок с поверхности твёрдого тела пропорционален интенсивностисветового потока (закон Столетова).К основным параметрам фотокатодов относятся:
интегральная чувствительность (А/Лм) или квантовый выход (числоэлектронов, выбиваемых из катода одним квантом света);
спектральная чувствительность, отражающая зависимостьквантового выхода фотокатода от длины волны падающего света.
Последняя обычно имеет вид кривой с одним или двумямаксимумами.
Металлы как материал фотокатодов, как правило, не используются из-замалого квантового выхода (10–4–10–5 эл/квант) и расположения краснойграницы фотоэффекта многих металлов в ультрафиолетовой областиспектра. Наибольшее распространение в технике получили сложныеполупроводниковые системы (сурьмяно-цезиевый, кислородно-цезиевый, мультищелочные фотокатоды).
Кислородно-цезиевый фотокатод отличается широким спектральнымдиапазоном (200–1100 нм) при сравнительно малом квантовом выходе(0,01–0,03 эл/квант).
Рис. 1.5. Спектральные характеристики фотокатодов
Сурьмяно-цезиевый фотокатод работает в более узком спектральномдиапазоне (200–700 нм), но квантовый выход его достигает 0.3.
Существенное расширение спектрального диапазона при высоком квантовомвыходе достигнуто в сурьмяно-мультищелочных фотокатодах (200–1000 нм), которые широко используются в современных фотоэлектронныхумножителях и других фотоэлектронных приборах.
Спектральную характеристику, близкую к кривой видимости глаза, имеет висмуто-серебряно-цезиевый катод.
Перспективными материалами для фотокатодов являются соединениятипа А3В5, активированные щелочными металлами (GаАs-Сs2О-Сs; InAsPCs2О–Сs), которые имеют высокую чувствительность в инфракраснойобласти спектра.
Катоды фотоэлектронных приборов конструктивно изготовляютмассивными или полупрозрачными. Массивные фотокатоды представляютсобой плёнки толщиной до нескольких долей микрометра и освещаются состороны эмитирующей поверхности. Полупрозрачные фотокатоды имеюттолщину 20–30 нм и облучаются светом с тыльной стороны черезстеклянную подложку, являющуюся частью оболочка прибора. Толщинаполупрозрачного фотокатода подбирается таким образом, чтобы обеспечитьмаксимальное поглощение излучения на такой глубине от эмитирующейповерхности, при которой значительная часть возбуждённых фотонамиэлектронов может достичь этой поверхности, сохранив энергию, достаточную для выхода в вакуум. Простейшим прибором, в котором используется явлениефотоэлектронной эмиссии, является фотоэлемент, состоящий из фотокатода, анода и вакуумной оболочки. В последнюю входит и подложка фотокатодаили оптическое окно. Фотокатоды применяются также в качестве элементаряда электронных приборов – фотоумножителей, электронно-оптическихпреобразователей, передающих электронно-лучевых трубок и др.