- •1. Особенности кристаллического строения твёрдых тел. Монокристаллы.
- •2. Правило фаз Гиббса. Однокомпонентная система.
- •3. Уравнение Клайперона – Клаузиуса. Анализ уравнения.
- •7. Диаграммы плавкости бинарных систем с химическими соединениями в твердой фазе.
- •8. Кристалло- физические методы получения сверхчистых металлов.
- •12. Термоэлектрические явления в проводниках.
- •18. Поляризация диэлектрических материалов. Механизмы.
- •19. Сегнетоэлектрики. Классификация. Применение. Свойства.
- •20. Пьезоэлектрики. Пьезоэлектрический эффект. Применение.
- •Физическая химия.
- •1. Элементы точечной симметрии кристаллов.
- •2.Элементы симметрии внутреннего строения кристаллов. Простые и сложные решетки.
- •3.4. Образование металлов и диэлектриком в схеме зонной теории. 4.Образование полупроводников в схеме зонной теории. Приместные полупроводники.
- •5. Теплоемкость кристалла. Зависимость теплоемкости от температуры.
- •6. Двойное лучепреломление и поляризация света в кр-лах. Оптические св-ва кристаллов и их применение.
- •7. Дефекты по Шоттки. Температурная зависимость концентрации дефектов. Дефекты по Френкелю. Температурная зависимость концентрации дефектов
- •8. Беспорядок в кристалле обусловленный нарушениями стехиометрии. Температурная зависимость концентрации дефектов нестихеометрии.
- •9. Беспорядок в кристалле обусловленный посторонними примесями. Неизбежность присутствия примесей в кристалле.
- •10.Факторы, обуславливающие явления переноса. Хаотический и направленный перенос.
- •11.Механизмы диффузии в кристаллах. Хаотическая самодиффузия. Коэффициент хаотической самодиффузии.
- •12. Направленная диффузия. 1 и 2 законы Фика.(взято из интернета).
- •13.Электрическая проводимость кристалла. Электрохимический перенос. Электрохимический потенциал.
- •14. Особенности и стадии протекания твердофазных реакций. 15.Формальное ур-е кинетики твердофазных реакций.
- •Физ. Электроника
- •Термоэлектронная эмиФссия
- •Термоэлектронная эмиссия с поверхности полупроводников
- •Термокатоды
- •2. Фотоэлектронная эмиссия
- •3. Вторичная электронная эмиссия
- •4. Движение электронов в вакууме в режимеобъемного заряда.
- •5. Триоды
- •Многоэлектродные лампы
- •6. Электронная оптика.
- •Электронные линзы
- •Электростатические линзы
- •Магнитные линзы
- •Электронно-оптические системы электронно-лучевых приборов
- •7. Приемные электронно-лучевые трубки
- •8. Электровакуумные приборы диапазонасверхвысоких частот Особенности движения электронов в свч полях
- •9. Типы столкновения электронов с тяжелыми частицами.
- •Упругие соударения электронов с атомами и молекулами газа
- •Неупругие соударения электронов с атомами и молекулами
- •11. Понятие газового усиления.
- •12. Виды самостоятельных разрядов
- •13. Газоразрядная плазма
- •15. Механизмы пробоя n-р перехода
- •16. Биполярные транзисторы
- •17. Полевые транзисторы с изолированным затвором (мдп-транзисторы)
4. Движение электронов в вакууме в режимеобъемного заряда.
Поле, действующее на электрон в вакууме, складывается из внешнегополя и поля, создаваемого совокупностью заряженных частиц. Суммазарядов всех частиц и образует пространственный или объёмный заряд.
Пространственный заряд оказывает влияние на движение электронов вусловиях, когда плотность тока достаточно велика, а объём пространства, вкотором движутся электроны, мал. Движение электронов в режимеобъёмного заряда реализуется в приёмно-усилительных и генераторныхэлектронных лампах.
Диоды
Простейшей электронной лампой с двумя электродами – катодом ианодом – является диод. Рассмотрим распределение потенциалов в плоскомдиоде (рис. 2.1).
Рис. 2.1. Распределение потенциала в плоском вакуумном диоде:
а) – при постоянном анодном напряжении и разных токах эмиссии;
б) – при постоянном токе эмиссии и разных анодных напряжениях
При постоянном анодном напряжении и отсутствии эмиссионного тока(рис. 2.1, а, кривая 1) распределение потенциала между электродамилинейно. Испускание электронов с катода приводит к формированиюобъёмного отрицательного заряда и пониженного потенциала в каждой точкепространства, причём при достаточно высоком уровне эмиссии возле катодапоявляется область с отрицательным по отношению к нему потенциалом(рис. 2.1, а, кривые 2,3,4). При постоянном токе эмиссии и различныханодных напряжениях распределение потенциала между электродамипоказано на рис. 2.1б.
Потенциал в каждой точке пространства связан с плотностью объёмногозаряда уравнением Пуассона:
(2.1)
Пусть в некоторой системе электродов имеется ток, создающий полепространственного заряда. Согласно уравнению Пуассона возрастаниепотенциала в n раз вызывает увеличение объёмного заряда то же в n раз. Поскольку плотность тока равна произведению плотности объёмного зарядана скорость электронов j = .v, то увеличение потенциала в n раз вызовет
увеличение плотности тока в n3/2раза. Следовательно, связь междуплотностью тока и напряжением на электродах должна описыватьсявыражением типа:
(2.2)
где G – первеанс диода.
Это уравнение описывает вольтамперную характеристику диода врежиме объёмного заряда и называется уравнением трёх вторых. Выводуравнения трёх вторых для плоского случая проводится при следующихдопущениях:
пренебрегают краевыми эффектами;
предполагают, что катод находится в минимуме потенциала, т.е. напряжённость поля около катода равна нулю;
начальные скорости электронов, покидающих катод, полагаютравными нулю;
Решение уравнения Пуассона для плоского случая
(2.3)
где d – расстояние между электродами.
Как видно из рис. 2.1, отсчет координаты х следует вести не от катода, аот минимума потенциала xmin. Но в большинстве режимов работы диодарасстояние от минимума потенциала до катода хminмного меньшемежэлектродного расстояния d, а глубина минимума по абсолютномузначению меньше величины анодного напряжения, поэтому дляпрактических расчетов можно полагать d – хmin~ d и Ua – Umin ~ Ua
Для цилиндрического диода в виде системы коаксиальных цилиндровуравнение Пуассона имеет вид:
(2.4)
Его решение может быть представлено в том же виде, что и дляплоского случая, но с введением поправочного множителя 2:
(2.5)
где ra– радиус анода, l – длина системы электродов.
Величина поправки 2зависит от отношения радиусов анода и катода иприводится в справочной литературе. Отметим, что в цилиндрическихдиодах неучет начальной скорости покидающих катод электронов частичнокомпенсирует поправку 2и для практических расчетов может бытьиспользовано уравнение:
(2.6)
Уравнение трёх вторых справедливо только для режима объёмногозаряда. При больших анодных напряжениях все электроны, испускаемыекатодом, попадают на анод и прибор работает в режиме насыщения. Видвольтамперной характеристики вакуумного диода показан на рис. 2.2.
Рис. 2.2. Вольт-амперная характеристика (ВАХ) вакуумного диода:
I – область объёмного зарядаII – промежуточная область;
III – режим насыщения
В режиме насыщения наблюдается некоторое возрастание анодноготока, связанное с проявлением эффекта Шоттки.
Рабочими параметрами вакуумного диода являются:
крутизна вольтамперной характеристики S,
внутреннее сопротивление диода Ri
междуэлектродная ёмкость;
наибольшее обратное напряжение;
максимальная мощность, рассеиваемая анодом.
Вакуумные диоды применяются для выпрямления переменного тока, для детектирования и преобразования ВЧ и СВЧ колебаний.