- •1. Особенности кристаллического строения твёрдых тел. Монокристаллы.
- •2. Правило фаз Гиббса. Однокомпонентная система.
- •3. Уравнение Клайперона – Клаузиуса. Анализ уравнения.
- •7. Диаграммы плавкости бинарных систем с химическими соединениями в твердой фазе.
- •8. Кристалло- физические методы получения сверхчистых металлов.
- •12. Термоэлектрические явления в проводниках.
- •18. Поляризация диэлектрических материалов. Механизмы.
- •19. Сегнетоэлектрики. Классификация. Применение. Свойства.
- •20. Пьезоэлектрики. Пьезоэлектрический эффект. Применение.
- •Физическая химия.
- •1. Элементы точечной симметрии кристаллов.
- •2.Элементы симметрии внутреннего строения кристаллов. Простые и сложные решетки.
- •3.4. Образование металлов и диэлектриком в схеме зонной теории. 4.Образование полупроводников в схеме зонной теории. Приместные полупроводники.
- •5. Теплоемкость кристалла. Зависимость теплоемкости от температуры.
- •6. Двойное лучепреломление и поляризация света в кр-лах. Оптические св-ва кристаллов и их применение.
- •7. Дефекты по Шоттки. Температурная зависимость концентрации дефектов. Дефекты по Френкелю. Температурная зависимость концентрации дефектов
- •8. Беспорядок в кристалле обусловленный нарушениями стехиометрии. Температурная зависимость концентрации дефектов нестихеометрии.
- •9. Беспорядок в кристалле обусловленный посторонними примесями. Неизбежность присутствия примесей в кристалле.
- •10.Факторы, обуславливающие явления переноса. Хаотический и направленный перенос.
- •11.Механизмы диффузии в кристаллах. Хаотическая самодиффузия. Коэффициент хаотической самодиффузии.
- •12. Направленная диффузия. 1 и 2 законы Фика.(взято из интернета).
- •13.Электрическая проводимость кристалла. Электрохимический перенос. Электрохимический потенциал.
- •14. Особенности и стадии протекания твердофазных реакций. 15.Формальное ур-е кинетики твердофазных реакций.
- •Физ. Электроника
- •Термоэлектронная эмиФссия
- •Термоэлектронная эмиссия с поверхности полупроводников
- •Термокатоды
- •2. Фотоэлектронная эмиссия
- •3. Вторичная электронная эмиссия
- •4. Движение электронов в вакууме в режимеобъемного заряда.
- •5. Триоды
- •Многоэлектродные лампы
- •6. Электронная оптика.
- •Электронные линзы
- •Электростатические линзы
- •Магнитные линзы
- •Электронно-оптические системы электронно-лучевых приборов
- •7. Приемные электронно-лучевые трубки
- •8. Электровакуумные приборы диапазонасверхвысоких частот Особенности движения электронов в свч полях
- •9. Типы столкновения электронов с тяжелыми частицами.
- •Упругие соударения электронов с атомами и молекулами газа
- •Неупругие соударения электронов с атомами и молекулами
- •11. Понятие газового усиления.
- •12. Виды самостоятельных разрядов
- •13. Газоразрядная плазма
- •15. Механизмы пробоя n-р перехода
- •16. Биполярные транзисторы
- •17. Полевые транзисторы с изолированным затвором (мдп-транзисторы)
8. Электровакуумные приборы диапазонасверхвысоких частот Особенности движения электронов в свч полях
В диапазоне сверхвысоких частот проявляется соизмеримость периодаколебаний с временем пролёта электронов между электродами. Последнееобычно составляет 10-8 – 10-10с, поэтому уже на частотах 108 – 109 Гц(метровые и дециметровые волны) время пролёта оказывается равнымпериоду колебаний, а на сантиметровых и дециметровых волнах онопревышает период колебаний на порядки величины. Это приводит к сдвигуфазы поля в приборе за время движения электронов между электродами.
Угол сдвига фаз, называемый углом пролёта, связан с временем пролёта
следующим образом:
(2.9)
Оценки угла пролёта могут быть сделаны исходя из выражений
(2.10)
для электронов, движущихся в поле, и
(2.11)
для электронов, движущихся по инерции.
Уже на частоте 1ГГц угол пролёта составляет несколько радиан иизменение фазы поля делает невозможным работу низкочастотных приборовв СВЧ диапазоне. Кроме того, в диапазоне сверхвысоких частотиндуктивности вводов лампы и междуэлектродные ёмкости оказываютсясоизмеримыми с соответствующими параметрами элементов внешней цепи, что также не позволяет использовать низкочастотные приборы в цепях СВЧ.
Миниатюризация приборов и выбор рациональной конструкции лампыпозволяют расширить частотный диапазон, но не решают проблему впринципиальном плане, поэтому появилась необходимость использованияиных принципов усиления и генерации электромагнитных колебаний насверхвысоких частотах, в частности, полезное использование конечноговремени пролета электронов между электродами, что соответствуетдинамическому режиму работы прибора.
Целью любого прибора СВЧ является преобразование энергиипостоянного электрического тока в энергию сверхвысокочастотныхколебаний. Поток электронов, проходящий через резонанснуюколебательную систему, создаёт в ней наведённый ток, который, проходячерез нагрузочное сопротивление, создаёт в нём падение напряжения.
Последнее приводит к возникновению в зазоре поля, тормозящегоэлектроны. В результате разность энергий электронов на входе и выходезазора резонансной системы отдаётся внешней цепи. Таким образом, энергияпередаётся во внешнюю цепь в процессе движения электронов в тормозящемэлектрическом поле.
Одиночный электрон или короткий электронный сгусток возбудит врезонаторе затухающие колебания. Для компенсации потерь энергии иэффективной накачки резонатора электронные сгустки нужно подавать врезонатор периодически в фазах, совпадающих с фазой максимальноготормозящего поля. То есть эффективная передача энергии требуетформирования модулированного по плотности электронного потока, чтодостигается с помощью управляющего устройства. В СВЧ приборахиспользуются динамические методы управления, позволяющие оказыватьгруппирующее воздействие на электронный поток без изменения плотностипотока электронов в самом устройстве. Динамическое управлениеэлектронным потоком возможно путём предварительного периодическогоизменения скоростей электронов в управляющем устройстве (скоростнаямодуляция) с последующим преобразованием модулированного по скоростиэлектронного потока в модулированный по плотности в пространстве междууправляющим и выходным устройствами.