- •1. Особенности кристаллического строения твёрдых тел. Монокристаллы.
- •2. Правило фаз Гиббса. Однокомпонентная система.
- •3. Уравнение Клайперона – Клаузиуса. Анализ уравнения.
- •7. Диаграммы плавкости бинарных систем с химическими соединениями в твердой фазе.
- •8. Кристалло- физические методы получения сверхчистых металлов.
- •12. Термоэлектрические явления в проводниках.
- •18. Поляризация диэлектрических материалов. Механизмы.
- •19. Сегнетоэлектрики. Классификация. Применение. Свойства.
- •20. Пьезоэлектрики. Пьезоэлектрический эффект. Применение.
- •Физическая химия.
- •1. Элементы точечной симметрии кристаллов.
- •2.Элементы симметрии внутреннего строения кристаллов. Простые и сложные решетки.
- •3.4. Образование металлов и диэлектриком в схеме зонной теории. 4.Образование полупроводников в схеме зонной теории. Приместные полупроводники.
- •5. Теплоемкость кристалла. Зависимость теплоемкости от температуры.
- •6. Двойное лучепреломление и поляризация света в кр-лах. Оптические св-ва кристаллов и их применение.
- •7. Дефекты по Шоттки. Температурная зависимость концентрации дефектов. Дефекты по Френкелю. Температурная зависимость концентрации дефектов
- •8. Беспорядок в кристалле обусловленный нарушениями стехиометрии. Температурная зависимость концентрации дефектов нестихеометрии.
- •9. Беспорядок в кристалле обусловленный посторонними примесями. Неизбежность присутствия примесей в кристалле.
- •10.Факторы, обуславливающие явления переноса. Хаотический и направленный перенос.
- •11.Механизмы диффузии в кристаллах. Хаотическая самодиффузия. Коэффициент хаотической самодиффузии.
- •12. Направленная диффузия. 1 и 2 законы Фика.(взято из интернета).
- •13.Электрическая проводимость кристалла. Электрохимический перенос. Электрохимический потенциал.
- •14. Особенности и стадии протекания твердофазных реакций. 15.Формальное ур-е кинетики твердофазных реакций.
- •Физ. Электроника
- •Термоэлектронная эмиФссия
- •Термоэлектронная эмиссия с поверхности полупроводников
- •Термокатоды
- •2. Фотоэлектронная эмиссия
- •3. Вторичная электронная эмиссия
- •4. Движение электронов в вакууме в режимеобъемного заряда.
- •5. Триоды
- •Многоэлектродные лампы
- •6. Электронная оптика.
- •Электронные линзы
- •Электростатические линзы
- •Магнитные линзы
- •Электронно-оптические системы электронно-лучевых приборов
- •7. Приемные электронно-лучевые трубки
- •8. Электровакуумные приборы диапазонасверхвысоких частот Особенности движения электронов в свч полях
- •9. Типы столкновения электронов с тяжелыми частицами.
- •Упругие соударения электронов с атомами и молекулами газа
- •Неупругие соударения электронов с атомами и молекулами
- •11. Понятие газового усиления.
- •12. Виды самостоятельных разрядов
- •13. Газоразрядная плазма
- •15. Механизмы пробоя n-р перехода
- •16. Биполярные транзисторы
- •17. Полевые транзисторы с изолированным затвором (мдп-транзисторы)
11. Понятие газового усиления.
Ускоряя электрическим полем электроны, образовавшиеся при первичной ионизации, можно, оставаясь в режиме несамостоятельного разряда, получить большое газовое усиление.
Пробой разрядного промежутка
Принимая во внимание эмиссию электронов под действием ударов
положительных ионов, можно получить следующий закон нарастания тока вмеждуэлектродном промежутке:
Обычно – величина малая и произведение ed1меньше единицы.
При этом уменьшение тока с катода под действием посторонних факторовбудет приводить к уменьшению анодного тока. При Iк= 0 окажется равнымнулю и ток на анод, что подтверждает несамостоятельность разряда.
Если при неизменномIкувеличивать анодный ток за счёт увеличенияedи уменьшения 1ed1путём подбора соответствующих условий, это будет объясняться увеличением интенсивности электронных лавин, развивающихся между электродами.
Однако как бы ни была мала величина 1ed 1, анодный токбудет иметь место только при наличии эмиссионного тока под действиемвнешних факторов, т.е. разряд будет оставаться несамостоятельным.
Предположим, что в результате увеличения edчлен знаменателя ed1станет равным единице, а весь знаменатель равным нулю. Формально этоозначает, что при Iк= 0 в правой части уравнения имеется неопределённость.
При этих условиях анодный ток будет иметь место даже при отсутствииэмиссии электронов из катода под действием внешних факторов. Электронные лавины становятся настолько мощными, количество ионов, возникающих в объёме столь велико, что эмиссия электронов из катода поддействием ионной бомбардировки обеспечивает разряд.
Таким образом, выражение
(5.7)
характеризует условие, при котором разряд переходит изнесамостоятельного в самостоятельный. Это условие имеет следующийфизический смысл: разряд становится самостоятельным, если одинвыходящий из катода электрон порождает такое количество положительныхионов, которые приходя к катоду, выбивают из него не менее одногоэлектрона.
Ранее было отмечено, что коэффициенты /Р и являются функциямиприведённой напряжённости поляЕ/Р. Учитывая это условие переходаразряда из несамостоятельного в самостоятельный, можно записать:
(5.8)
Напомним, что речь идёт о моменте, предшествующем развитиюразряда, когда объёмный заряд электронов и ионов ещё невелик исущественного влияния на распределение потенциала между электродами неоказывает. При этом распределение потенциала можно считать линейным инапряжённость поля постоянной:
(5.9)
Тогда уравнение можно переписать в виде:
(5.10)
Это уравнение показывает, что напряжение зажигания самостоятельногоразряда является функцией произведения давления на расстояние междуэлектродами U f P d з . Эта зависимость ещё до появления теорииТаунсенда была исследована экспериментально Пашеном в широкомдиапазоне условий, поэтому соответствующие кривые носят названиекривых Пашена. Типичный вид зависимости напряжения зажигания отпроизведения давления на расстояние между электродами приведён нарис. 5.2.
Наличие минимума на кривой связано с тем, что по мере увеличениявеличины Рdувеличивается частота столкновений электронов с молекуламигаза, что приводит к увеличению вероятности ионизации, но в то же времяуменьшается энергия, приобретаемая электронами между столкновениями, что вызывает уменьшение вероятности ионизации. Напряжение зажиганияразряда является одной из важнейших характеристик ионных приборов и этопослужило причиной многочисленных исследований по влиянию материалаэлектродов и состава газа на потенциал зажигания.
Рис. 5.2. Типичный вид кривой Пашена
Было найдено, что напряжение зажигания уменьшается приуменьшении работы выхода электронов из катода (коэффициент зависит отработы выхода). При изготовлении некоторых типов ионных приборов дляуменьшения потенциала зажигания разряда производится активация катодавеществами, снижающими работу выхода (например, барием, цезием и др.).
Напряжение зажигания сильно понижается при добавлении к основномугазу легкоионизируемой примеси. Это может быть связано как с меньшимпотенциалом ионизации примеси, так и с эффектом Пеннинга, когдаметастабильные атомы основного газа ионизируют атомы или молекулыпримеси. Закон Пашена может нарушаться при сильном уменьшениидавления газа, когда средняя длина свободного пробега становитсясоизмеримой с расстоянием между электродами. Кроме того, отклонения отзакона Пашена наблюдаются и при давлениях больше 1 атм, когда разрядразвивается в виде искры.