§500 Мкм. Селен является фото-

«Ьйкиком: вне радиационного пото-

ass ведет себя как диэлектрик, но в

_:фотонов рентгеновского излу-

||рШриобретает электрическую

теть, которая пропорцио-

генсивности потока. В ре-

облучения происходит преоб-

ie энергии и формирование

:кого сигнала. Стадии преоб-

' иллюстрируются рис. 1.17.

. (подготовительной - до на-

31ЩПИ) стадии к слою селена

ается постоянное напряже-

произволптся с помощью ко- ’разряда при использовании

проводника с высоким потен-

'^■(проводник расположен на не-

расстоянии от поверхности

® учетом того, что заряды про-

гой полярности накаплива-

фйзоминиевой поверхности ба- на которую нанесен слой

*го селена, этот слой оказыва-

^ш1пгоическом поле большой на-

I. На следующей стадии, в

Таблица 1.12. Основные технические характеристики устройств для оцифровки рентгеновской nneHKV

ХАРАКТЕРИСТИКА	ко	МПАНИЯ-ПРОИЗВОДИТЕЛЬ, НАИМЕНОВАНИЕ УСТРОЙСТВА
	Vidar, DiagnosticPRO plus	Howtek, MultiRAD 860	Lumisys, Lumiscan 75	Canon, Film Scanner 300	RDI, Cobrasc; СХ-200С
Технология получения первичного светового потока	Широкополос­ный источник света ультрафи­олетового диапа­зона длин волн	Твердотельные светодиоды, из- лучающие крас­ный свет	Лазер *	Галогенная лампа	Нет данных
Тип детектора	ПЗС-матрица	ПЗС-матрица	Фотоэлектрон­ный умножитель	ПЗС-матрица	ПЗС-матр,'^
Размер пленки, см
максимальная ширина максимальная длина	35 130	35 100	35 91	35 43	35 45
Динамический диапазон (оптическая плотность)	0-3,85	0-3,85	0,03-3,8	0-3,5	0,01-4,С
Минимальный размер пиксела (ширина пленки 35 см), мкм	85	43,5	100	84 (при скорости движения плен­ки 36 мм/с)	34 17 (с ии^_г:-‘ цией "с оси)
Максимальная пространственная разрешающая способность (шири­на пленки 35 см), пар линий/ мм	5,9	11,5	5,0	6,0	14,7 29,4 (с ляцией оси)
Максимальная ширина серой шка­лы, число градаций	2'^6	212	2^12	212	2^й
Изменяемое количество пикселов в строке	1К, 2К, 4К, 8К	1 К, 2К, 4К, 8К	1 К, 2К, 4К	2К, 4К	0.67К. К 4К, 4,8К. г 19.04К
Время сканирования пленки разме­ром 35 х 43 см для различных зна­чений параметра разрешения, с	1К — 9 2К - 19,5 4К-39	1К — 9 2К - 19 4К-39 8К-78	1К — 9 2К- 18 4К-36	2К-6 4К- 12	2К- 12 4К-30
Емкость лотка для пленки (макси­мальное количество одновременно загружаемых пленок)	25 различного размера	60 одного раз­мера	6 или 100, опция	100 различного размера	Лоток постав.' ется в качес опции

процессе экспонирования, в слое селена происходит накопление энергии фотонов и высвобожд ние электронов. Эти свободные электроны и обеспечивают электрическую проводимость (так н зываемую электронно-дырочную проводимость). Под воздействием постоянного электрическо: поля электроны мигрируют в сторону поверхности слоя селена и частично нейтрализуют прюь женный положительный заряд.

^ Тем самым происходит уменьшение заряда на поверхности слоя селена (и, следовательн уменьшение разности потенциалов между поверхностью селена и поверхностью барабана), пр( порциональное интенсивности потока фотонов в той или иной области поверхности. В результ; те формируется скрытое изображение.

На третьей стадии преобразования осуществляется бесконтактное электрическое скат- рование сформированного потенциального рельефа с помощью электрометров, находящихся н расстоянии приблизительно 100 мкм от поверхности селенового слоя. После считывания, усиле ния и аналого-цифрового преобразования соответствующих электрических сигналов, осущесть

регистр ылг:-:' "'.'лученного массива цифро­данных в рабочей станции. Описанный под­нятое.: применение б разработанном в начале -х гсстз к: м.-анпей Philips цифровом рентге- костнческ: у комплексе для исследования юв груди:к клетки Tr.oravision [487] (селе- ft барабан диаметром 50 см. размер поля :49 см, фокусное расстояние 200 см).

П

Рис.

18. Структурная схема аппарата Thoravision - излучатель, 2 - селеновый барабан).

о краям барабана располагаются: устрой- ;формирования коронного разряда и устрой- '^Считывания информации, содержащее ре- из 36 чувствительных элементов (рис.

). Для создания электрического поля (зарядки 5ана) включают устройство формирования ^нного разряда и медленно вращают барабан.

_№йяе,того, как поверхность равномерно заряже- ^вращение прекращается и производится экс- 1я. Сразу же после окончания экспозиции •ается вращение барабана с большой скоро­ди считывание информации. В процессе считывания решетка с чувствительными элемента- ЩеДленно перемещается в направлении параллельном оси барабана, так чтобы каждый эле- ipanr сканировал узкую спиралевидную область поверхности. Полностью весь процесс сканиро-

• занимает не более 10 с. Описанный цифровой рентгенодиагностический комплекс под- ' Лил свою эффективность в клинической практике [342, 487]. Следует отметить, что системы Зове селенового барабана имеют пространственную разрешающую способность порядка 2,5 Jjcamm/MM, что ниже аналогичного параметра для комбинации экран/пленка. Однако, эти си- обладают значительно более широким динамическим диапазоном и значительно более кой квантовой эффективностью (порядка 60% в области нулевых пространственных час- ‘З^чго позволяет получать с их помощью цифровые рентгеновские изображения достаточно жОго диагностического качества.

|кТСистемы с использованием плоских панелей на базе аморфного селена. В этом случае зуются плоские панели на основе аморфного селена, которые реализуют физические *пы, описанные в предыдущем подразделе. Этот тип детекторов начал применяться в кли­кой практике в конце 1990-х годов. К настоящему времени разработаны и выпускаются па- различных типоразмеров, максимальный из которых соответствует полноформатному ■(35x43 см). Детекторы представляют собой многослойную плоскую структуру, помещен- Вдспециальный рентгенопрозрачный корпус с внешними размерами, несколько превосходя- полезную поверхность (например, размер в сборке детекторов для полноформатной циф- рентгенографии составляет 46,7x46,7x4,2 см).

*-_уСтруктурная схема системы представлена на рис. 1.19. На начальном этапе за счет облуче- '^потоком фотонов рентгеновского излучения слоя аморфного селена, который находится в тряпном электрическом поле большой напряженности (к поверхностным электродам при­катывается напряжение порядка 5 кВ), на поверхности слоя формируется потенциальный акеф. Затем осуществляется считывание информации о распределении зарядов в плоской ре- ■'Электродов, выполненной по тонкопленочной технологии, - слое, содержащем полупро- ’знковые элементы (транзисторы) на базе аморфного кремния (amorphous silicon, a-Si). В ре- пгате формируются электрические сигналы, которые в дальнейшем подвергаются усилению лого-цифровому преобразованию. Становится возможной регистрация рентгеновского изо- %ния в рабочей станции и его последующие обработка и анализ. Для повышения квантовой Активности детектора (снижения уровня собственных шумов) в конструкции, как правило, усматриваются меры для активного (принудительного) охлаждения. Полноформатные пло- шанели обладают пространственной разрешающей способностью порядка 3,6 пар ли-