- •4 Анализ состояния процесса «диффузия фосфора в эмиттер» изделия 78 хх на основе мониторинга значений выходных параметров
- •4.1 Анализ состояния процесса на основе мониторинга значений статического коэффициента передачи тока h21э
- •Вычисляем средний скользящий размах
- •Подставляем значения в формулы (4.1) и (4.2) получаем
- •Подставляя требуемые значения в формулы (4.3) и (4.4), получаем
- •4.2 Анализ состояния процесса на основе мониторинга значений uэб
- •Продолжение таблицы 4.3
- •Подставляя полученные значения в формулы (4.1) и (4.2), получаем:
- •Продолжение таблицы 4.4
- •Подставляем значения в формулы (4.3) и (4.4) получаем
- •Продолжение таблицы 4.5
- •Подставляем полученное значениев формулы (4.1) и (4.2), получаем
- •Продолжение таблицы 4.6
Продолжение таблицы 4.4
Наименование показателя |
Значение для подгруппы | |||||||||||
113 |
114 |
115 |
116 |
117 |
118 |
119 |
220 |
221 |
222 |
223 |
224 | |
UЭБ |
4426 |
4362 |
4428 |
4458 |
4363 |
4467 |
4445 |
4470 |
4418 |
1250 |
1112 |
1273 |
66,75 |
66,81 |
66,82 |
66,89 |
66,75 |
66,8 |
66,89 |
66,84 |
66,78 |
66,84 |
66,8 |
66,85 | |
Скользящий размах R |
00,03 |
00,06 |
00,01 |
00,07 |
00,14 |
00,05 |
00,09 |
00,05 |
00,06 |
00,06 |
00,04 |
00,05 |
Рассчитываем скользящий размах , исходя из данных таблицы 4.4
Для расчета контрольных границ mR-карты используем формулы из таблицы 3 ГОСТ Р 50.779.42 – 99 при n = 2, тогда центральная линия = 0,05.
Подставляем значения в формулы (4.1) и (4.2) получаем
ВКП =
НКП =
Значения множителей иберутся из таблицы 2 ГОСТ Р 50.779.42 – 99 дляn = 2.
Строим контрольную карту размахов mR для значений напряжения «эмиттер-база»UЭБ, (рисунок 4.6) по данным, приведенным в таблице 4.4 и по ней определяем состояние процесса.
Рисунок 4.6 – Контрольная mR карта размахов для значений напряжения «эмиттер-база»UЭБ
Все точки находятся в рамках контрольных границ.
Рассчитываем значения , исходя из таблицы 4.4
Для расчета контрольных границ -карты используем формулы из таблицы 2 ГОСТ Р 50.779.42 – 99 приn = 2, тогда центральная линия .
Подставляем значения в формулы (4.3) и (4.4) получаем
;
.
Значение коэффициента взято из таблицы 3 ГОСТ Р 50.779.42 – 99.
Строим -карту для индивидуальных значений пробивного напряжения «эмиттер-база»UЭБ (рисунок 4.7), по данным таблицы 4.4.
Рисунок 4.7 – Контрольная -карта для индивидуальных значений пробивного напряжения «эмиттер-база»UЭБ
Проверяем структуры точек на особые причины раздела 7 ГОСТ Р 50.779.42 – 99. Все точки находятся в рамках контрольных границ, необычные структуры и тренды отсутствуют. Процесс находится в состоянии статистической управляемости.
а)
б)
Рисунок 4.8 - Контрольная -mR карта дляUЭБ
а) индивидуальных значений UЭБ;
б) размахов UЭБ.
4.3 Анализ состояния процесса на основе мониторинга значений UКЭ
На основе мониторинга ,приведенного в таблице 4.1 для двадцати пяти партий, прошедших операцию «Диффузии фосфора в эмиттер», составляем таблицу 4.5 для значений UКЭ,, используя пример 12.3 ГОСТ Р 50779. 42-99.[9]
Таблица 4.5 - Значения пробивного напряжения «коллектор-эмиттер» UКЭ для двадцати пяти последовательных выборок.
Наименование показателя |
Значение для подгруппы | |||||||||||
21 |
22 |
13 |
14 |
15 |
16 |
17 |
18 |
19 |
110 |
111 |
112 | |
UКЭ |
4383 |
5427 |
4381 |
4399 |
5506 |
4393 |
5392 |
5404 |
4348 |
5402 |
4360 |
4403 |
556 |
556 |
552 |
551 |
550 |
555 |
552 |
550 |
554 |
556 |
550 |
553 | |
Скользящий размах R |
50 |
50 |
54 |
51 |
51 |
55 |
53 |
52 |
54 |
52 |
56 |
53 |