Билет №7

Кремниевый стабилитрон – это полупроводниковый диод, предназначенный для стабилизации уровня постоянного напряжения. Стабилизация – это поддержание какого-то уровня неизменным. ПО конструкции стабилитроны всегда плоскостные и кремневые. Принцип действия стабилитрона основан на том , что на его ВАХ имеется участок, на котором напряжение практически не зависит от величины протекающего тока.

Основные параметры стаблитронов:

Напряжение стабилизации Uст.

Минимальное, максимальное и номинальное значение тока стабилизации.

______________________________________________________________________________________________________________________

Билет №6

Полупроводниковые диоды – это устройство, состоящие из кристалла полупроводника, содержащее обычно один p-n переход и имеющее два вывода

По конструкции: плоскостные точечные и микросплавные диоды.

По мощности: маломощные, средней мощности, мощные

По частоте: низко и высокочастотные, и СВЧ

По функциональному назначению: выпрямительные диоды, импульсивные диоды, стабилитроны, варикапы, светодиоды, тоннельные диоды и т. д.

Билет №5

Электрический пробой – это обратимый пробой, т.е. при уменьшении обратного напряжения p-n переход восстанавливает св-ва односторонней проводимости. Если обратное напряжение не уменьшить, полупроводник сильно нагреется и сгорает, назв. Тепловой пробой (необратимый).

Свойства контакта металла с полупроводником зависят от работы выхода электронов из металла (W0м) и из полупроводника (W0n, W0p). Электроны переходят из материала с меньшей работой выхода в материал с большей работой выхода. При контакте металла с электронным полупроводником при выполнении условия W0n<W0м электроны переходят из полупроводника в металл. Если осуществлен контакт металла с дырочным полупроводником и выполняется условие W0м<W0p , будет происходить переход электронов в полупроводник. И в том, и в другом случае произойдет обеднение свободными носителями заряда приконтактной области полупроводника.

Обедненный слой обладает повышенным сопротивлением, которое может изменяться под воздействием внешнего напряжения. Следовательно, такой контакт имеет нелинейную характеристику и является выпрямляющим. Перенос зарядов в этих контактах осуществляется основными носителями, и в них отсутствуют явления инжекции, накопления и рассасывания зарядов. Таким образом, выпрямляющие контакты металл-полупроводник малоинерционны. Они служат основой создания диодов с барьером Шоттки, обладающих высоким быстродействием и малым временем переключения.

Если при контакте металла с полупроводником выполняется условие W0м<W0n или W0м>W0p , то приконтактный слой полупроводника обогащается основными носителями заряда и его сопротивление становится низким при любой полярности внешнего напряжения. Такой контакт имеет практически линейную характеристику и является невыпрямляющим.

Электрический пробой — лавинный пробой, связанный с тем, что носитель заряда на длине свободного пробега приобретает энергию, достаточную для ионизации молекул кристаллической решётки или газа и увеличивает концентрацию носителей заряда. При этом создаются свободные носители заряда (увеличивается концентрация электронов), которые вносят основной вклад в общий ток. Генерация носителей происходит лавинообразно. Различают поверхностный пробой и объёмный пробой диэлектриков. У полупроводников существует разновидность поверхностного пробоя, так называемый шнуровой эффект.

К примеру, пробой изолятора на линии высокого напряжения является серьёзной аварийной ситуацией, а отсутствие пробоя бензовоздушной смеси на свече в двигателе внутреннего сгорания не позволяет запустить двигатель.

_____________________________________________________________________________________________________________________