- •1. Оценка допустимых значений коэффициентов частотных искажений
- •2. Выбор типа транзистора
- •3. Выбор режима работы транзистора по постоянному току
- •4. Расчет сопротивления резисторов и выбор их типа
- •5. Расчет коэффициента усиления каскада по напряжению
- •6. Расчет емкости конденсаторов с1, с2, Сэ и выбор их типа
- •7. Расчет частотной характеристики каскада
7. Расчет частотной характеристики каскада
В области НЧ частотные искажения вносят элементы Сэ, С1, С2. Влияние каждого элемента учитывается соответствующим коэффициентом частотных искажений.
МнчСэ расч = ,
где Мнчэ0 = =
МнчС1 расч = ,
МнчС2 расч = ,
где f = 0,1 ∙ fнч; 0,2 ∙ fнч; 0,3 ∙ fнч; 0,4 ∙ fнч; 0,5 ∙ fнч; fнч; 5 ∙ fнч; 10 ∙ fнч.
Мнч расч = МнчСэ расч ∙ МнчС1 расч ∙ МнчС2 расч
КUнч =
В формулы подставляем различные значения f и заполняем таблицу 4.
Таблица 4 – Расчетные данные для построения частотной характеристики каскада в области НЧ
Рассчитанные коэффициенты |
Частота усиливаемых сигналов f, Гц |
|||||||
0,1 ∙ fнч |
0,2 ∙ fнч |
0,3 ∙ fнч |
0,4 ∙ fнч |
0,5 ∙ fнч |
fнч |
5 ∙ fнч |
10 ∙ fнч |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
МнчСэ расч |
|
|
|
|
|
|
|
|
МнчС1 расч |
|
|
|
|
|
|
|
|
МнчС2 расч |
|
|
|
|
|
|
|
|
Мнч расч |
|
|
|
|
|
|
|
|
КUнч |
|
|
|
|
|
|
|
|
В области ВЧ частотные искажения вносит в основном емкость С0, которая нагружает каскад: С0 = Сн + Свых, Ф,
где Сн – емкость нагрузки, Ф;
Свых – выходная емкость транзистора проектируемого каскада, Ф.
Свых = , Ф,
где Ск – емкость коллекторного перехода транзистора, Ф;
rБ - омическое сопротивление области базы транзистора, Ом.
Свых = =
С0 = Сн + Свых =
Коэффициент частотных искажений в области ВЧ:
МвчС0 расч = .
Коэффициент усиления в области ВЧ:
КUвч =
где f = 0,05 ∙ fвч; 0,1 ∙ fвч; 0,2 ∙ fвч; 0,3 ∙ fвч; 0,5 ∙ fвч; fвч; 2 ∙ fвч; 3 ∙ fвч.
В формулы подставляем различные значения f и заполняем таблицу 5.
Таблица 5 – Расчетные данные для построения частотной характеристики каскада в области ВЧ
Рассчитанные коэффициенты |
Частота усиливаемых сигналов f, Гц |
|||||||
0,05∙fвч |
0,1 ∙ fвч |
0,2 ∙ fвч |
0,3 ∙ fвч |
0,5 ∙ fвч |
fвч |
2 ∙ fвч |
3 ∙ fвч |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
МвчС0 расч |
|
|
|
|
|
|
|
|
КUвч |
|
|
|
|
|
|
|
|
На основании данных таблиц 4 и 5 строиться частотная характеристика спроектированного резисторного усилителя на биполярном транзисторе.