1 Вопрос

5) Отжиг изделий для электровакуумных приборов

Суть отжига состоит в нагреве пластины до тем-рыпроисход. удаление адсорбир. пов-ю загрязнений, а также разложение поверхн. загрязнений и испарение летучих соед. Эффективность очистки зависит от тем-рымаксимальным знач. которой огран. тем-раплав. И процессами диффузии примеси.

Отжиг изделий для электровакуумных приборов.

-удаление газов р-р в обьемеиздел.

-восст. поверхн. оксидов.удаление поверхн. загрязнений

- снятие механических напряжений возникающих в деталях на механических операциях

Отжиг проводят в вакууме, водородной среде, среде инертных газов

6) Газовое травление

Сущность заключается в химич. взаимод. материала пластины с газообразными вещ-ми и образ. при этомлегкоулетучиваемыхсоед. в процессе газового травления, загрязнение удаляется с приповерхн. слоем в качестве травителя исп. смеси Н2 или Не с галогенами (F, Cl, Br2), галогенводород (HBr, HCl) сероводород (H2S), (SF6)

Молярное содерж. Этих в-в в Н2 и Не может изменить от 0.01 до 1% чистку осущ при тем-ре 800-1300 СSiтв + 4HClSiCl4 Î + H2 Î 1150-1250 C

Скорость травления зависит от тем-ры и конц. HClв H2, травление в HBr происходит аналогично

Сl2 газоноситель – Не

Приминение ограничено из-за высокой тем-ры и зависит от чистоты газа

7) Ионное и плазмохимическое травление

Ионное травление – удаление поверхн. слоев материала при бомбардировке его потоком ионов инертных газов высокой энергии при этом ускорении ионы при столкн. с пов-тью пластины передают ее атомам свою энергию и импульс, если эта энергия превыш. энергию хим. связи, а импульс напр. наружу от поверх-ти, то происходит смещение атомов, их отрыв о поверх-ти – распыление. Разновидность ионных травлений:

- ионно химическое травление или реактивное – закл. в том что в плазму ввод актив. Газ- кислород, все это способствует высокой скорости травления.

Плазмо-Химическое травление. Основан на разрушении обработки материала ионами активных газов, образующихся в плазме газов. разряда и вступ. в хим р-ю. При этом молек. газа в разряде распад на реакциспособн. Частицы (ионы, электроны, свободные радикалы) В результате хим реакции образ летуч в-ва. Чаще всего для травления Si исп. Br, CF4, SF6 или фрион.

Скрость травления зависит от тем-ры, а она предопред состав плазмы и св-ва травящего материала. Иногда испCl– содержа плазму, О2 – плазму

8) Особенности очистки стеклянных и керамических деталей

Хим устойчивые стекла подверг обработки HF (плавиковой к-те)

2Na2SiO3 + 12HF  Na2SiF6 + 2NaF + SiF4 Î + 6H20

HF служит для удаления поверхностного слоя стекла вместе со всеми загрязн. Которые есть на нем и придания ему треб стеклшерховатости (ее придает SiF4)

CÎ конц кислоты высокой скорости очисткии высокой степени шерховатости, как следствие высокой вероятности перетравливания, а также могут вознразъеды, разстеклование, образ на стекле налетов. Лучше всего начинать обработку при конц 1-2% HF, вместо HF прим 10% р-р бифториды алюминея с добавлением ПАВ. Стекло отмывается от HF и ее солей, многократным окунанием в H2O, после HF стекло обрабат в щелоч р-реKOH + Na3PO4 + ПАВдля нейтрализации следов плавиковой к-ты и ее паров и для обезжиривания внутрпов-ти…

Хромовая смесь – для хим неустойчивых стекол, хромовая смесь – насыщ р-р K2Cr2O7 в концH2SO4. В отличии от HF хромовая смесь не вступает в химвзаимод со стеклом, неорг – хромов смесь, а орган – окисляется хромовая смесь - хорошо удаляет пленки минеральных масел. Для промывания стекл изделий исп 5% р-р перекиси H2, при принеприрывном его кипячении 20-30 мин, очистка улучшается если в этом р-р добав аммиака.

Если керамич детали в процессе изготовления подверг шлифовке с послед обработкой в соляной к-те, они содержат большое кол-во хлорн. загрязнений чтобы удалить их, керамику прокаливают в окислит воздушной среде при тем-ре 1100 С