3.2.5. Построение графиков статических характеристик транзистора в схеме с об
На основании результатов наблюдений, записанных в табл. 2, 3, строятся семейства входных и выходных характеристик в прямоугольной системе координат. Примерный вид этих семейств приведен на рис. 3(а) и 3(б).
3.2.6. Определение h-параметров транзистора по статическим характеристикам
Для определения IЭ(A)-параметров необходимо задать положение рабочей точки А в семействах входных и выходных характеристик, в которой будут определяться h-параметры. В данной работе h-параметры определяются в точке А при UКБ(A) = UIIКБ и IЭ(A) = IIIIЭ. Значения IIIIЭ и UIIКБ необходимо взять из табл. 2, 3.
Прежде всего необходимо точку А нанести на семейства входных и выходных характеристик по известным значениям UКБ(A) и IЭ(A). Параметры h11Б и h12Б определяются по входным характеристикам, а h21Б и h11Б h22Б – по выходным.
Так для определения h11Б и h12Б в окрестностях точки А на входной характеристике выделяется участок, в пределах которого входную характеристику можно представить отрезком прямей линии (чем меньше участок, тем точнее будут расчеты). С концов этого участка отпускаются перпендикуляры на оси токов и напряжений. Образовавшийся на семействе треугольник abc называется характеристическим.
По определению
;
;
;
;
;
Для определения h21Б и h122Б на выходных характеристиках в окрестностях точки А строим характеристический треугольник fnk:
;
;
;
;
5. Содержание отчёта
Отчет о проделанной работе должен содержать:
1. Точное наименование и цель работы.
2. Таблицу основных электрических параметров исследуемого транзистора
3. Схему для снятия характеристик.
4. Таблицы наблюдений
5. Графики входных и выходных характеристик транзистора.
6. Значения h-параметров транзистора, найденные по характеристикам.